机译:低损伤的完全自对准替代栅极工艺,用于制造100nm以下深栅极长度的GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于制造100 nm栅极长度增强模式GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管的完全自对准工艺
机译:低泄漏GaN Hemts,具有低损伤蚀刻工艺制造的亚100nm t形栅极
机译:栅长小于100 nm的金属栅NMOS晶体管替代浇口工艺
机译:通过快速热处理制造的用于金属氧化物半导体场效应晶体管应用的直接隧道栅氧化物的研究。
机译:使用溶液加工的聚合物栅极电介质自对准顶栅金属氧化物薄膜晶体管
机译:一种新的晶体晶体管门基于NMOS的可逆BCD加法器新设计技术