机译:由于界面粗糙度和随机掺杂剂共同作用,Si纳米线MOSFET的可变性:完整的三维NEGF模拟研究
机译:使用完整3D NEGF方法研究Si纳米线中界面粗糙度的影响
机译:开发具有随机掺杂剂和界面粗糙度的完整3D NEGF仿真器
机译:使用完整的2D NegF技术研究界面粗糙度对DG-MOSFET的影响
机译:基于2D半导体器件的增长技术与光电学研究
机译:一种简单的技术可通过fs激光加工克服自聚焦细丝化超连续谱的产生像差深度依赖性和波导界面粗糙度
机译:使用全二维NEGF技术研究界面粗糙度对DG-MOSFET的影响