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机译:开发具有随机掺杂剂和界面粗糙度的完整3D NEGF仿真器
Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, United Kingdom;
non equilibrium green function; nanowires; interface roughness; discret dopants;
机译:由于界面粗糙度和随机掺杂剂共同作用,Si纳米线MOSFET的可变性:完整的三维NEGF模拟研究
机译:使用完整3D NEGF方法研究Si纳米线中界面粗糙度的影响
机译:Pierre3D:基于随机地面粗糙度和双曲线恢复因子的3D随机落石模拟器
机译:2D / 3D NegF模型硅纳米晶体管随机掺杂剂/掺杂剂聚集的影响
机译:基底材料和粗糙度对水平单带铸造模拟器上铸造的AZ31-B镁合金性能的影响。
机译:二维MS-EMC纳米器件模拟器中S / D隧穿模型的量子增强:NEGF比较和有效质量变化的影响
机译:硅纳米线晶体管中精确放置的掺杂剂与界面粗糙度之间的相互作用:全三维NEGF模拟研究
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究