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International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices
International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices
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1.
Ultra High Performance Insulator Channel Transistor
机译:
超高性能绝缘频道晶体管
作者:
Dawei Zhang
;
Marlene Ferrier
;
Peter Griffin
;
Yoshio Nishi
;
Thomas Skotnicki
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Insulator channel;
On current;
Subthreshold slope;
Scalability;
2.
TCAD investigation of abnormal degradation of inhibited cells in NAND Flash Structures
机译:
NAND闪光结构抑制细胞异常降解的TCAD调查
作者:
J. Postel-Pellerin
;
F. Lalande
;
P. Canet
;
R. Bouchakour
;
F. Jeuland
;
B. Bertello
;
B. Villard
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Reliability;
Flash memory;
Oxide stress;
TCAD Simulation;
NAND architecture;
3.
Random Fluctuations in Scaled MOS Devices
机译:
缩放MOS设备中的随机波动
作者:
Kiyoshi Takeuchi
;
Akio Nishida
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Variability;
Variation;
Random dopant fluctuation;
MOSFET;
Large scale integrated circuit;
4.
CAD based Interconnect Analysis
机译:
基于CAD的互连分析
作者:
J. G. Rollins
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Inteconnect;
Capacitance;
Rresistance;
Inductance;
Parasitics;
5.
Overview of modeling approaches for scaled non volatile memories
机译:
缩放非易失性记忆的建模方法概述
作者:
Daniele Ielmini
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Non-volatile memory;
Flash memory;
Charge-trap memory;
Phase-change memory (PCM);
Resistive-switching memory (RRAM);
Physical modeling;
Reliability modeling;
Electrothermal simulation;
6.
Technology Projection Using Simple Compact Models
机译:
技术投影使用简单的紧凑型号
作者:
H. S. Philip Wong
;
Lan Wei
;
Saeroonter Oh
;
Albert Lin
;
Jie Deng
;
Soogine Chong
;
Kerem Akarvardar
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Technology projection;
Compact model;
III-V FET;
CNT;
Carbon nanotube transistor;
Nanoelectromechanical relay;
NEMS;
Parasitic capacitance;
Parasitic resistance;
Si CMOS;
7.
First-principles calculations for effects of Fluorine impurity in GaN
机译:
氟杂质在GaN中的荧光效应的重组计算
作者:
Jing Lu
;
Mingzhi Gao
;
Jinyu Zhang
;
Yan Wang
;
Zhiping Yu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
GaN;
Defects;
F impurity;
First-principles calculation;
8.
A Highly Effective and Efficient Cost-Function-Reduction Method for Inverse Lithography Technique
机译:
用于逆光刻技术的高效高效的成本减少方法
作者:
Jinyu Zhang
;
Wei Xiong
;
Yan Wang
;
Zhiping Yu
;
Min-Chun Tsai
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
ILT;
CFRM;
Partial-coherence image system;
9.
A Unified Approach for the Reliability Modeling of MOSFETs
机译:
MOSFET可靠性建模的统一方法
作者:
Chang-Ki Baek
;
SeongWook Choi
;
Hong-Hyun Park
;
Jun-Myung Woo
;
Young June Park
;
Sung-Min Hong
;
Chan Hyeong Park
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Unified reliabity model (URM);
Hydrogen transport;
NBTI;
SILC;
RTS;
Noise;
Mobility;
Trapped electron;
10.
Atomistic approach for Boron Transient enhanced diffusion and clustering
机译:
硼瞬态增强扩散和聚类的原始方法
作者:
Aurelio Mauri
;
Luca Laurin
;
Francesco Montalenti
;
Augusto Benvenuti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
11.
Band Calculation for the Hexagonal and FCC Chalcogenide Ge{sub}2Sb{sub}2Te{sub}5
机译:
六边形和FCC Chalcogenere Ge {Sub} 2SB {Sub} 2Te {Sub} 5的带计算
作者:
Enrico Piccinini
;
Thierry Tsafack
;
Fabrizio Buscemi
;
Rossella Brunetti
;
Massimo Rudan
;
Carlo Jacoboni
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
12.
A Theoretical Study of Electron Mobility Reduction due to Acoustic Phonon Modulation in a Free-Standing Semiconductor Nanowire
机译:
防立式半导体纳米线中声子宫声复量引起的电子迁移率降低的理论研究
作者:
Junichi Hattori
;
Shigeyasu Uno
;
Nobuya Mori
;
Kazuo Nakazato
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Acoustic phonon;
Electron-phonon interaction;
Gate-all-around;
Electron mobility;
13.
A Complete Charge Based Compact Model for Silicon Nanowire FETs Including Doping and Advanced Physical Effects
机译:
基于充电的硅纳米线FET紧凑型型号,包括掺杂和先进的物理效果
作者:
Feng Liu
;
Jin He
;
Lining Zhang
;
Jian Zhang
;
Jinhua Hu
;
Xing Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Nanowire;
FET;
Compact model;
Doping;
Advanced physical effect;
14.
Study of Stress Effect on Replacement Gate Technology with Compressive Stress Liner and eSiGe for pFETs
机译:
用压缩应力衬垫和eSige对替换栅极技术的应力影响研究PFET
作者:
S. Yamakawa
;
S. Mayuzumi
;
J. Wang
;
Y. Tateshita
;
H. Wakabayashi
;
T. Ohno
;
H. Ansai
;
D. Kosemura
;
M. Takei
;
A. Ogura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Stress;
Strain;
Simulation;
Mobility enhancement;
Replacement-gate;
Damascene-gate;
Gate-last;
Raman spectroscopy;
15.
Analytical model and Monte Carlo Simulations for Phosphorus implantation in Germanium including ion channeling
机译:
用于锗磷植入的分析模型和蒙特卡罗模拟,包括离子沟道
作者:
Geert Hellings
;
Geert Eneman
;
Marc Meuris
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
16.
Progress in Biosensor and Bioelectronics Simulations: New Applications for TCAD
机译:
生物传感器和生物电化模拟的进展:TCAD的新应用
作者:
Arjang Hassibi
;
Yang Liu
;
Robert W. Dutton
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Bio-TCAD;
Biosensors;
Affinity-based detection;
Nanopore;
Charge-based sensing;
Noise;
17.
Band-engineering of Novel Channel Materials for High Performance Nanoscale MOSFETs
机译:
高性能纳米尺度MOSFET的新型通道材料的带工程
作者:
Tejas Krishnamohan
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
18.
A New Unified Compact Model for Quasi-Ballistic Transport: Application to the Analysis of Circuit Performances of a Double-Gate Architecture
机译:
准统一的准统一紧凑型模型,用于准栅极架构电路演分的应用
作者:
S. Martinie
;
D. Munteanu
;
G. Le Carval
;
J. L. Autran
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Double-Gate MOSFET;
Ballistic transport;
Compact model;
Ring Oscillator;
Quantum effect;
19.
Analytical Model for Point and Line Tunneling in a Tunnel Field-Effect Transistor
机译:
隧道场效应晶体管中点和线路隧穿的分析模型
作者:
William G. Vandenberghe
;
Anne S. Verhulst
;
Guido Groeseneken
;
Bart Soree
;
Wim Magnus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
20.
Full-band and atomistic simulation of n- and p-doped double-gate MOSFETs for the 22nm technology node
机译:
用于22nm技术节点的N和P掺杂双栅MOSFET的全带和原子模拟
作者:
Mathieu Luisier
;
Gerhard Klimeck
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
21.
Ion implantation model for channeling through multi-layers
机译:
通过多层窜流的离子植入模型
作者:
T. Yamanaka
;
K. Nishi
;
H. D. Nguyen
;
M. Mochizuki
;
H. Hayashi
;
K. Fukuda
;
K. Sasaki
;
Y. Doi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Ion implantation;
Silicon;
Modeling;
Simulation;
Monte Carlo model;
22.
A Deterministic Boltzmann Equation Solver for Two-Dimensional Semiconductor Devices
机译:
二维半导体器件的确定性Boltzmann等式求解器
作者:
Sung-Min Hong
;
Christoph Jungemann
;
Matthias Bollhofer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
23.
A Robust Parallel Delaunay Mesh Generation Approach Suitable for Three-Dimensional TCAD
机译:
一种适用于三维TCAD的强大的并行Delaunay网格生成方法
作者:
Franz Stimpfl
;
Rene Heinzl
;
Philipp Schwaha
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
24.
Wigner Monte Carlo Approach to Quantum Transport in Nanodevices
机译:
Wigner Monte Carlo纳米切车量子传输方法
作者:
P. Dollfus
;
D. Querlioz
;
J. Saint-Martin
;
V. N. Do
;
A. Bournel
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Tunneling;
Wigner distributions;
Monte Carlo methods;
Quantum theory;
MOSFETs;
Green function;
Resonant Tunneling Diodes;
25.
Advanced Annealing Strategies for the 32 nm node
机译:
32 NM节点的高级退火策略
作者:
C. Kampen
;
A. Martinez-Limia
;
P. Pichler
;
A. Burenkov
;
J. Lorenz
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
26.
Air-Spacer Self-Aligned Contact MOSFET for Future Dense Memories
机译:
空调自对准触点MOSFET,用于将来密集的回忆
作者:
Jemin Park
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
27.
A Surface Potential Model for Bulk MOSFET which Accurately Reflects Channel Doping Profile Expelling Fitting Parameters
机译:
用于散装MOSFET的表面电位模型,精确地反映通道掺杂轮廓驱逐拟合参数
作者:
Hironori SAKAMOTO
;
Kentaro WATANABE
;
Hiroshi ARIMOTO
;
Motoaki TANIZAWA
;
Shigetaka KUMASHIRO
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Component;
Surface potential model;
MOSFET;
Poisson equation;
Channel doping profile;
Short channel effect;
Reverse short channel effect;
28.
A Surface Potential Based Poly-Si TFT Model for Circuit Simulation
机译:
基于表面电位的电路模拟Poly-Si TFT模型
作者:
Soichiro Miyano
;
Yoshiteru Shimizu
;
Takahiro Murakami
;
Mitiko Miura-Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Compact Model;
Thin Film Transistor;
Trap Modeling;
29.
Source/Drain Engineering for High-Performance deep sub-100nm Ge-pMOSFETs using Full-Band Monte Carlo Simulation
机译:
使用全带蒙特卡罗模拟的高性能深度级GE-PMOSFET的源/排水工程
作者:
Hiroshi Takeda
;
Takeo Ikezawa
;
Michihito Kawada
;
Masami Hane
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Ge;
MOSFET;
Schottky;
Metal source/drain;
Full-band;
Monte Carlo;
30.
Phonon Transport in Electronic Devices: From Diffusive to Ballistic Regime
机译:
在电子设备中的声子传输:从扩散到弹道制度
作者:
B. Thouy
;
J. P. Mazellier
;
J. C. Barbe
;
G. Le Carval
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Fully Depleted MOSFET;
Silicon On Insulator;
Phonon transport;
Heat transfer;
Lattice Boltzmann Method;
31.
Consistent Higher-Order Transport Models for SOI MOSFETs
机译:
SOI MOSFET的一致高级传输模型
作者:
Martin Vasicek
;
Johann Cervenka
;
Markus Karner
;
Tibor Grasser
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
32.
Synthetic Soft Error Rate Simulation Considering Neutron-induced Single Event Transient from Transistor to LSI-chip level
机译:
考虑中子诱导的单个事件瞬态从晶体管到LSI芯片级的合成软错误速率模拟
作者:
Masami Hane
;
Hideyuki Nakamura
;
Katsuhiko Tanaka
;
Kentaro Watanabe
;
Yoshiharu Tosaka
;
Kiyoshi Ishikawa
;
Shigetaka Kumashiro
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Soft Error;
Simulation;
Single Event Transient;
33.
Is Dual Gate Device Structure Better From Thermal Perspective?
机译:
双栅极设备结构从热敏角度效果更好?
作者:
S. M. Goodnick
;
D. Vasileska
;
K. Raleva
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
DG devices;
Particle-based simulations;
Heating effects;
Hot phonons;
34.
Operational PRAM Analysis with PVT Variations Using Process-aware Compact Model
机译:
使用过程感知紧凑型模型进行PVT变化的操作PRAM分析
作者:
Y. T. Kim
;
Y. G. Kim
;
G. Y. Yang
;
K. H. Lee
;
H. Horii
;
H. G. An
;
J. H. Kong
;
K. J. Lee
;
M. H. Park
;
Y. K. Park
;
M. H. Yoo
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
PRAM;
Phase change;
Variation;
Compact model;
Simulation;
35.
Transport masses in strained silicon MOSFETs with different channel orientations
机译:
带有不同通道定向的紧张硅MOSFET中的运输质量
作者:
D. Rideau
;
M. Feraille
;
M. Michaillat
;
C. Tavernier
;
H. Jaouen
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
36.
Quasi-Ballistic Transport in Nanowire Field-Effect Transistors
机译:
纳米线场效应晶体管中的准弹道传输
作者:
Giorgio Baccarani
;
Elena Gnani
;
Antonio Gnudi
;
Susanna Reggiani
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
37.
Modeling the V{sub}(TH) fluctuations in nanoscale Floating Gate Memories
机译:
纳米级浮栅存储器中的V {SUB}(TH)波动
作者:
A. Calderoni
;
P. Fantini
;
A. Ghetti
;
A. Marmiroli
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Component: Non-Volatile Memory;
Modeling;
Statistical distribution;
Fluctuations;
Noise;
38.
Phase-Change Memory Simulations Using an Analytical Phase Space Model
机译:
使用分析相空间模型相变存储器模拟
作者:
Bernhard Schmithusen
;
Pavel Tikhomirov
;
Eugeny Lyumkis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
39.
Strain Effects on Ballistic Current in Ultrathin DG SOI MOSFETs
机译:
超薄DG SOI MOSFET中弹道电流的应变影响
作者:
Hideki Minari
;
Nobuya Mori
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Silicon;
Strain;
MOSFET;
NEGF method;
Tight-binding;
Simulation;
40.
Resonant Injection Enhanced Field Effect Transistor for Low Voltage Switching: Concept and Quantum Transport Simulation
机译:
用于低压切换的共振注射增强的场效应晶体管:概念和量子传输仿真
作者:
Hui Chen
;
L. F. Register
;
S. K. Banerjee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Resonant tunneling transistor;
Low-voltage switching;
Quantum transport;
Parallelization;
41.
Trial application of tight-binding method to Si-cluster surrounded by SiO{sub}2 in optimized atomistic network - Si-cluster surrounded SiO{sub}2 is quite unique
机译:
在优化原子网络中SIO {sub} 2中围绕Si-emplated围绕Si簇的试验应用 - Si-Clustered SiO {Sub} 2是非常独特的
作者:
Hiroshi Watanabe
;
Kenji Kawabata
;
Takashi Ichikawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Tight-binding;
Molecular-dynamics;
Si-dot;
Floating-gate;
Interfacial-states;
42.
Impact Ionization and Freeze-Out Model for Simulation of Low Gate Bias Kink Effect in SOI-MOSFETs Operating at Liquid He Temperature
机译:
液体He温度下运行的SOI-MOSFET中低栅极偏置扭结效果模拟的冲击电离和冻结模型
作者:
A. Akturk
;
M. Peckerar
;
M. Dornajafi
;
N. Goldsman
;
K. Eng
;
T. Gurrieri
;
M. S. Carroll
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Cryogenic MOSFET simulation;
MOSFET operation at 4K;
Incomplete ionization;
Impact ionization at cryogenic temperatures;
43.
Comparison of Discretization Methods for Device Simulation
机译:
设备仿真离散化方法的比较
作者:
Daniel J. Cummings
;
Mark E. Law
;
Steve Cea
;
Tom Linton
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Device simulation;
Discretization methods;
Finite volume method;
Finite element method;
Single-event upset;
44.
Using TCAD, Response Surface Model and Monte Carlo Methods to Model Processes and Reduce Device Variation
机译:
使用TCAD,响应面模型和蒙特卡罗方法来模拟过程和降低设备变化
作者:
Dipanjan Basu
;
J. Guha
;
P. Hatab
;
P. Vaidyanathan
;
C. Mouli
;
S. K. Groothuis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Response surface;
Process variation;
45.
A new F(ast)-CMS Algorithm for Efficient Three-Dimensional NEGF Simulations of Arbitrarily Shaped Silicon Nanowire MUGFETs
机译:
一种新的F(AST)-CMS算法,用于高效三维NegF模拟的任意形状硅纳米线Mugfet
作者:
A. Afzalian
;
C. W. Lee
;
N. Dehdashti Akhavan
;
R. Yan
;
I. Ferain
;
P. Razavi
;
J. P. Colinge
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Silicon on insulator technology;
MOS devices;
Quantum effect semiconductor devices;
Quantum Wires;
Semiconductor device modeling;
Tunnel FET;
Steep subthreshold slop;
46.
Semiclassical Monte Carlo with quantum-confinement enhanced scattering - Quantum correction and application to short-channel device performance vs. mobility for biaxial-tensile-strained silicon nMOSFETs
机译:
具有量子限制增强散射 - 量子校正和应用于短通道装置性能的半导体蒙特卡罗与双轴 - 拉伸硅NMOSFET的移动性与散差的散射态校正和应用
作者:
Ningyu Shi
;
Leonard F. Register
;
Sanjay K. Banerjee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Full-Band Monte Carlo;
Strained Si;
Quantum correction;
Mobility;
47.
Monte Carlo-Based Analytical Models for Electron and Hole Electrical Parameters in Strained SiGeC Alloys
机译:
基于Monta Carlo的电子和孔电气参数的分析模型在紧张的Sigec合金中
作者:
Marc Michaillat
;
Denis Rideau
;
Frederic Aniel
;
Clement Tavernier
;
Herve Jaouen
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
48.
A convergence enhancement method for deterministic multisubband device simulations of double gate PMOSFETs
机译:
用于双栅极PMOSFET的确定性多化器件模拟的收敛增强方法
作者:
A. T. Pham
;
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
49.
Full 3D Simulation of 6T-SRAM Cells for the 22nm Node
机译:
用于22nm节点的6T-SRAM单元的全3D模拟
作者:
Changhwan Shin
;
Yasumasa Tsukamoto
;
Xin Sun
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
6-TSRAM;
Variability;
Single-event-upset;
50.
Atomistic simulation of band-to-band tunneling in III-V nanowire field-effect transistors
机译:
III-V纳米线场效应晶体管中的带状带隧穿的原子模拟
作者:
Dipanjan Basu
;
Leonard F. Register
;
Matthew J. Gilbert
;
Sanjay K. Banerjee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Atomistic;
Quantum transport;
51.
SPICE Modeling of Self Sustained Operation (SSO) to Program Sub-90nm Floating Body Cells
机译:
Spice建模自持操作(SSO)对亚90nm浮体细胞进行编程
作者:
Mayank Gupta
;
Sunil Bhardwaj
;
Jungtae Kwon
;
Venkatesh Gopinath
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Z-RAM;
Floating body memory;
BSIMSOI;
SOI;
SPICE modeling;
52.
Simulation on NBTI degradation due to discrete interface traps considering local mobility model and its statistical effects
机译:
考虑局部移动模型及其统计效应的离散界面陷阱引起的对NBTI降解的模拟及其统计效应
作者:
SeongWook Choi
;
Sooyoung Park
;
Hong-Hyun Park
;
Young June Park
;
Chang-Ki Baek
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Reliability modeling;
NBTI;
Drain current degradation;
Mobility degradation;
Discrete trap;
53.
Simulation-Based Lithography Optimization for Logic Circuits at 22nm and Below
机译:
基于仿真的光刻优化逻辑电路22nm及以下
作者:
Michael C. Smayling
;
Valery Axelrad
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Double patterning;
Gridded design rules;
Low k{sub}1;
Source-mask optimization;
54.
Reflectance of Sub-Wavelength Structure on Silicon Nitride for Solar Cell Application
机译:
太阳能电池应用氮化硅亚波长结构的反射率
作者:
Kartika Chandra Sahoo
;
Yiming Li
;
Edward Yi Chang
;
Men-Ku Lin
;
Jin-Hua Huang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Silicon Nitride;
Sub-Wavelength Structure;
Antireflection Coating;
Reflectance;
Efficiency;
Maxwell Equations;
Rigorous Coupled-Wave Approach;
Modeling and Simulation;
Fabrication;
Characterization;
55.
Hole Mobility and its enhancement with Strain for technologically relevant III-V semiconductors
机译:
孔迁移率及其增强与技术相关的III-V半导体菌株
作者:
Aneesh Nainani
;
Donghyun Kim
;
Tejas Krishnamohan
;
Krishna Saraswat
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
56.
Accurate Mobility and Energy Relaxation Time Models for SiGe HBTs Numerical Simulation
机译:
用于SiGe HBTS数值模拟的精确移动和能量松弛时间模型
作者:
G. Sasso
;
N. Rinaldi
;
G. Matz
;
C. Jungemann
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Device simulation;
SiGe HBTs;
Mobility;
Energy relaxation time;
Hydrodynamic models;
57.
Adding Physical Scalability to BSIM4 by Meta-Modeling of Fitting Parameters
机译:
通过拟合参数的元建模将物理可扩展性添加到BSIM4
作者:
Toshiharu Nagumo
;
Kiyoshi Takeuchi
;
Shigetaka Kumashiro
;
Yoshihiro Hayashi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Compact model;
V{sub}(th) model parameter;
Channel impurity profile;
Halo;
58.
Compact and Efficient Monte Carlo Method to Reproduce Size Effect on Resistivity in Sub-0.1μm Metallic Interconnects
机译:
紧凑高效的蒙特卡罗方法,以重现尺寸对亚01μm金属互连电阻率的尺寸影响
作者:
Takashi Kurusu
;
Makoto Wada
;
Noriaki Matsunaga
;
Hiroyoshi Tanimoto
;
Nobutoshi Aoki
;
Yoshiaki Toyoshima
;
Hideki Shibata
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Monte Carlo Method;
Interconnects;
Size Effect;
Resistivity;
59.
Study on Influence of Device Structure Dimensions and Profiles on Charge Collection Current Causing SET Pulse Leading to Soft Errors in Logic Circuits
机译:
装置结构尺寸和曲线对电荷收集电流影响的影响,导致逻辑电路中的软误差导致软误差
作者:
Katsuhiko Tanaka
;
Hideyuki Nakamura
;
Taiki Uemura
;
Kan Takeuchi
;
Toshikazu Fukuda
;
Shigetaka Kumashiro
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
60.
A Discrete Surface Potential Model which Accurately Reflects Channel Doping Profile and its Application to Ultra-Fast Analysis of Random Dopant Fluctuation
机译:
一种离散的表面电位模型,可准确地反映通道掺杂型材及其在随机掺杂波动的超快速分析中的应用
作者:
Hironori SAKAMOTO
;
Hiroshi ARIMOTO
;
Hiroo MASUDA
;
Satoshi FUNAYAMA
;
Shigetaka KUMASHIRQ
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Surface potential model;
MOSFET;
Poisson equation;
Channel doping profile;
Threshold voltage variation;
Random dopant fluctuation;
61.
Using Density-Gradient Theory to Model Sb-Based p-Channel FETs
机译:
利用密度梯度理论模拟基于SB的P沟道FETS
作者:
M. G. Ancona
;
J. B. Boos
;
B. R. Bennett
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Hole transport;
Antimonides;
Device scaling;
Density-gradient theory;
62.
A Model for Switching Traps in Amorphous Oxides
机译:
无定形氧化物切换陷阱的模型
作者:
Wolfgang Goes
;
Tibor Grasser
;
Markus Karner
;
Ben Kaczer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
63.
A Fast Void Detection Algorithm for Three-Dimensional Deposition Simulation
机译:
一种快速的三维沉积仿真检测算法
作者:
Otmar Ertl
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
64.
Unified Mobility Model for Amorphous Organic Materials
机译:
非晶有机材料的统一移动模型
作者:
Fabrizio Torricelli
;
Zsolt Miklos Kovacs-Vajna
;
Luigi Colalongo
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
VRH transport;
Percolation theory;
DOS;
65.
Predictive Compact Modeling for Strain Effects in Nanoscale Transistors
机译:
纳米级晶体管应变效应的预测紧凑型模型
作者:
Nuo Xu
;
Xin Sun
;
Lynn Wang
;
Andrew Neureuther
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Critical length;
Strain effects;
Backscattering rates;
Quasi-ballistic transport;
Predictive modeling;
66.
Convex Channel Design for Improved Capacitorless DRAM Retention Time
机译:
改进电容DRAM保留时间的凸通道设计
作者:
Min Hee Cho
;
Changhwan Shin
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
Capacitorless DRAM;
Retention Time;
Convex Channel;
Silicon Germanium;
67.
A Gradient-Based Inverse Lithography Technology for Double-Dipole Lithography
机译:
双偶极光刻的基于梯度的逆光刻技术
作者:
Wei Xiong
;
Jinyu Zhang
;
Yan Wang
;
Zhiping Yu
;
Min-Chun Tsai
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2009年
关键词:
ILT;
Mask synthesis;
Double-dipole lithography;
Gradient-based;
Phase-shifting masks;
68.
Computational Electronics in the 21st Century: Challenges, Opportunities, Issues
机译:
21世纪的计算电子产品:挑战,机遇,问题
作者:
Mark Lundstrom
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Simulation;
Computing;
Semiconductor;
Microelectronics;
Nanoelectronics;
69.
Atomistic Modeling of Dopant Diffusion and Segregation in Strained SiGeC
机译:
紧张的SIGEC中掺杂剂扩散与偏析的原子模型
作者:
Scott T. Dunham
;
Hsiu-Wu Guo
;
Jakyoung Song
;
Chihak Ahn
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
70.
Modeling of High-k-Metal-Gate-Stacks Using the Non-Equilibrium Green's Function Formalism
机译:
使用非平衡绿色功能形式主义的高k金属栅极堆叠建模
作者:
O. Baumgartner
;
M. Karner
;
H. Kosina
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
71.
Simulation of impurities with an attractive potential in fully 3-D real-space Non-Equilibrium Green's Function quantum transport simulations
机译:
完全3-D实时非平衡绿色功能量子传输模拟的杂质模拟杂质含有吸引力的潜力
作者:
A. Martinez
;
J. R. Barker
;
A. R. Brown
;
A. Asenov
;
Natalia Seoane
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Discrete impurities;
Nanowire transistor;
Non-Equilibrium Green's function;
Screening;
Transmission resonances;
72.
Effects of Quantum Confinement on Interface Trap Occupation in 4H-SiC MOSFETs
机译:
量子监禁对4H-SIC MOSFET界面陷阱占用的影响
作者:
Siddharth Potbhare
;
Akin Akturk
;
Neil Goldsman
;
Aivars Lelis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Silicon Carbide MOSFET;
Density gradient;
Interface traps;
Quantum confinement;
73.
Transient device simulation of trap-assisted leakage in non-volatile memory cell
机译:
非易失性存储器单元中陷阱辅助泄漏的瞬态装置模拟
作者:
Hiroshi Watanabe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Local trap;
Nonvolatile memory;
Device-simulation;
Transient analysis;
74.
Physics of Tunneling from a Macroscopic Perspective
机译:
宏观视角隧道的物理学
作者:
M. G. Ancona
;
A. Svizhenko
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Tunneling;
Macroscopic;
Density-gradient;
Non-equilibrium Green's function;
75.
Evaluating the Effects of Physical Mechanisms on the Program, Erase and Retention in the Charge Trapping Memory
机译:
评估物理机制对电荷捕获记忆中的程序,擦除和保留的影响
作者:
Y. C. Song
;
X. Y. Liu
;
Z. Y. Wang
;
K. Zhao
;
G. Du
;
J. F. Kang
;
R. Q. Han
;
Z. L. Xia
;
D. Kim
;
K. H. Lee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Charge Trapping Memory;
Non-volatile Memory;
Simulation of Programming/Erasing/Retention Characteristics;
76.
Analysis of direct tunneling current from quasi-bound states in n-MOSFET based on non-equilibrium Green's function
机译:
基于非平衡绿色函数的N-MOSFET中准界态直接隧道电流分析
作者:
Satoru Muraoka
;
Satofumi Souma
;
Matsuto Ogawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
77.
Micro magnetic Simulation of Write Error Probability in STT-MRAM
机译:
STT-MRAM的写误差概率微磁模拟
作者:
K. Kawabata
;
M. Tanizawa
;
K. Ishikawa
;
Y. Inoue
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Spin transfer torque;
MRAM;
Finite temperature switching process;
78.
Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels
机译:
高级MOS渠道运输的理解与工程
作者:
Shinichi Takagi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
MOSFETs;
Channels;
Subband;
Mobility;
Velocity;
Strain;
Ge;
III-V semiconductors;
Scattering;
79.
Coupling the Monte-Carlo Method with Semi-Analytical Solutions of the Boltzmann Transport Equation
机译:
耦合Monte-Carlo方法,具有Boltzmann运输方程半分析解决方案
作者:
S. C. Brugger
;
V. Peikert
;
A. Schenk
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
80.
Effect of Contacts on Terahertz Plasma Resonances in Two-Dimensional Electron Systems
机译:
二维电子系统中Terahertz等离子体共振的影响
作者:
Akira Satou
;
Victor Ryzhii
;
Nizami Vagidov
;
Vladimir Mitin
;
Taiichi Otsuji
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
81.
Study on the Optimized Design of Nanowire Tunneling Transistors Including Quantum Effects
机译:
纳米线隧道晶体管优化设计研究,包括量子效应
作者:
Alexander Heigl
;
Gerhard Wachutka
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
82.
Investigation of noise in silicon nanowire transistors through quantum simulations
机译:
通过量子模拟对硅纳米线晶体管噪声研究
作者:
Hong-Hyun Park
;
Soo Young Park
;
Hong Shick Min
;
Young June Park
;
Seonghoon Jin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Quantum transport;
Non-equilibrium Green's function;
Silicon nanowire transistor;
Noise;
83.
Organic Thin-Film Transistors Modeling; Simulation and Design of a Fully Organic AMOLED Pixel Circuit
机译:
有机薄膜晶体管造型;完全有机AMOLED像素电路的仿真与设计
作者:
Omid Yaghmazadeh
;
Yvan Bonnassieux
;
Amar Saboundji
;
Gilles Horowitz
;
Bernard Geffroy
;
Denis Tondelier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Organic Thin-Film Transistors;
OTFT;
Modeling;
SPICE;
Simulation;
AMOLED;
Pixel;
84.
Progress in Modeling of SMT 'Stress Memorization Technique' and Prediction of Stress Enhancement by a Novel PMOS SMT Process
机译:
SMT“压力记忆技术”建模进展与新型PMOS SMT过程的压力增强预测
作者:
Xin Wang
;
J. Wu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Stress;
Stress Memorization Technique;
85.
A self-consistent calculation of band structure in silicon nanowires using a Tight-Binding model
机译:
使用紧密结合模型的硅纳米线中带结构的自一致性计算
作者:
E. Sarrazin
;
S. Barraud
;
F. Triozon
;
A. Bournel
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Band structure;
Silicon nanowire;
Self-consistent solution;
Tight-binding;
86.
Impact of Inhomogeneous Strain on the Valence Band Structures of Ge-Si Core-Shell Nanowires
机译:
非均匀应变对Ge-Si芯壳纳米线价带结构的影响
作者:
Yuhui He
;
Chun Fan
;
Yu Ning Zhao
;
Gang Du
;
Xiao Yan Liu
;
Ruqi Han
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Strain effect;
Core-shell nanowire;
Valence band;
87.
Effects of Wavefunction Modulation on Electron Transport in Ultrathin-Body DG MOSFETs
机译:
挥发性调制对超本机DG MOSFET电子传输的影响
作者:
Nobuya Mori
;
Hideki Minari
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
MOSFET;
NEGF;
Phonon scattering;
88.
2D/3D NEGF modeling of the impact of random dopants/dopant aggregation in silicon nano-transistors
机译:
2D / 3D NegF模型硅纳米晶体管随机掺杂剂/掺杂剂聚集的影响
作者:
John R. Barker
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Component;
Random dopants;
Nanotransistors;
Green functions;
Impurities;
Resonances;
Resonant tunnelling;
89.
Monte Carlo Investigation of Potential Fluctuation in 3D Device Structure
机译:
3D器件结构潜在波动的蒙特卡罗调查
作者:
Y. Ohkura
;
C. Suzuki
;
N. Mise
;
T. Matsuki
;
T. Eimori
;
M. Nakamura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Component;
Potential fluctuation;
Monte Carlo;
Nonequilibrium;
Inhomogeneous;
90.
Emission Efficiency Dependence on the Tilted Angle of Nanogaps in Surface Conduction Electron-Emitter
机译:
发射效率依赖于表面传导电子发射器中的纳米间隙的倾斜角度
作者:
Yiming Li
;
Yi-Ting Kuo
;
Hui-Wen Cheng
;
Ta-Ching Yeh
;
Hsiang-Yu Lo
;
Mei-Tsao Chiang
;
Chi-Neng Mo
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Nanogap;
Surface Conduction Electron-Emitter;
Emission Efficiency;
Maxwell Equation;
Fowler-Nordheim Equation;
FDTD;
Particle-in-Cell;
Emitted Current;
Collected Current by Anode;
91.
2D Simulation of Gate Currents in MOSFETs: Comparison between S-Device and the Quantum Mechanical Simulator GreenSolver
机译:
MOSFET中栅极电流的2D仿真:S装置与量子机械模拟器Greensolver的比较
作者:
Andreas Schenk
;
Mathieu M. Luisier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
92.
Simulation of Self Gating Effect of a Liquid Gate Carbon Nanotube Field Effect Transistor
机译:
液态栅极碳纳米管场效应晶体管自浇注效应的仿真
作者:
Gyu Sik Choe
;
Dong Wan Kim
;
Jun-Ho Cheon
;
Sung Min Seo
;
Young June Park
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
93.
Mobility Enhancement in Thin Silicon Films: Strain and Thickness Dependences of the Effective Masses and Non-Parabolicity Parameter
机译:
薄硅膜中的移动性增强:有效质量和非剖宫制参数的应变和厚度依赖性
作者:
Viktor Sverdlov
;
Thomas Windbacher
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Two-band k·p model;
Subband structure;
Shear strain;
Effective masses;
Nonparabolicity;
Monte Carlo methods;
94.
Performance Evaluation of Uniaxial- and Biaxial-Strained In{sub}(x)Ga{sub}(1-x)As NMOS DGFETs
机译:
{sub}(x)ga {sub}(1-x)中的单轴和双轴应变为NMOS DGFET的性能评估
作者:
Donghyun Kim
;
Tejas Krishnamohan
;
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
InGaAs;
NMOS Double gate FETs;
Uniaxial strain;
Biaxial strain;
Leakage current;
Drive current;
Band-to-Band Tunneling;
Quantum Ballistic Transport;
95.
Level Shifts and Gate Interfaces as Vital Ingredients in Modeling of Charge Trapping
机译:
水平换档和门界面作为电荷诱捕建模中的重要成分
作者:
Wolfgang Goes
;
Markus Karner
;
Stansilav Tyaginov
;
Philipp Hehenberger
;
Tibor Grasser
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
96.
Prediction of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations in NanoCMOS Transistors
机译:
纳米晶体晶体管中随机掺杂剂感应阈值波动的预测
作者:
Dave Reid
;
Campbell Millar
;
Gareth Roy
;
Scott Roy
;
Richard Sinnott
;
Gordon Stewart
;
Graeme Stewart
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
97.
Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation of Electron Mobility in Silicon with Ordered Dopant Arrays
机译:
具有有序掺杂剂阵列的硅中电子移动性电子移动性的集合蒙特卡罗/分子动力学模拟
作者:
T. Terunuma
;
T. Watanabe
;
T. Shinada
;
I. Ohdomari
;
Y. Kamakura
;
K. Taniguchi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Single Ion Implantation;
Ordered Dopant Arrays;
Electron Mobility;
Coulomb Scattering;
98.
Numerical Modeling of a Deoxyribonucleic Acid Microassay: Carbon Nanotube Thin Film Transistor Sensor
机译:
脱氧核糖核酸微观型的数值模拟:碳纳米管薄膜晶体管传感器
作者:
Akin Akturk
;
Neil Goldsman
;
Herman Pandana
;
Romel Gomez
;
Javed Khan
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
DNA microassay;
Carbon nanotube;
Thin film transistor;
Label-free microassay;
99.
Analysis of Electromigration in Redundant Vias
机译:
冗余通孔的电迁移分析
作者:
Roberto Lacerda de Orio
;
Hajdin Ceric
;
Sara Carniello
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
100.
Convergence Properties of Density Gradient Quantum Corrections in 3D Ensemble Monte Carlo Simulations
机译:
3D集合蒙特卡罗模拟中密度梯度量子校正的收敛性能
作者:
Craig Riddet
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices》
|
2008年
关键词:
Monte Carlo;
Quantum corrections;
Density Gradient;
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