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机译:包裹式Inas纳米线场效应晶体管
Wernersson L.E.; Bryllert T.; Lind E.; Samuelson L.;
机译:具有溅射电介质的高性能包装型IngaAs纳米线效应晶体管
机译:垂直高迁移率包裹栅InAs纳米线晶体管
机译:离子线磁性氟化硅氧烷膜官能化纳米线场效应晶体管中电流滞后的离子敏感性
机译:纳瓦纳米线场效应晶体管
机译:电子设备的新平台:N沟道有机场效应晶体管,互补电路和纳米线晶体管。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:与水平场效应晶体管同时形成垂直纳米或纳米片场效应晶体管的方法
机译:纳米金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(MOSFET)采用具有圆形纳米结构的纳米通道结构
机译:纳米金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(MOSFET)采用纳米通道结构,采用导电结构来传导耦合纳米结构
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