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机译:具有溅射电介质的高性能包装型IngaAs纳米线效应晶体管
机译:具有形成气体处理的SiO_2栅极电介质的高性能ZnO纳米线场效应晶体管
机译:高性能CDSERLN纳米线效应晶体管基于高k非氧化物电介质的顶部栅极配置
机译:用于高性能Ge / InGaAs隧道场效应晶体管的应变工程双轴拉伸外延锗
机译:包裹式Inas纳米线场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:具有溅射电介质的高性能包装型IngaAs纳米线效应晶体管