首页> 外文会议>Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International >Microstructure modified HfO/sub 2/ using Zr addition with Ta/sub x/ C/sub y/ gate for improved device performance and reliability
【24h】

Microstructure modified HfO/sub 2/ using Zr addition with Ta/sub x/ C/sub y/ gate for improved device performance and reliability

机译:微结构改性的HfO / sub 2 /,通过添加Zr和Ta / sub x / C / sub y /门来改进器件性能和可靠性

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