用于改进LED器件性能和可靠性的接触刻蚀和金属化

摘要

发光器件包括穿过P型半导体层和有源层的竖直孔。使用竖直孔减少量子阱损伤，允许缩短P‑N间距，并允许增加反射面积。介电结构形成在孔中，以提供延伸到器件上表面的斜坡壁。另一介电层覆盖上表面和斜坡壁，并提供半导体层的选择接触。随后施加金属层。因为介电层提供从器件表面的连续斜坡，所以金属层不包括竖直下降。因为有源层没有延伸到孔中，所以与N型半导体层的接触可以位于更靠近孔壁的位置，增加了反射层的可用面积。