两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤

宋颖娉; 郭霞; 艾伟伟; 周跃平; 沈光地

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两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤

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通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.

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来源
《半导体学报：英文版》|2006年第9期|1635-1639|共5页
作者
宋颖娉; 郭霞; 艾伟伟; 周跃平; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学光电子技术实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
两步刻蚀法; GaN.LED; 刻蚀损伤; PL特性; I-V特性;

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