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Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6
Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6
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1.
Challenges and Solutions for Future Internet-of-Things Semiconductor Technologies
机译:
未来物联网半导体技术的挑战和解决方案
作者:
J. K. Schaeffer
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
2.
Vertical Nanowire FET Integration and Device Aspects
机译:
垂直纳米线FET集成和器件方面
作者:
A. Veloso
;
E. Altamirano-Sanchez
;
S. Brus
;
B. T. Chan
;
M. Cupak
;
M. Dehan
;
C. Delvaux
;
K. Devriendt
;
G. Eneman
;
M. Ercken
;
T. Huynh-Bao
;
Ts. Ivanov
;
P. Matagne
;
C. Merckling
;
V. Paraschiv
;
S. Ramesh
;
E. Rosseel
;
L. Rynders
;
A. Sibaja-Hernandez
;
S. Suhard
;
Z. Tao
;
E. Vecchio
;
N
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
3.
Effect of Low Carbon Concentration on Bulk Lifetime of Silicon Crystal
机译:
低碳浓度对硅晶体体寿命的影响
作者:
M. Higasa
;
Y. Nagai
;
S. Nakagawa
;
K. Kashima
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
4.
(Invited) TmSiO As a CMOS-Compatible High-k Dielectric
机译:
(邀请)TmSiO作为兼容CMOS的高k电介质
作者:
E. Dentoni Litta
;
P.-E. Hellstroem
;
M. OEstling
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
5.
Low-temperature Microwave-based Plasma Oxidation of Ge and Oxidation of Silicon followed by Plasma Nitridation
机译:
Ge的基于微波的低温等离子体氧化和硅的氧化然后等离子体氮化
作者:
W. Lerch
;
T. Schick
;
N. Sacher
;
W. Kegel
;
J. Niess
;
M. Czernohorsky
;
S. Riedel
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
6.
The (R)Evolution Of The Junctionless Transistor
机译:
无结晶体管的(R)演变
作者:
R. Duffy
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
7.
Pattern and Emissivity Insensitive Dopant Activation and Silicide Contact Formation Annealing in a Hot Wall Rapid Thermal Annealing System
机译:
热壁快速热退火系统中的图案和发射率不灵敏的掺杂活化和硅化物接触形成退火
作者:
Woo Sik Yoo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
8.
Vapor Phase Self-Assembled Monolayers for CMOS BEOL Barrier Layers
机译:
CMOS BEOL阻挡层的气相自组装单层
作者:
Tejas R. Naik
;
M. Ravikanth
;
V. Ramgopal Rao
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
9.
Role of Interfaces in Achieving Self-Compliance Controlled Resistive Random Access Memory Devices for Low-Power Embedded Applications
机译:
接口在低功耗嵌入式应用中实现自遵从性控制的电阻式随机存取存储设备中的作用
作者:
R.Jha
;
W. Lu
;
W.Chen
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
10.
Development of Characterization Platform Dedicated to Bio-Inspired Objects at the Nanoscale
机译:
纳米级生物启发对象表征平台的开发
作者:
Corentin Carmignani
;
Aurelie Thuaire
;
Anaeelle Rongier
;
Lucie Altamura
;
Christophe Brun
;
Patrick Reynaud
;
Emmanuel Rolland
;
Nadine David
;
Patrice Rannou
;
Vincent Forge
;
Thomas Ernst
;
Severine Cheramy
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
11.
Effect of Substrate Type on CoSi_2 Formation in Rapid Thermal Annealing
机译:
快速热退火中衬底类型对CoSi_2形成的影响
作者:
Eun Jeong Kim
;
Jin Yul Lee
;
Sang Deok Kim
;
Han Sang Song
;
Seung Jin Yeom
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
12.
Wet Chemical Etching Behavior Investigation For CMOS Shallow Trench Isolation (STI) Shape Control
机译:
CMOS浅沟槽隔离(STI)形状控制的湿化学腐蚀行为研究
作者:
Hsin Tai
;
P.C. Chang
;
H. W. Ho
;
H. Y. Liao
;
M. C. Lu
;
T. H. Ying
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
13.
High-K Metal-Gate Nanowire Junctionless FinFET with Nickel Silicide by Microwave Annealing
机译:
微波退火硅化镍的高k金属栅极纳米线无结FinFET
作者:
Wan-Ting Tsai
;
Yu-Hsien Lin
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
14.
Crystallinity Evaluation of Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Using UV/Visible Raman Spectroscopy
机译:
紫外/可见拉曼光谱法评价低温多晶硅薄膜的结晶度
作者:
R. Yokogawa
;
K. Takahashi
;
K. Komori
;
Y. Hirota
;
N. Sawamoto
;
A. Ogura
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
15.
High Performance Tri-gate Germanium-on-insulator Based Junctionless Nanowire Transistors
机译:
基于高性能三栅极绝缘体上锗的无结纳米线晶体管
作者:
Chuanchuan Sun
;
Renrong Liang
;
Jing Wang
;
Jun Xu
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
16.
Hot-Wire Chemical Vapour Deposition for Silicon Nitride Waveguides
机译:
氮化硅波导的热线化学气相沉积
作者:
T. Dominguez Bucio
;
A. Tarazona
;
A. Z. Khokhar
;
G. Z. Mashanovich
;
F. Y. Gardes
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
17.
Rapid In-Situ Carbon and Oxygen Cleaning of ln_0.53Ga_0.47As(001) and Si_0.5Ge_0.5(110) Surfaces via a H_2 RF Downstream Plasma
机译:
通过H_2 RF下游等离子体对ln_0.53Ga_0.47As(001)和Si_0.5Ge_0.5(110)表面进行快速原位碳和氧清洁
作者:
S. Wolf
;
M. Edmonds
;
X. Jiang
;
R. Droopad
;
N. Yoshida
;
L. Dong
;
R. Galatage
;
S. Siddiqui
;
B. Sahu
;
A. Kummel
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
18.
CMOS Compatible High Performance ⅢⅤ Devices: Opportunities and Challenges
机译:
CMOS兼容的高性能ⅢⅤ器件:机遇与挑战
作者:
Y. Sun
;
K. T. Shiu
;
C. W. Cheng
;
A. Majumdar
;
R. Bruce
;
J. B. Yau
;
D. Farmer
;
Y. Zhu
;
M. Hopstaken
;
M. M. Frank
;
T. Ando
;
K. T. Lee
;
J. Rozen
;
D. K. Sadana
;
V. Narayanan
;
R. T. Mo
;
E. Leobandung
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
19.
Study of Electrostatics and Transport Properties of Multigate Graded Nanowire Channel MOSFETs
机译:
多栅极梯度纳米线沟道MOSFET的静电学和输运性能研究
作者:
Quazi D. M. Khosru
;
Saeed Uz Zaman Khan
;
Kanak Datta
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
20.
Preface
机译:
前言
作者:
F. Roozeboom
;
V. Narayanan
;
K. Kakushima
;
P. J. Timans
;
E. P. Gusev
;
Z. Karim
;
S. DeGendt
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
21.
Challenges of 10 nm and 7 nm CMOS for Server and Mobile Applications
机译:
服务器和移动应用面临的10 nm和7 nm CMOS挑战
作者:
R. Divakaruni
;
V. Narayanan
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
22.
Introduction of a High Selectivity Etching Process with Advanced SiN_x Etch Gas in the Fabrication of FinFET Structures
机译:
在FinFET结构的制造中采用先进的SiN_x刻蚀气体引入高选择性刻蚀工艺
作者:
T. Kojiri
;
T. Suwa
;
K. Hashimoto
;
A. Teramoto
;
R. Kuroda
;
S. Sugawa
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
23.
Evaluation of Stacked Nanowires Transistors for CMOS: Performance and Technology Opportunities
机译:
CMOS堆叠纳米线晶体管的评估:性能和技术机会
作者:
L. Gaben
;
S. Barraud
;
M.-P. Samson
;
M.-A. Jaud
;
S. Martinie
;
O. Rozeau
;
J. Lacord
;
C. Arvet
;
C. Vizioz
;
J. Bustoss
;
J.-A. Dallery
;
S. Pauliac
;
V. Balan
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C. Euvrard
;
C. Perrot
;
V. Loup
;
P. Besson
;
J.-M. Hartmann
;
S. Monfray
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
;
F. Balestra
;
M. Vinet
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
24.
Intrinsic Reliability Assessment of 650V Rated AlGaN/GaN Based Power Devices : An Industry Perspective
机译:
650V额定AlGaN / GaN基功率器件的本征可靠性评估:行业观点
作者:
P. Moens
;
A. Banerjee
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A. Constant
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P. Coppens
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M. Caesar
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Z. Li
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S. Vandeweghe
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F. Declercq
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B. Padmanabhan
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W. Jeon
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A. Salih
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S. Dalcanale
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A. Tajalli
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G. Meneghesso
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E. Zanoni
;
M. J. Uren
;
I. Chatterjee
;
S. Karboyan
;
M. Kuball
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
25.
Low Leakage Current Al_2O_3 Metal-Insulator-Mctal Capacitors Formed by Atomic Layer Deposition at Optimized Process Temperature and O_2 Post Deposition Annealing
机译:
在最佳工艺温度和O_2后沉积退火条件下通过原子层沉积形成的低漏电流Al_2O_3金属-绝缘体-金属电容器
作者:
Y. Koda
;
H. Sugita
;
T. Suwa
;
R. Kuroda
;
T. Goto
;
A. Teramoto
;
S. Sugawa
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
26.
Formation of Low-Resistivity Metal/Germanium Contact with Ultra-Thin Interlayer and Plasma Oxidation for n-channel Germanium FET
机译:
n沟道锗FET的超薄中间层低电阻金属/锗接触的形成和等离子体氧化
作者:
Gwang-Sik Kim
;
Seung-Hwan Kim
;
June Park
;
Sun-Woo Kim
;
Hyun-Yong Yu
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
27.
Height Uniformity of Micro-Bumps Electroplated on Thin Cu Seed Layers
机译:
电镀在薄铜籽晶层上的微凸块的高度均匀性
作者:
L. Yang
;
John Slabbekoorn
;
MiaHonore
;
Karen Stiers
;
Herbert Struyf
;
Philippe M. Vereecken
;
Aleksandar Radisic
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
28.
Graphene Plane Electrode for Low Power 3D Resistive Random Access Memory
机译:
用于低功耗3D电阻随机存取存储器的石墨烯平面电极
作者:
Seunghyun Lee
;
Joon Sohn
;
Zizhen Jiang
;
Hong-Yu Chen
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
29.
Ⅲ-Ⅴ / Si Integration for Photonics
机译:
Ⅲ-Ⅴ/ Si集成的光子学
作者:
J.P. Reithmaier
;
M. Benyoucef
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
30.
Simulation of the Germanium-Tin Tunneling Field-Effect Transistors with a Ge Cap Layer: Improved Subthreshold Swing and I_on/I_off Ratio
机译:
Ge盖层的锗锡隧穿场效应晶体管的仿真:改进的亚阈值摆幅和I_on / I_off比
作者:
Lei Liu
;
Renrong Liang
;
Jing Wang
;
Jun Xu
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
31.
Comprehensive Characterization of Dual Implanted Silicon after Electrical Activation Annealing
机译:
电活化退火后双注入硅的综合表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Bong Suk Jeon
;
Sang Deok Kim
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
32.
High Dopant Activation and Diffusion Suppression of Phosphorus in Ge Crystal with High-temperature Implantation by Two-step Microwave Annealing
机译:
两步微波退火法高温注入锗晶体中的高掺杂活化和扩散抑制磷。
作者:
T.L. Shih
;
W. H. Lee
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
33.
Analysis of the Retention Characteristic in Three dimensional Junction-less Charge Trapping Memory
机译:
三维无结电荷陷阱存储的保留特性分析
作者:
Dandan Jiang
;
Zhiliang Xia
;
Lei Jin
;
Xingqi Zou
;
Yu Zhang
;
Zhaoyun Tang
;
Xinkai Li
;
Zongliang Huo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
|
2016年
34.
Novel Oxidants and Sources of Nitrogen for Atomic Layer Deposition
机译:
用于原子层沉积的新型氧化剂和氮源
作者:
D. Alvarez Jr.
;
J. Spiegelman
;
E. Heinlein
;
R. Holmes
;
C. Ramos
;
M. Leo
;
S. Webb
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
35.
Fabrication of Graphene/Porous Silicon Nitride Material for Field-Effect Transistors
机译:
用于场效应晶体管的石墨烯/氮化硅多孔材料的制备
作者:
Daohan Ge
;
Dongliang Qian
;
Guanggui Chen
;
Liqiang Zhang
;
Naifei Ren
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
36.
Transistors, Integrated Circuits and Nano-Technology: A Historical Review
机译:
晶体管,集成电路与纳米技术的历史回顾
作者:
Howard R. Huff
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
37.
Effect of Post Plasma Oxidation on Ge Gate Stacks Interface Formation
机译:
后等离子体氧化对锗栅堆叠界面形成的影响
作者:
S. Mukhopadhyay
;
S. Mitra
;
Y.M. Ding
;
K.L. Ganapathi
;
D. Misra
;
N. Bhat
;
K. Tapily
;
R. D. Clark
;
S. Consiglio
;
C. S. Wajda
;
G. J. Leusink
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
38.
Source/Drain Contact Resistance Reduction through Al-doped ZnO Interlayer to Metal-Interlayer-GaAs Contact Structure
机译:
通过铝掺杂的ZnO中间层到金属中间层-GaAs接触结构的源/漏接触电阻降低
作者:
Seung-Hwan Kim
;
Gwang-Sik Kim
;
Sun-Woo Kim
;
Hyun-Yong Yu
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
39.
Determination of Antiphase Domain Boundary Annihilation Rate in GaAs on Si(001) and the Influence of MOCVD Growth Temperature
机译:
Si(001)上GaAs的相畴边界An灭率的确定以及MOCVD生长温度的影响
作者:
C. S. C. Barrett
;
T. P. Martin
;
X.-Y. Bao
;
P. Martin
;
E. Sanchez
;
K. S. Jones
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 6》
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2016年
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