【24h】

Height Uniformity of Micro-Bumps Electroplated on Thin Cu Seed Layers

机译:电镀在薄铜籽晶层上的微凸块的高度均匀性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

In this study a quick and cost-effective approach is developed to evaluate the micro-bump height uniformity on wafer level. Our numerical simulation of bump-height distribution uses experimentally measured i-η curve, and requires no explicit knowledge of the plating bath components. Theoretical predictions are well matched with results obtained for Cu micro-bumps plated on 300 mm wafers with Cu seeds of varying thickness. The method can be easily adapted to address the challenges of fabrication of multi-layered features and different cell and electrode geometries.
机译:在这项研究中,开发了一种快速且经济高效的方法来评估晶圆级微凸块高度的均匀性。我们的凸点高度分布的数值模拟使用实验测得的i-η曲线,不需要明确了解镀浴成分。理论预测与镀在300 mm晶圆上的Cu微凸块具有不同厚度的Cu晶种的结果非常吻合。该方法可以容易地适用于解决多层特征的制造以及不同的电池和电极几何形状的挑战。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号