机译:通过牺牲氧化物层的湿法刻蚀消除p型GaN中的干法刻蚀损伤
Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 305-350, Korea;
机译:无损坏的衬底去除技术:通过掺入UN / LAYIPLY牺牲层单量子阱掺入Semipolar(2021)激光结构的湿式嵌入蚀刻
机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:通过湿法刻蚀牺牲AlInN层制成的高反射率GaN /空气垂直分布布拉格反射器
机译:湿法HF蚀刻和气相HF蚀刻去除牺牲氧化物的比较
机译:干湿GaN蚀刻优化形成高纵横比纳米线
机译:等离子体电子通量对InGaN / GaN发光二极管p-GaN上超薄锡掺杂氧化铟接触层的无损溅射溅射的影响
机译:湿法蚀刻观察外延横向过度覆盖GaN中的位错蚀刻坑
机译:GaN肖特基二极管中干蚀刻损伤的深度和热稳定性;应用物理快报