法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20180828
实质审查的生效
2019-01-08
公开
公开
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译: 利用p型GaN层的制造方法的p型GaN层的制造方法及半导体装置的制造方法