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插图索引
1.3.2 表面粗糙化
3.2.1 实验试剂和仪器
周永琪;
西安电子科技大学;
机译:通过双Al组成梯度最后量子屏障和P型孔供应层增加GaN基紫外发光二极管的载流子注入效率
机译:通过紫外线辅助电化学刻蚀的GaN基LED的光致发光特性
机译:通过直接湿法刻蚀铟锡氧化物层提高GaN基发光二极管的效率
机译:具有高光提取效率的GaN基LED在p型GaN表面上的纳米结构的设计和制造
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:在重掺杂mg的p型GaN中选择性激发蓝色发光
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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