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刘瑞丰; 郑俊哲;
东北微电子研究所;
沈阳;
110032;
沈阳工程学院电力系;
110136;
凸点; 回流; 多层金属化; 刻蚀; UBM;
机译:高纵横比干法硅刻蚀的乳胶球光刻技术研究
机译:铝基超疏水表面的HS-WEDM及化学刻蚀技术研究
机译:利用热分析和刻蚀技术研究S和Al对灰铸铁中奥氏体生长形态的影响
机译:在MCM-D的高频多层金属化中的应用,将TEFLON AF1601的处理作为电介质。
机译:1. MCM-41和MCM-48中硅烷醇基团的起源,表征和反应性。 2.半导体包含在MCM-41,MCM-48和HY沸石的孔中。
机译:冷冻刻蚀和冷冻断裂技术研究小鼠乳腺肿瘤病毒的包膜
机译:离子束刻蚀微细加工技术研究
机译:反应离子刻蚀和溅射刻蚀诱导Gaas表面损伤
机译:各向异性反应离子刻蚀处理的图形和由此产生的密集多层金属化集成电路
机译:各向异性反应离子刻蚀沉积的图形及由此设计的高密度多层金属化集成电路
机译:多层金属化物的生产方法,多层金属化物及多层金属化物的应用
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