碳化硅肖特基器件多层金属化技术研究

摘要

碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等优点,是制备大功率、高温、高频器件的理想材料.欧姆接触的实现是碳化硅器件制造工艺的关键.为保证欧姆接触的低接触电阻和高稳定性,基于对碳化硅材料金属化技术的理论分析,进行大量工艺实验,调整工艺参数,并进一步探索多层金属化电极的工艺技术,得出较为理想的工艺条件,为碳化硅材料金属化工艺及相关器件技术的进一步研究打下良好基础.