肖特基

摘要： 碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等优点,是制备大功率、高温、高频器件的理想材料.欧姆接触的实现是碳化硅器件制造工艺的关键.为保证欧姆接触的低接触电阻和高稳定性,基于对碳化硅材料金属化技术的理论分析,进行大量工艺实验,调整工艺参数,并进一步探索多层金属化电极的工艺技术,得出较为理想的工艺条件,为碳化硅材料金属化工艺及相关器件技术的进一步研究打下良好基础.

摘要： 研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器.单路倍频器电路具有33％的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6％.另外,采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器.该功率合成式倍频器在两只127μm厚的ALN基片上焊接了四个分立的肖特基二极管.在800 mW的驱动功率下,两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率,证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率.

摘要： 本文提供了开关电源应用中肖特基二极管的银迁移失效案例,阐述了在插件封装半导体器件中的银迁移失效机理,并给出分析方法和预防措施。

摘要： 针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析.测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3～0.5μm下响应率大于0.2 A/W,对3～5μm红外波长的平均透过率大于80％,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求.

摘要： 本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga2O3晶体质量的影响.

摘要： 金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注.文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述.首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两种类型.紧接着,介绍了MSM-PDs具体的工作原理,除了常见的光电导型及肖特基型工作原理,还介绍了以金属作为吸光层的热载流子光电探测器的工作原理.随后,详细介绍了以GaAs、InGaAs、Si/Ge等无机材料作为半导体层的MSM-PDs在过去所取得的研究进展.此外,还介绍了利用金属微纳结构拓展较宽带隙半导体材料MSM-PDs在红外波段响应特性的研究进展.最后,总结全文并对MSM-PDs未来的发展做出了展望.

摘要： 为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个器件的性能.基于理论分析,探索表面晶向与掺杂浓度、氧化速率等参数的影响.通过在不同工艺条件下进行工艺实验,确立干-湿-干氧化条件及工艺,形成优化方案,确保得到优质氧化层.经实际检验,该方案可有效调控氧化速率,从而得到均匀、致密的氧化层以及优异的界面态密度,提升了碳化硅肖特基器件的成品率和可靠性,对碳化硅肖特基二极管的加工制备技术有重要的参考意义.

摘要： 黄山芯微电子股份有限公司(原安徽省祁门县黄山电器有限责任公司),创建于1990年,专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,主要产品为功率二极管、可控硅、FRD、肖特基及MOSFET芯片和器件。公司已经成为目前国内为数不多的以IDM模式为主要发展模式的首批国家级高新技术企业、安徽省重点电子信息企业、安徽省技术创新示范企业,特别是大功率晶闸管方片芯片国内首家实现国产化。

摘要： 本文以光伏行业的现状为背景，对光伏组件的供应链以及供应链中的接线盒进行介绍，并以供应链上游的肖特基晶圆制造企业为例，分析了光伏组件供应链的几种分险，并提出了应对建议。

摘要： 本文制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向电流-电压曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91伏,短路电流密度为7 mA/cm2,填充因子为O.45,功率转换效率为0.95%。

摘要： 碳化硅(SiC)以其优异的特性正成为新材料、微电子和光电子领域的研究热点。SiC材料制备技术和器件各项关键工艺的迅速发展,以及SiC二极管商品的面世,都要求器件制作的稳定性和影响器件的性能的理论研究能够适应发展的需要。主要从影响SiC肖特基接触性能的因素(离子辐射、热处理和缺陷等)及其机理的角度出发,综述国内外在此方面的研究现状。

摘要： 本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR)的结构、机理和参数特性.这两种器件正向压降低,温度特性好,与传统肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,可在不牺牲温度特性的前提下,实现更低的正向压降与更高的整机转换效率。

摘要： 在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。结果发现我们计算所得的AlGaN势垒层的介电常数不同与之前所报道的结果。

摘要： 本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。rn 在2V正向偏压下,器件对于低至200ppm的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO浓度的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。我们对器件在不同浓度CO下的灵敏度与外加偏压的关系也做了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO浓度的升高血增大。当CO气体撤销时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。

摘要： 在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au和Ti/AI／Ni／Au形成，器件的电学性质和光谱响应被研究.研究结果表明，Au与Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，其势垒高度为0.83eV，探测器的响应波长从250nm到290nm，峰值响应率约为0.081A／W。

摘要： MSM是紫外探测器的一种很有吸引力的结构。回顾了近年来GaN和A1GaN的MSM结构紫外探测器的研究进展，介绍了目前先进的AIGaN材料体系MSM紫外探测器的性能和结构等，综述了目前存在的问题和改进的方向。

摘要： MSM是紫外探测器的一种很有吸引力的结构。回顾了近年来GaN和A1GaN的MSM结构紫外探测器的研究进展，介绍了目前先进的AIGaN材料体系MSM紫外探测器的性能和结构等，综述了目前存在的问题和改进的方向。

摘要： MSM是紫外探测器的一种很有吸引力的结构。回顾了近年来GaN和A1GaN的MSM结构紫外探测器的研究进展，介绍了目前先进的AIGaN材料体系MSM紫外探测器的性能和结构等，综述了目前存在的问题和改进的方向。

摘要： 一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

摘要： 肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法，一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

摘要： 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。

摘要： 一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

摘要： 肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法，一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

摘要： 本申请涉及一种沟槽式肖特基二极管及沟槽式肖特基二极管的制备方法，其中，沟槽式肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、第一势垒层、第一金属层、第二金属层以及填充结构，第一氧化层，设置于外延层的表面且位于第二区域；第一势垒层，设置于外延层的表面且位于第一区域；第一金属层，设置于第一氧化层远离外延层的一面；第二金属层，设置于第一势垒层远离外延层的一面；填充结构，设置于第一环形凹槽的槽内。该沟槽式肖特基二极管通过在外延层设置第一环形凹槽，并在第一环形槽内设置有填充结构，在不需要使用硼源以及不增加正向导通电压的基础上，提高了反向击穿电压，降低了生产成本。

摘要： 本申请涉及一种肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法，其中，肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、势垒层、第一金属层以及第二金属层，其中，外延层设置有PN结，PN结沿外延层厚度方向将外延层划分为P区和N区，外延层还设置有环形凹槽，环形凹槽的开口端设置于P区；第一氧化层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形外；势垒层设置于P区远离N区的一面，且位于环形凹槽的环形内；第一金属层设置于第一氧化层远离外延层的一面；第二金属层设置于势垒层远离外延层的一面；填充结构设置于环形凹槽的凹槽内。本申请通过PN结以及环形凹槽的设置，进一步提高了反向击穿电压，同时可有效降低反向漏电电流，提高高温反向偏压的可靠性。

摘要： 本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出的氧化镓沟道层进行多个预设温度下的退火处理，得到氧化层；在氧化层上制备第一光刻图形；在第一光刻图形上生长P型介质层，并且去除掩膜层；在衬底的下表面制备阴极电极并在P型介质层和氧化镓沟道层远离衬底的一侧制备阳极电极，通过先热氧化再沉积P型介质的方法制备氧化镓肖特基二极管，能够使二极管注入稳定的P型介质，有效抑制大功率器件的浪涌电流，增加器件击穿电压和可靠性。

摘要： 本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面依次生长氧化镓外延层、氧化镍层、介质层；基于预设斜面图形对介质层进行刻蚀处理，直至露出氧化镍层，得到梯形状斜面结构；在氧化镍层的上表面和梯形状斜面结构的内侧制备阳极；在衬底的下表面制备阴极，通过上述方法制备的氧化镓肖特基二极管，其梯形状斜面结构可以调制器件沟道的电场分布，使耗尽区沿着场板方向向外扩展，显著增大了肖特基结边缘处的曲率，缓解了肖特基结边缘处的电场集中效应。采用该方法制备的氧化镓肖特基二极管，可有效降低峰值电场，降低器件漏电，提高器件击穿电压。

摘要： 本发明提供了一种GaN肖特基二极管的制备方法及GaN肖特基二极管，包括：提供GaN单晶衬底，并在GaN单晶衬底上形成n型GaN漂移层；对n型GaN漂移层的远离GaN单晶衬底侧进行刻蚀得到具有沟槽的第一器件；形成填充于第一器件的沟槽内的金刚石膜层，得到具有金刚石终端结构的第二器件；在对第二器件进行预处理之后，于第二器件的两侧分别形成欧姆电极层和肖特基电极层得到GaN肖特基二极管。相比较于现有技术中离子注入、场板结构以及金属保护环等终端结构，具有金刚石终端结构的GaN肖特基二极管不仅可以有效的提高半导体器件的耐压、降低峰值电场，降低半导体器件的反向漏电，还可以有效的给半导体器件散热；同时，制备方法较为简单，降低生产成本。