碳化硅肖特基器件的氧化退火技术研究

摘要

为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个器件的性能.基于理论分析,探索表面晶向与掺杂浓度、氧化速率等参数的影响.通过在不同工艺条件下进行工艺实验,确立干-湿-干氧化条件及工艺,形成优化方案,确保得到优质氧化层.经实际检验,该方案可有效调控氧化速率,从而得到均匀、致密的氧化层以及优异的界面态密度,提升了碳化硅肖特基器件的成品率和可靠性,对碳化硅肖特基二极管的加工制备技术有重要的参考意义.