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赵欢; 蒲小平; 张越强;
中国电子科技集团公司第四十七研究所 沈阳110032;
空军装备部 北京100843;
碳化硅; 二极管; 刻蚀; 肖特基; 半导体; 电子器件;
机译:通过测量肖特基二极管的电容来评估等离子刻蚀对p型GaN的影响(先进半导体器件的第15条基础和应用)
机译:刻蚀碳化硅,用于器件制造和通孔形成
机译:碳化硅肖特基:新型器件需要新颖的设计规则
机译:结晶碳化硅的反应离子刻蚀和碳化硅器件的制造。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:碳化硅固相相互作用的特异性在碳化硅与半导体器件的扩散焊接触点制造中的特异性
机译:碳化硅薄膜反应离子刻蚀机理。
机译:包括用于碳化硅肖特基器件的包括该碳化硅器件和外延边缘终端的碳化硅器件的制造方法
机译:半导体器件肖特基二极管,具有在n型碳化硅衬底上形成的肖特基电极,该肖特基电极电连接到P型阱区域上方的键合线
机译:碳化硅肖特基器件的表观边缘终止和制造含硅碳化硅器件的方法
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