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机译:直接在不同沟道取向的绝缘子(SC-SSOI)PMOS上的超临界应变硅进行单轴-双轴应力杂交
Thean A.V.-Y.; Prabhu L.; Vartanian V.; Ramon M.; Nguyen B.-Y.; White T.; Collard H.; Xie Q.-H.; Murphy S.; Cheek J.; Venkatesan S.; Mogab J.; Chang C.H.; Chiu Y.H.; Tuan H.C.; See Y.C.; Liang M.S.; Sun Y.C.;
机译:绝缘体(sc-ssoi)基板上超临界厚度应变硅的评估
机译:应变硅厚度小于5 nm的绝缘体上直接在应变硅中的UTB MOSFET中的空穴传输
机译:超临界应变SOI(SC-SSOI)上制造的多栅极器件的应力杂交
机译:不同渠道取向直接对绝缘子(SC-SSOI)PMOS的超临时应力-SI的单轴 - 双轴应力杂交
机译:应变硅直接应变(ssOI)绝缘子上的应力处理
机译:具有应力沟道NMOS晶体管和应变沟道PMOS晶体管的CMOS器件的形成方法
机译:具有应力通道NMOS晶体管和应变通道PMOS晶体管的CMOS器件的形成方法
机译:具有混合晶体取向和不同应力水平的应变硅直接绝缘体衬底
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