机译:应变硅厚度小于5 nm的绝缘体上直接在应变硅中的UTB MOSFET中的空穴传输
Mobility; MOSFETs; Silicon-on-insulator (SOI); Strained-silicon (Si); Strained-silicon directly on insulator (SSDOI); Ultrathin body (UTB);
机译:绝缘硅和绝缘硅/ MOSFET上的应变硅和传输硅的传输特性的仿真和建模
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:具有高K /金属栅极的高空穴迁移率应变P-MOSFET:应变硅电容厚度的作用
机译:应变硅/绝缘体上硅锗(应变SOI)MOSFET的沟道结构设计,制造和载流子传输特性
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:磁控溅射生长的拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜中取决于厚度的传输通道
机译:使用硅锗应变松弛缓冲器的厚度作为设计参数,改善了应变硅MOSFET的模拟性能