HBT

摘要： 随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切。在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分。为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器。通过分析CML锁存器工作原理与性能,设计了优化参数的集合与门的CML结构D触发器、双路选择器、逻辑或门结构,并基于该D触发器、选择器、或门设计了除8/9、16/17前置分频器。前置分频器使用0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片并测试,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,分频器工作频率可达20 MHz~8 GHz,带宽约8 GHz,功耗6.6 mW。与其他设计相比,设计的分频器功耗低同时还具有较高的工作频率和大的带宽。

摘要： 基于SANAN的HBT工艺,设计了一种用于5G通信频段中4.5～5.0 GHz(N79)的手机功率放大器芯片.该功率放大器的放大电路采用三级放大结构,可获得较高增益;为提高输出功率和优化回波损耗,第二级放大电路与第三级放大电路的级间使用变压器网络进行匹配,将第二级放大电路的一路输出信号转为两路差分信号输出;采用功率合成技术,基板上变压器将第三级的两路差分信号合成为一路信号.该功率放大器采用自适应有源偏置电路技术和双偏置电路技术,能有效提高输出功率的线性度和静态工作点的稳定性.仿真结果表明,在整个N79工作频段内,该功率放大器的回波损耗小于-10 dB,增益为33～34 dBm,输出功率1 dB压缩点为37 dBm,在输出功率为1 dB压缩点处的最高功率附加效率为45％.该功率放大器能得到较高的增益、输出功率和功率附加效率.

摘要： An improved small-signal equivalent circuit of HBT concerning the AC current crowding effect is proposed in this paper. AC current crowding effect is modeled as a parallel RC circuit composed of Cbi and Rbi, with distributed base-collector junction capacitance also taken into account. The intrinsic portion is taken as a whole and extracted directly from the measured Sparameters in the whole frequency range of operation without any special test structures. An HBT device with a 2 × 20 μm^(2) emitter-area under three different biases were used to demonstrate the extraction and verify the accuracy of the equivalent circuit.

摘要： 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo，Inc．近日宣布，Qorvo前端功率放大器（PA）将用于高通子公司QualcommTechnologies，Inc．的高通蜂窝车联网（C—V2X）参考设计。Qorvo新型GaAsHBTPA是唯一一款支持C—V2X的功率放大器，旨在增强行车安全意识，改进驾驶辅助功能。

摘要： Triclosan is an antimicrobial agent that is extensively used in various consumer care products. It entered the aquatic environment, mainly through municipal and industrial effluents, which acted by hindering one of the highly conserved enzymes of bacterial fatty-acid biosynthesis. It was noted that laccase could catalyze one-electron oxidation of phenolic pollutants into radical intermediates, and subsequently coupled to each other via the covalent binding. In this study, the transformation of triclosan in aqueoussolution was investigated by laccase-mediated enzyme-catalyzed oxidative coupling reactions (E-COCRs) in the absence and presence of 1-hydroxybenzotriazole (HBT, a redox mediator). The transformation products of triclosan were identified using high-resolution mass spectrometry (HRMS), and the transformation mechanism of triclosan was also proposed. Results indicated that laccase fromPleurotus ostreatus was effective in removing triclosan, and the presence of HBT significantly improved triclosan removal. The reactions followed the apparent pseudo first-order kinetics during 0～4h incubation (R2≥0.9465), the rate constant (k) values were respectively 0.43 and 0.95/h in the absence and presence of HBT, and the removal half-life (T1/2) values were 1.60 and 0.73h, respectively. The oligomerization (dimers, trimers and tetramers) of triclosan was identified as the dominant reaction pathway by laccase without HBT present, whereas the ether cleavage led to triclosan decomposition (2,4-dichlorophenol and 3-chlorophenol) in the presence of HBT was the predominant pathway. These findings presented in this study provide a novel insight into the fate and transformation of triclosan by laccase-mediated E-COCRs in aquatic environment in the absence and presence of HBT.%探讨了氧化还原介质(HBT)对漆酶调控水体中三氯生转化的影响,并利用高分辨质谱鉴定了其转化产物,综合地阐明了漆酶催化氧化水溶液中三氯生转化的作用机理.结果表明,平菇Pleurotus ostreatus分泌的胞外漆酶能够有效地去除水溶液中的三氯生,添加HBT显著地促进了漆酶对三氯生的去除效率.反应前期(0～4h),三氯生的转化符合表观假一级动力学方程(R2≥0.9465);在缺乏或存在HBT条件下,三氯生的转化速率常数(k)分别为0.43和0.95/h,半衰期(T1/2)分别为1.60和0.73h.缺乏HBT的反应体系中,漆酶催化氧化三氯生转化的主要机制是通过自由基介导的耦合反应形成低聚物,如二聚体、三聚体和四聚体等;而存在HBT的反应系统中,三氯生转化的主要途径是通过醚键断裂生成2,4-二氯苯酚和3-氯苯酚.该研究结果有利于评估氧化还原介质对漆酶催化氧化抗菌剂在环境中转化过程的影响及机理.

摘要： 功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器.提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益,同时通过优化有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率和效率.仿真结果显示,在4V的供电电压下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB压缩点输出功率为17.8 dBm,功率增益为19.0 dB,功率附加效率为32.3％,功耗为252 mW.

摘要： 经过一年来的努力，基本按时完成了预定的各项研究任务。（1）完成了单次曝光高光谱强度关联光谱成像光学设计理论及实验验证，获得了系统空间分辨率、光谱分辨率及信噪比之间的相互制约关系。完成了基于最临近插值法和双线性插值法的测量矩阵标定方法的建立，建立了自动化标定系统。初步完成了系统测量矩阵的优化设计，加工得到了部分满足设计指标的空间随机相位调制器样件。完成了单次曝光高光谱强度关联成像试验样机光机设计。（2）研制出一台单光子强度关联光谱相机，并开展了2公里的野外成像，采用了互补测量的方法，优化了压缩感知算法，获得了高质量的图像输出。旨在用单光子点探测替代单光子面阵探测器完成单光子级别的超灵敏遥感光谱成像。（3）在理论上创新的提出了通过预先对光谱通道阵列进行更加精细定标的方式，然后引入光谱重构算法，如吉洪诺夫正则化（Tikhonov regularization）算法进行求解，可以在不牺牲其他性能指标或者不增加硬件成本的条件下有效的改善传统分光技术的光谱分辨率。在实验方面，引入了微反射镜（DMD）作为光谱通道选择器，设计了相关的样机系统，验证了理论算法的可靠性和正确性，当对每个光谱通道预先进行更加精细的光谱定标时，系统的光谱分辨率得到了有效的提高。（4）开展了热光信号参量放大的实验和实际物体的光参量图像放大实验研究，完成了热光参量放大闲置光和种子光的关联成像实验，搭建近红外波段光参量放大实验光路，开展了近红外脉冲放大关联成像实验。（5）搭建了无透镜关联成像装置，对太阳光进行了滤波，得到了带宽很窄的太阳光。演示了太阳光的HBT实验，并且在HBT实验的基础上做了一维物体的太阳光关联成像实验。最后我们对实验结果进行了系统的分析，初步得到了太阳光关联成像对比度低的原因，并提出了改进措施。（6）在强度关联图像质量要素表征及评价方法研究方面，本年度主要完成了不同空间和光谱结构及稀疏度的仿真场景构建方法研究；完成了影响被动光学关联成像质量因素分析；初步开展了被动光学高光谱强度关联图像质量评价方法研究；为下一年度的研究工作奠定了基础。初步完成三维图像快速重构算法，和基于梯度投影原理的GPSR_BB算法进行了结果比对，在相同采样率的情况下，图像信噪比得到了很大的提高。在采样率较低的情况下，图像质量提升更加明显，为此可以有效地降低采样次数。%The task of the program has been fulfilled from time to time under one year hard work of our research team. (1). The optical design and experimental verification of single shot hyperspectra ghost imaging has been completed. The mutual restriction relation of space resolution, spectrum resolution and signal to noise ratio has been studied. The standardization of measure matrix has been completed. The optomechanical design of prototype of single shot hyperspectra ghost imaging has been completed. (2).A single photon intensity correlation spectrum camera has been developed. The experiment aims to accomplish the single photon level ultra-sensitive remote sense spectrum imaging with single photon point detector instead of single photon area-array detector. (3).In the theory, the pre-calibration of the spectrum channel array with more precise has been presented, this way can improve spectrum resolution of traditional optical technology without sacrificing any performance or adding any hardware cost. In the experiment, the DMD has been chosen as the spectrum channel selector. The spectrum resolution of system can be effective improved when every spectrum channel is demarcated with high precision. (4).The experiment of thermallight parametric amplification and the experiment research of optical parameter amplification has been started. The correlation of thermal light parameter amplification and seed light has been completed, the optical parametric amplification in near-infrared has been set up and we start the near-infrared pulse amplification correlation imaging experiment. (5).The lensless correlation imaging has set up and HBT experiment of sun light has been demonstrated. The experiment result has been analyzed and we get the reason that sunlight has low contrast during imaging and give some advice to improve it. (6).Our team has studied the spectrum structure in different space and simulation method this year in the representation and evaluation of reconstructed image from ghost imaging. We get better signal to noise ratio under the same sampling rate compared to the GPSR_BB algorithm. When the sampling rate is low, the quality of image can be improved obviously using our algorithm, this can reduce our sampling rate effectively. In conclusion, the program is going well under the hard work of the whole team.

摘要： 漆酶是一种含铜氧化还原酶,作用底物广.壬基酚是一种人工合成雌激素,具有持久性以及生物蓄积性,进入到环境中会对人类和动物造成生殖免疫系统的破坏.在研究中,使用漆酶降解壬基酚,使用高效液相色谱法检测壬基酚.通过研究,漆酶在pH 4.0,温度为35°C条件下降解壬基酚2h后,降解率达到90％左右的,表明了漆酶对壬基酚具有较好的降解作用.当加入0.3 mg/L HBT时,降解率明显提高,几乎全部降解,说明HBT能够提高降解速率.

摘要： By using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD), the high strained, Ge-graded SiGe film growth has been realized. The film was used as a base of the HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed in 0.35 μm SiGe BiCMOS process technology, and made the device give good DC characteristics (β > 100) and high-frequency performance (fT = 67 GHz), thus meeting the requirements for technical specifications in 0.35 μm SiGe BiCMOS process technology.

摘要： 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

摘要： 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

摘要： 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

摘要： 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

摘要： 本文主要介绍了异质结双级晶体管(HBT)的器件结构和达林顿电路,并且通过计算和优化证明了:只要确定最佳的器件尺寸以及选择合适的偏置点便可在较宽的频带内使微波集成放大器达到理想的噪声性能.最后给出了优化结果:在DC-3GHz频带内,增益≥35dB,噪声系数≤1.75,输入、输出的驻波比≤1.4,3dB带宽≥2.8GHz.

摘要： 本文主要介绍了异质结双级晶体管(HBT)的器件结构和达林顿电路,并且通过计算和优化证明了:只要确定最佳的器件尺寸以及选择合适的偏置点便可在较宽的频带内使微波集成放大器达到理想的噪声性能.最后给出了优化结果:在DC-3GHz频带内,增益≥35dB,噪声系数≤1.75,输入、输出的驻波比≤1.4,3dB带宽≥2.8GHz.

摘要： 本文主要介绍了异质结双级晶体管(HBT)的器件结构和达林顿电路,并且通过计算和优化证明了:只要确定最佳的器件尺寸以及选择合适的偏置点便可在较宽的频带内使微波集成放大器达到理想的噪声性能.最后给出了优化结果:在DC-3GHz频带内,增益≥35dB,噪声系数≤1.75,输入、输出的驻波比≤1.4,3dB带宽≥2.8GHz.

摘要： 本文主要介绍了异质结双级晶体管(HBT)的器件结构和达林顿电路,并且通过计算和优化证明了:只要确定最佳的器件尺寸以及选择合适的偏置点便可在较宽的频带内使微波集成放大器达到理想的噪声性能.最后给出了优化结果:在DC-3GHz频带内,增益≥35dB,噪声系数≤1.75,输入、输出的驻波比≤1.4,3dB带宽≥2.8GHz.

摘要： 本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建立了IB的退化模型,并成功地解释了实验现象.

摘要： 本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建立了IB的退化模型,并成功地解释了实验现象.

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT单管结构，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，其底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部的N型外延通过P型离子注入和高温退火转化为P型区；集电极由深槽接触孔和金属引出。本发明还公开了CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC形式的多指结构。本发明深槽接触孔穿过场氧和N型外延至N型埋层中，两个发射极的间距可极大缩小，降低了器件的集电极电阻，以及集电极对基区和集电极对硅基板的结电容；P型离子注入区与器件外的P型离子注入隔离区不连通，降低了基极-集电极介质电容；多指结构可得到最大输出功率及功率增益。

摘要： 本发明公开了一种锗硅功率HBT，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，它的底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂的多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部通过P型离子注入和高温退火，将N型外延转化为P型单晶硅。本发明还公开了锗硅功率HBT多指器件，结构采用CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC的形式。本发明还公开一种硅功率HBT的制造方法。本发明P型离子注入区与器件外面的P型离子注入隔离区不连通，极大地降低基极-集电极介质电容；多指结构可最佳化大输出功率器件的基极和/或集电极电阻，以及基极-集电极结电容，得到最大输出功率及功率增益。

摘要： 本申请提供一种GaAs HBT器件的平台制作方法及GaAs HBT器件，在衬底上形成底层、发射极层、第一接触层、第二接触层及发射极金属层，以发射极金属层为掩膜版，采用第一刻蚀方式对第二接触层的、未被发射极金属层覆盖的区域进行第一次刻蚀并保留预设厚度的第一接触层，再采用第二刻蚀方式对第一次刻蚀后的层级进行刻蚀，在第一接触层、第二接触层的侧面形成缺口，得到发射极平台。利用第二次刻蚀消除残留的第一接触层的边缘，有效制作发射极平台的基础上，可消除第一次刻蚀时产生的金属粉屑。并且，由于第一次刻蚀已对第一接触层、第二接触层进行了一定厚度的刻蚀，后续在从竖直方向、水平方向进行刻蚀时，不易造成较大的底切现象。

摘要： 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT单管结构，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，其底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部的N型外延通过P型离子注入和高温退火转化为P型区；集电极由深槽接触孔和金属引出。本发明还公开了CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC形式的多指结构。本发明深槽接触孔穿过场氧和N型外延至N型埋层中，两个发射极的间距可极大缩小，降低了器件的集电极电阻，以及集电极对基区和集电极对硅基板的结电容；P型离子注入区与器件外的P型离子注入隔离区不连通，降低了基极-集电极介质电容；多指结构可得到最大输出功率及功率增益。

摘要： 本发明公开了一种锗硅功率HBT，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，它的底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂的多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部通过P型离子注入和高温退火，将N型外延转化为P型单晶硅。本发明还公开了锗硅功率HBT多指器件，结构采用CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC的形式。本发明还公开一种硅功率HBT的制造方法。本发明P型离子注入区与器件外面的P型离子注入隔离区不连通，极大地降低基极-集电极介质电容；多指结构可最佳化大输出功率器件的基极和/或集电极电阻，以及基极-集电极结电容，得到最大输出功率及功率增益。

摘要： 本发明公开了一种砷化镓HBT器件集电极台阶自对准的制作方法，本方法包括：步骤一：提供已完成部分器件制作的晶圆结构；步骤二：光刻形成湿法腐蚀发射极外延的图形；步骤三：湿法腐蚀发射极台面，并去除光刻图形；步骤四：光刻形成干法刻蚀基极和上集电极的图形；步骤五：干法刻蚀完基极外延层和部分上集电极外延层，并去除光刻图形；步骤六：光刻形成湿法腐蚀上集电极的图形；步骤七：根据光罩图形和干法刻蚀图形，湿法自对准腐蚀上集电极至自停止层，完成集电极台阶制作。干法刻蚀集电极台阶，可以避免内掏量，有效的减少台面面积，降低寄生电容，提高频率特性和线性度。通过利用倒梯形光罩图形，可以很好的调整图形下面不同位置的干法刻蚀速率，达到刻蚀台阶为斜坡的目的。因为干法刻蚀的各向同性，避免了湿法腐蚀出现的晶向选择，因此可以实现各个方向的金属互联。集电极台阶和隔离台阶通过干法刻蚀达到控制台面面积和斜坡的效果，大大简化了工艺步骤。

摘要： 本发明公开了一种砷化镓HBT器件隔离台面及其制作方法，其步骤如下：准备待进行隔离制作的晶圆结构；采用光刻胶包覆有源区；湿法腐蚀钝化介质层；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀InGaP停止层外延；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀亚集电极层外延，并在亚集电极层外延腐蚀完全后，进一步腐蚀部分衬底，同时继续腐蚀光刻胶下方的亚集电极层外延，使其边部形成斜坡；打胶处理后，湿法腐蚀位于光刻胶下方、斜坡上方的InGaP停止层外延；利用去离子水洗净后，湿法腐蚀位于光刻胶下方、斜坡上方的钝化介质层，完成隔离台面的制作。本发明可以形成沿着GaAs晶向的腐蚀斜坡，在台面上下实现良好的金属互联。

摘要： 本发明提供一种HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重掺杂层和多个场氧化层的衬底；形成集电区；形成第一介质层，所述第一介质层中形成有第一开口；形成基区，并在所述基区生长过程中进行P型离子的在位掺杂；形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述基区表面以形成第二开口以及形成发射区，所述发射区具有N型掺杂；其中，在形成所述基区之后的任意一步骤之前，还可以包括：对所述基区执行热处理工艺。本发明还提供一种HBT器件。本申请通过在形成基区之后的任意一步骤之前，对基区执行热处理工艺，可以避免基区中的P型离子的扩散的情况，提高基区的掺杂浓度，降低基区电阻，提高特征频率。

摘要： 本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多阶温度系数电压单元设置于所述复制电路单元内。本发明提供的偏置电路将多阶温度系数电压单元设置于标准电流镜偏置单元的复制电路单元内，简化了电路，有利于片上集成，同时改变电流镜结构，利用晶体管的电流放大作用，减小了第一HBT管HBT1的漏电流，提高了输出的偏置电流与输入的基准电流之间的传输精度，输出稳定的偏置电流。