双极晶体管

摘要： 基于CMOS工艺,提出并实现了一种高精度的基于双极晶体管(BJT)的温度传感器,其由模拟前端和放缩式模数转换器(Zoom ADC)构成.模拟前端由偏置电路、感温电路和数字控制电路构成.其中,在偏置电路中加入了斩波器(Chopper),并用低通滤波器滤除其纹波,降低了电路的噪声,提升了感温精度。为实现对模拟前端输出结果准确的数字化,采用了放缩式模数转换器,其融合了基于逐次逼近(SAR)的粗转换和基于Σ-Δ的细转换.首先,由5-bit SAR ADC对于模拟前端的输出进行粗量化,随后,再由Σ-ΔADC对经过粗量化后的剩余电压进行细量化.该结构能够在较低的功耗下,实现高精度和高线性度.在110 nm CMOS工艺下实现该温度传感器,以验证上述结构的有效性,芯片的面积为0.18 mm^(2).测试结果表明,该温度传感器,在3 V供电电压和-45~+85°C的温度范围内,实现了±0.25°C的转换误差,过采样率为128倍,转换时间为4 ms,电路功耗为12.3μA.

摘要： 通过对NPN三极管的E-M模型与微变等效电路两种模型及相互联系的讨论及比较,对E-M模型与小信号低频h参量等效电路模型之间的关系有了较系统全面的认识,扩大了E-M模型的适用范围,对模拟电子技术及数字电子技术的教学有一定的参考价值。

摘要： 本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加。最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变。

摘要： 对不添加镇流电阻的非均匀发射极条间距的多发射极条异质结双极晶体管(HBT)的射频功率性能和表面温度分布进行了测量,并与常规采用镇流电阻的多发射极条功率HBT进行了比较.实验结果表明,对具有非均匀发射极条间距的多发射极条HBT,采用US QFI TMS红外测量系统测得的最高表面温度、温度分布均匀性以及采用射频测量系统测得的射频功率增益和功率附加效率,分别低于、好于和高于具有镇流电阻的多发射极条功率HBT的情况.这些结果的取得,得益于采用非均匀发射极条间距改善了多发射极条HBT的热电正反馈和不同发射极条之间的热耦合,以及摆脱了传统HBT加镇流电阻带来的对射频功率性能的负作用.

摘要： 双极型晶体管的总电离剂量辐照效应主要体现在基极电流(IB)的退化,其作用机理是电离辐射在SiO2中及Si/SiO2界面作用导致的氧化物陷阱电荷面密度(Not)和界面陷阱电荷面密度(Nit)的增长.本文基于定制设计的栅控横向PNP晶体管,开展了大样本、多剂量点的电离总剂量效应实验,获得了双极型晶体管IB,Not,Nit的分散性及其随总剂量变化的统计特性,初步建立了晶体管损伤分散性与Not分散性的关联.该研究成果可以有效支撑双极型电路辐射可靠性的机理研究与定量评估.

摘要： 大多数现代电梯电动机的运转都是通过变频驱动装置(VFD)和直流控制器(通常是基于可控硅整流器[SCR],但最近用于直流电机的是基于绝缘门-双极晶体管[IGBT])来控制电机/电梯速度,电动机控制器可以节省高达55%的能源成本,但它们也会产生很多的电气和可听见的噪音,这种电气噪音表现为“电压峰值”(实际上就是“共模电流”[CMC]),会对轴承造成大量的开槽、结霜、润滑故障和其他损坏。

摘要： On Semi公司的NCV7692汽车LED灯电流控制器,采用外接NPN双极器件和反馈电阻来调整驱动LED的电流.单个驱动器使用户能灵活增加单路到多路系统中.专用的调光特性通过PWM输入引脚来实现.当检测到开路或短路时单路驱动器就开关断.LED亮度采用串联在双极晶体管的外接电阻进行编程.单个NCV7692可驱动多个LED串.NCV7692可采用PWM控制,外接可编电流电阻.

摘要： 双极晶体管经中子辐照后会引起直流增益退化,在109～1016 cm—2的注量范围内,其直流增益倒数变化与辐照中子注量呈线性关系.对直流增益退化的双极晶体管进行高温退火,能使受到辐射损伤的双极晶体管性能恢复.鉴于此,将双极晶体管进行逆向工程应用,制作成中子注量探测器,经标定后,可实现对中子注量的监测.对探测器的装配结构进行设计后,依托中国工程物理研究院快中子脉冲堆(CFBR-Ⅱ),在1012～1013 cm—2的注量范围对3DK2222A型探测器和在1013 cm—2的注量范围对3DG121C型探测器进行标定.在得到探测器损伤常数K的分散性存在较小和较大的两种情况下,确定了分散性较小时的有效取值和应用方法,以及在分散性较大时,采取标定的损伤常数K只能应用在同只探测器上的方案,并通过高温退火实验证实了该方案的可行性.

摘要： 本文对NPN型双极晶体管的低剂量率辐照效应进行了研究.分析了NPN型双极晶体管的辐照损伤机理,提出了NPN型双极晶体管的抗低剂量率的总剂量辐照加固方案,对比了加固前后NPN型双极晶体管的电特性.研究表明,经0.1rad(Si)/s的100K rad(Si)总剂量辐照后,加固后的某型号NPN型双极晶体管的电流增益变化率为24.4％,其各项参数指标均能满足美军标要求;在0.01rad(Si)/s剂量率条件下,电流增益变化率为60.6％.分析认为,过剩基极电流是引起辐照后电流增益衰减的主要原因.

摘要： 为提高4H-SiC双极晶体管((BJT)的耐高压能力,在现在已有的功率器件终端技术中,GR终端技术由于其稳定性较好将成为高温应用场合的首选终端技术.但是由于GR终端由于掺杂浓度过高而导致高的电场峰值,容易发生击穿导致器件损坏.本文对FFR与GR两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析,通过分析两种终端技术的优缺点,采用两种终端结合的组合式终端技术,既可保证在高温等恶劣条件下的高稳定性,又可以降低电场峰值提高耐压特性,并且减小终端面积以达到高功率密度的条件.通过采用SILVA TCAD半导体器件模拟软件仿真发现,优化后的组合式场限环(FFR-GR)结终端结构相比于常规结终端结构既保证在高温等恶劣条件下的高稳定性,又能够更好地调制器件的表面电场,减小电场峰值,使器件获得更高的击穿电压,有效地提高器件的耐压特性气并且终端长度减小了40％,大大地节省了芯片面积.

摘要： 针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGaAs/InGaAsP材料为消除集电极导带尖峰、减小电流阻挡效应实现的组分渐变结构。

摘要： 选取了两种类型的双极晶体管和九种双极集成电路,利用60Co放射源开展了四种不同剂量率下的辐照实验,测量了双极晶体管基极电流以及运算放大器和比较器的输入偏置电流等辐射敏感参数随总剂量的变化规律,获得了器件的低剂量率增强因子;实验结果表明,双极器件具有低剂量率辐射损伤增强效应,集成电路的低剂量率增强因子大于晶体管的增强因子,并且不同结构和工艺的双极器件的低剂量率增强效应相差很大.

摘要： 本文设计了一套以温度和湿度为加速应力的加速寿命试验方案，并对型号为3DK10的NPN型的外壳封漆和未封漆两种形式双极晶体管在温度125°C和湿度95％的条件下进行了115小时初步摸索的加速寿命试验，所有器件的参数加速后没有发生明显的变化，同时发现器件外壳的封漆有较强的吸湿性，对器件在高湿条件下的可靠性有较大影响。

摘要： IGBT(绝缘栅双极晶体管)由于其优越的性能在电力电子变换器领域中得到了广泛应用。本文描述了一种适用于电力电子变流仿真和计算机设计的IGBT功能型模型。该模型依据IGBT的主要外部物理特性，在PSIM软件包下建立等效电路，具有计算速度快、参数求解简单、物理概念明确的特点。本论文详细描述了该模型的等效原理和模型构成，以FF300R12ME3型IGBT为例，给出了模型主要参数，并进行实验验证。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。

摘要： 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象,选取质子作为辐照源,通过改变辐照源的注量以及计算分析,研究了位移效应的特点及其对电性能退化的影响规律,并采用1/f低频噪声表征了晶体管辐照前后的性能退化.试验结果表明:晶体管电流增益随质子辐射注量增加而降低,在本试验中低能质子主要产生位移损伤,电离损伤不够明显.

摘要： 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象,选取质子作为辐照源,通过改变辐照源的注量以及计算分析,研究了位移效应的特点及其对电性能退化的影响规律,并采用1/f低频噪声表征了晶体管辐照前后的性能退化.试验结果表明:晶体管电流增益随质子辐射注量增加而降低,在本试验中低能质子主要产生位移损伤,电离损伤不够明显.

摘要： 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象,选取质子作为辐照源,通过改变辐照源的注量以及计算分析,研究了位移效应的特点及其对电性能退化的影响规律,并采用1/f低频噪声表征了晶体管辐照前后的性能退化.试验结果表明:晶体管电流增益随质子辐射注量增加而降低,在本试验中低能质子主要产生位移损伤,电离损伤不够明显.

摘要： 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象,选取质子作为辐照源,通过改变辐照源的注量以及计算分析,研究了位移效应的特点及其对电性能退化的影响规律,并采用1/f低频噪声表征了晶体管辐照前后的性能退化.试验结果表明:晶体管电流增益随质子辐射注量增加而降低,在本试验中低能质子主要产生位移损伤,电离损伤不够明显.

摘要： 本公开涉及FET‑双极晶体管组合以及包括该FET双极晶体管组合的开关。提供了一种晶体管开关设备，其表现出相对良好的电压能力和相对容易的驱动要求以接通和断开设备。这可以减少可能扰乱其他组件的瞬态驱动电流。

摘要： 本发明涉及双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法。根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多晶硅。

摘要： 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

摘要： 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16)，该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011]，且与短边方向正交的截面形状为倒台面型，与长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于集电极层(16)上的基极层(20)；形成于基极层(20)上的基极电极(22)；以及与基极电极(22)相连接，俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。

摘要： 公开了一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括：提供包括集电极区的半导体衬底；在半导体衬底上形成基极区；在基极区的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层；在刻蚀保护层和基极区上形成基极接触层；在基极区上形成电绝缘层；在电绝缘层形成之后形成的结构中刻蚀开口，所述开口包括使刻蚀保护层的至少一部分外露的发射极窗口部分以及与发射极窗口部分相邻的延伸通过基极区、基极接触层并且进入集电极区的场板沟槽部分；利用电绝缘材料对所述开口加衬里；使所述发射极区外露；以及用导电材料填充所述加衬里的开口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括这种双极晶体管的IC。

摘要： 一种双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法，其中，双极晶体管的形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层上的纳米线，定义纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成镂空区后，对纳米线进行第一类型杂质掺杂，形成集电区；在中区表面形成环绕集电区的基区，在基区中掺杂有第二类型杂质，第二类型杂质的类型与第一类型杂质的类型相反；在部分长度基区表面形成环绕基区的发射区，在发射区中掺杂有第一类型杂质。本发明结合具有全包围栅极的场效应晶体管制造方法制造双极晶体管，实现了具有全包围栅极的场效应晶体管制造工艺和双极晶体管制造工艺的兼容。

摘要： 一种双极晶体管、半导体器件及双极晶体管的形成方法，其中，双极晶体管的形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层上的纳米线，定义纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除所述中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成所述镂空区后，对部分长度中区或全部中区进行第一类型杂质掺杂，形成基区；在形成基区后，或者在形成基区前，对基区两侧的纳米线进行第二类型杂质掺杂，形成集电区和发射区，所述第一类型杂质的类型与所述第二类型杂质的类型相反。本发明结合具有全包围栅极的晶体管制造方法制造双极晶体管，实现了具有全包围栅极的晶体管制造工艺和双极晶体管制造工艺的兼容。

摘要： 本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极，并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极，并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。

摘要： 本公开的实施例涉及制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管。一种制造双极晶体管的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的堆叠。在堆叠中形成开口以到达衬底。外延工艺在衬底上形成晶体管的集电极，并且在第三层中选择性地蚀刻环形开口。然后通过集电极上的外延形成基极的本征部分，本征部分通过环形开口与第三层分离。在集电极与基极的本征部分之间的结由第二层包围。在本征部分上形成发射极并且移除第三层。在第二层上选择性沉积半导体层并与本征部分直接接触形成基极的非本征部分。

摘要： 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。