MMIC

摘要： 单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了。单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1]。为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 d B压缩点、单组件侧分贝和放大器以及射频开关等关键参数来探索有源单片集成设备和微波测试技术。

摘要： 文中介绍了一种基于国产GaN芯片研制的Ku波段2kW固态发射机的设计方法。以500W发射组件为基本组成单元,采用四路平面波导魔T的功率合成方式,同时对合成网络的功率容量、以及基本合成单元相位一致性对合成效率的影响进行了分析,最终实现了2kW固态发射机的研制。实测结果表明,在Ku频段峰值输出功率大于2kW,效率大于22%,满足预期设计要求。

摘要： 阐述一款基于GaAsp HEMT的2~6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示,在2~6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于2.5dB,输出P1dB功率13.5dBm,电流小于50mA;发射通道增益大于28dB,饱和输出功率大于23.5dBm,功率附加效率24%~38%,电流小于230mA。芯片尺寸为:3.0mm×2.2mm。

摘要： 定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响.同时,选用了南京电子器件研究所的0.25 μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真.根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3～10％的效率提升.以此设计了一款X波段单级MMIC功放.经测试,该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88％.

摘要： Wdfspeed推出先进X-波段雷达器件,赋能高性能射频功率解决方案四款新型GaN-on-SiC MMIC器件,助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率。2021年4月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯——全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,Cree丨Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波X-波段相控阵应用。

摘要： 本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合成关系,保证了在发射和接收时,始终保持对同一个边带的抑制功能和另一个边带的合成功能,最终实现了可用于收发系统的镜像抑制混频器芯片,本振频率范围17-20GHz,射频频率范围14-17GHz,中频频率范围3-4GHz。芯片基于GaAspHEMT工艺开发完成,芯片尺寸为2.25mm*1.50mm*0.10mm。测试结果显示,频带内镜像抑制度大于20dBc,边带抑制度大于20dB,很好的保证了整个收发变频系统的抗干扰能力。

摘要： 2021年7月,商贸泽电子开始备货Analog Devices ADMV8818数字可调谐滤波器。ADMV8818是一款单片式微波集成电路(MMIC),可通过数字方式设置工作频率,是大型开关滤波器组和腔体调谐滤波器的小型替代方案。该滤波器适用于工业仪器和测量、航空航天、国防和医疗应用,为先进的通信应用提供了动态可调的解决方案。

摘要： TI公司的LP8774x-Q1系列器件满足各种汽车和工业雷达应用的AWR和IWR MMIC的电源管理要求.器件具有三个降压DC/DC转换器,一个5V升压转换器和一个1.8V/3.3V LDO.LDO由升压转换器供电,给x WR IO供电.器件由SPI串行接口和使能信号控制.降压DC/DC转换器支持可编程开关频率4.4MHz,4.4MH或17.6MHz.

摘要： 本文采用0.15um增强型砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)工艺和多层基板塑封技术,研制了一款应用于5G终端的中功率放大器。在25GHz-27GHz频率范围内,小信号增益(Gain)大于18dB,输出功率1dB压缩点(P-1)大于18dBm,1dB压缩点的效率(PAE-1)大于25%。

摘要： 文章介绍了一种基于GaN的Ku波段千瓦级峰值功率的固态发射机的研制.在设计中,采用多种合成方式,其中MMIC芯片级合成采用基于E-T、H面3 dB波导耦合桥和波导微带转换的混合式功分/合成网络,模块级合成选择波导合成方式.发射机以GaN的MMIC功率芯片为核心,采用32路合成,实现大于1000 W的峰值输出功率,发射机效率大于25％,并成功应用某项目替代电真空发射机,实现了产品的升级换代.

摘要： 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

摘要： 低噪声放大器(LNA)是无线系统前端中重要器件，其性能决定了整个接收机的信噪比及整机性能。本文在介绍了低噪声放大器的工作原理之基础上，综述了CMOS基毫米波低噪声放大器的最新研究成果，展望了CMOS基毫米波低噪声放大器技术的发展趋势，提出了一些建议。

摘要： 低噪声放大器(LNA)是无线系统前端中重要器件，其性能决定了整个接收机的信噪比及整机性能。本文在介绍了低噪声放大器的工作原理之基础上，综述了CMOS基毫米波低噪声放大器的最新研究成果，展望了CMOS基毫米波低噪声放大器技术的发展趋势，提出了一些建议。

摘要： 低噪声放大器(LNA)是无线系统前端中重要器件，其性能决定了整个接收机的信噪比及整机性能。本文在介绍了低噪声放大器的工作原理之基础上，综述了CMOS基毫米波低噪声放大器的最新研究成果，展望了CMOS基毫米波低噪声放大器技术的发展趋势，提出了一些建议。

摘要： 低噪声放大器(LNA)是无线系统前端中重要器件，其性能决定了整个接收机的信噪比及整机性能。本文在介绍了低噪声放大器的工作原理之基础上，综述了CMOS基毫米波低噪声放大器的最新研究成果，展望了CMOS基毫米波低噪声放大器技术的发展趋势，提出了一些建议。

摘要： 本文介绍了一种新颖的共享兰格耦合器的反射型双移相位电路设计,在两个移相电路上实现了5.625°/11.25°和22.5°/45°四个移相位。这种电路结构有效的降低了移相器的设计成本,减小了芯片体积,工作于X波段8～12GHz,有着优异的电气性能,插入损耗小于1.5dB,插损波动小于0.5dB,回波损耗大于18dB,输入输出驻波比小于1.3,相位误差小于±3°。

摘要： 本文介绍了一种新颖的共享兰格耦合器的反射型双移相位电路设计,在两个移相电路上实现了5.625°/11.25°和22.5°/45°四个移相位。这种电路结构有效的降低了移相器的设计成本,减小了芯片体积,工作于X波段8～12GHz,有着优异的电气性能,插入损耗小于1.5dB,插损波动小于0.5dB,回波损耗大于18dB,输入输出驻波比小于1.3,相位误差小于±3°。

摘要： 本文介绍了一种新颖的共享兰格耦合器的反射型双移相位电路设计,在两个移相电路上实现了5.625°/11.25°和22.5°/45°四个移相位。这种电路结构有效的降低了移相器的设计成本,减小了芯片体积,工作于X波段8～12GHz,有着优异的电气性能,插入损耗小于1.5dB,插损波动小于0.5dB,回波损耗大于18dB,输入输出驻波比小于1.3,相位误差小于±3°。

摘要： 文章提供了一种RAF-T1型微波交通检测器的设计方法。该检测器为智能交通系统(intelligent traffic system ITS)提供路面信息，它工作在K波段(24GHz)，采用宽带调频的方式来满足系统的高距离分辨率以及系统的小型化。检测器的前端采用MCM-D技术集成MMIC芯片(VCO，LNA，MIXER)，所有的MMIC芯片都具有独立知识产权，在法国流片制造，性能优越。同时系统充分利用了数字雷达技术(FPGA,DSP,DDS，ARM)．该微波交通检测器已经完成并用于ITS中，经过各种可靠性和稳定性验证和外场试验证明该检测器完全可行性，在国内具有很大的应用市场。

摘要： 文章提供了一种RAF-T1型微波交通检测器的设计方法。该检测器为智能交通系统(intelligent traffic system ITS)提供路面信息，它工作在K波段(24GHz)，采用宽带调频的方式来满足系统的高距离分辨率以及系统的小型化。检测器的前端采用MCM-D技术集成MMIC芯片(VCO，LNA，MIXER)，所有的MMIC芯片都具有独立知识产权，在法国流片制造，性能优越。同时系统充分利用了数字雷达技术(FPGA,DSP,DDS，ARM)．该微波交通检测器已经完成并用于ITS中，经过各种可靠性和稳定性验证和外场试验证明该检测器完全可行性，在国内具有很大的应用市场。

摘要： 一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，属于集成电路芯片制造的技术领域，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，关键在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括将基片置于腐蚀液A和腐蚀液B中进行腐蚀，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15‑30次/分钟，腐蚀时间55‑60s，控制环境温度为22±2°C、湿度为55±5％RH；所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、双氧水、水＝1:1:10的质量比配制，本发明能够对金属进行充分腐蚀，腐蚀的效果良好，能够完美达到工艺的要求。

摘要： 本发明公开多模态高效率MMIC功率放大器及其实现方法。包括功分器、两路数控移相器、特定电长度的相位补偿线、两路子功率放大器、高低通移相功率合成器和后匹配网络；两路数控移相器分为上路和下路，每路数控移相器由n个串联的数控移相器构成，n≥1；所述两路子功率放大器分为上路和下路，上路子功率放大器的输入端接上路数控移相器的输出端，下路子功率放大器的输入端通过特定电长度的相位补偿线接下路数控移相器的输出端；本发明通过对异相功率放大器输入端的各路移相器开关电平状态的控制来实现移相器参考态、移相态状态的切换，使得两路信号间产生特定需要的相位差，方便实现在多个工作模态下的自由切换。

摘要： 本发明提供了一种提高毫米波GaN MMIC功率放大器三阶交调的电路，包括：第一放大模块和第二放大模块；第一放大模块的输入端与射频输入口相连，用于接收射频输入信号；第一放大模块对射频输入信号进行第一级放大，获得第一三阶交调信号；第二放大模块用于对第一放大模块输出的信号进行第二级放大，获得第二三阶交调信号；第一放大模块还包含相位调节单元，相位调节单元用于对第一三阶交调信号和第二三阶交调信号的相位进行调节，使得第一三阶交调信号与第二三阶交调信号的相位差为180°，第一级放大模块的三阶信号和第二级放大模块的三阶信号幅度不是相加的，而是相减的，从而使得最终得到的三阶信号幅度降低，三阶交调得以提高。

摘要： 本发明公开一种双频可重构MMIC异相功率放大器及其调控方法。该放大器包括宽带输入匹配电路，RC稳定电路，双频寄生参数补偿电路，双频可重构功率合成电路，以及后匹配电路。双频寄生参数补偿电路采用T型结构提供两个频率下需要的输入电纳，双频功率合成电路采用开关控制合成器上下路并联电容的大小，通过并联不同容值的电容来实现合成器上下路等效电长度关于90°中心对称的效果。本发明在高回退效率功率放大器的应用背景下，采用可重构技术，提供了一种简洁明了的思路来设计双频异相功率放大器，具有实用性强便于推广等特点。

摘要： 本发明提供了一种MMIC微波功率放大器，包括输入端；输入功率分配器，其输入连接至输入端，用于将输入信号转换为两路差分信号；功率放大单元，其输入端分别连接至输入功率分配器的两路输出，用于将两路差分信号进行功率放大并输出；功率合成单元，其输入分别连接至功率放大单元的两路输出，用于将经功率放大单元放大的两路差分信号实现功率合成；功率合成单元为呈平面结构的平面延迟线巴伦，平面延迟线巴伦由平面电路工艺制成；输出端，连接至功率合成单元的输出端。本发明还提供一种射频前端模组。与现有技术相比，本发明的MMIC微波功率放大器及射频前端模组输出功率高、体积小、成本低且可靠性高。

摘要： 本公开涉及用于相干多芯片相控阵列MIMO应用的系统和MMIC架构。一种射频(RF)系统，包括雷达单片微波集成电路(MMIC)，该雷达单片微波集成电路包括：相位检测器，包括测试输入端口和监测输入端口，其中相位检测器被配置为生成输出信号，输出信号表示在测试输入端口处接收的测试信号与在监测输入端口处接收的监测信号之间的相位差；测试信号路径，包括至少一个有源组件，测试信号路径被配置为：接收本地振荡器信号，并且在第一测量间隔期间将本地振荡器信号作为测试信号提供给测试输入端口；以及无源信号路径，被配置为：接收本地振荡器信号，并且在第一测量间隔期间将本地振荡器信号提供给监测输入端口作为监测信号。

摘要： 本发明提供一种MMIC微波开关、T/R组件及雷达。该MMIC微波开关包括：第一切换模块、第二切换模块和第三切换模块；第一切换模块，用于使公共端选择性地与第二切换模块、第三切换模块、接地端中的一个接通；第二切换模块，用于使第一射频端选择性地与发射支路输出端或者第一切换模块接通；第三切换模块，用于使第二射频端选择性地与接收支路输入端或者第一切换模块接通；其中，在第一切换模块使公共端与接地端接通时，T/R组件处于静默状态。本发明可以提高T/R组件的信号隔离度。

摘要： 本发明公开了一种MMIC温度特性测试方法，包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配。本发明核心是采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、信号产生器和频谱仪实现MMIC温度特性测试，该核心仪器具有测试小信号温度参数和大信号温度参数的能力，还具有表征线性度温度映射能力。相比于其他传统的测试技术，该技术具有精确度高、可操作性强的优势。本发明可以有效测试MMIC温度特性，为MMIC电路的温度特性测试提供重要参考。

摘要： 本发明公开了一种宽阈值的MMIC正电压控制单刀双掷开关，包括开关电路和控制逻辑转换电路；所述开关电路包括所述端口IN和两路相同的输出电路；所述控制逻辑转换电路用于在控制电压VC的控制下对VDD电源提供的电压进行转换，得到控制电平V1、控制电平V2和工作电压VS提供给开关电路，以实现对开关电路的控制。本发明提供的单刀双掷开关，仅使用正电压即可控制整个开关的切换，并且能够提高控制电压的阈值范围。

摘要： 本实用新型适用于提供了Ka频段GaN MMIC功率放大器电路及放大器。该电路包括：级联连接的多个放大模块，第一放大模块中包括第一放大单元，其他放大模块中包括匹配网络单元和放大单元；匹配网络单元中微带线ML1的一端连接前级放大单元的输出端，另一端分别连接微带线ML2的一端和电容C1的一端，微带线ML2的另一端连接当前放大单元的输入端，电容C1的另一端接地。功率放大器电路采用简单紧凑的匹配网络单元并采用微带线替代电感，整个芯片中不含电感元件，避免了带电感器件芯片面积大的问题，在保证其他性能指标得到满足的同时，大大降低了芯片面积，进而提升了功率密度。