HEMT

摘要： An improved parasitic parameter extraction method for InP high electron mobil-ity transistor(HEMT)is presented.Parasitic parameter extraction is the first step of model parameter extraction and its accuracy has a great impact on the subsequent internal pa-rameter extraction.It is necessary to accurately determine and effectively eliminate the parasitic effect,so as to avoid the error propagation to the internal circuit parameters.In this paper,in order to obtain higher accuracy of parasitic parameters,parasitic parameters are extracted based on traditional analytical method and optimization algorithm to obtain the best parasitic parameters.The validity of the proposed parasitic parameter extraction method is verified with excellent agreement between the measured and modeled S-param-eters up to 40 GHz for InP HEMT.In 0.1-40 GHz InP HEMT,the average relative error of the optimization algorithm is about 9%higher than that of the analysis method,which verifies the validity of the parasitic parameter extraction method.The extraction of parasit-ic parameters not only provides a foundation for the high-precision extraction of small sig-nal intrinsic parameters of HEMT devices,but also lays a foundation for the high-preci-sion extraction of equivalent circuit model parameters of large signal and noise signals of HEMT devices.

摘要： 在科技快速发展的今天,人们对于检测和治疗身体健康的技术和设备都十分重视。GaN HEMT器件的出现让科学家们眼前一亮,其良好的性能和快速精准的检测在生物研究领域起到无法替代的作用。文章介绍GaN器件、HEMT器件在各自领域的优势,以及与生物传感器结合以后在生物检测方面的应用及其原理。

摘要： 对高功率密度电机的需求已促使工程师们转向高供电电压和高频开关逆变器以驱动新设计。快速开关、低损耗、宽禁带的GaN HEMT提供了一种解决方案,现在各组件正在提供基于该技术的解决方案。

摘要： 1月11日消息,意法半导体(ST)今日宣布G-HEMT系列首款GaN功率半导体产品(Power GaN),能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸;可用于充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等。不仅如此,该产品亦能用于高功率市场,像是工业驱动马达、太阳能逆变器、电动汽车及充电器等。

摘要： 一氧化碳(CO)因其无色无味难以察觉且具有极强的毒性,被称为“无声的杀手”。相较于硅(Si)、二氧化硅(SiO_(2))等传统材料传感器,第三代半导体材料氮化镓(GaN)制备的传感器因材料具有更宽禁带而拥有耐腐蚀、化学稳定性高、耐高温等优势。本文针对CO气体设计了基于GaN HEMT器件制备气体传感器,并在不同温度下分别表征其对给定200 ppm的CO的响应性能、浓度梯度变化下响应性能以及输出、击穿、转移三项功率特性。实验结果验证了该结构器件可在高温(400°C)条件下实现低浓度(0.5 ppm)CO响应。

摘要： Infineon公司的1EDF5673K,1EDF5673F和1EDS5663H是单路增强隔离高压增强型GaN HEMT栅极驱动器.Cool GaN^(TM)和同类GaN开关在“开”态需要几mA的连续栅极电流.此外,由于低阈值电压和极快开关瞬态,需要负的“关”电压电平.广泛使用的RC耦合栅极驱动器完全满足这些要求,但是,它受到开关动态的占空比依赖性和特殊状态下缺乏负的栅极驱动的影响.

摘要： Teledyne e2v Hi Rel为其基于Ga N Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型Ga N功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。这两款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分别提供30A和15A的较低电流性能,而去年推出的第一款650 V产品TDG650E60提供60A的电流。这些650 V Ga N HEMT是市面上电压最高的Ga N功率器件.

摘要： 为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT.该埋层通过调整器件的电场分布,降低了高场区的电场峰值,从而降低器件关断时的泄漏电流.该埋层使得栅漏之间的横向沟道电场分布更加均匀,提高了器件的击穿电压.通过Sentaurus TCAD仿真发现,N型GaN埋层可以明显改善器件的击穿电压.相比于传统结构530 V的击穿电压,新结构的击穿电压达到了892 V,提高了68％.此外,N型GaN埋层没有影响到器件的导通特性,使得器件保留了低的特征导通电阻.以上结果说明,该结构在功率器件领域具有良好的应用前景.

摘要： 富士通的工程师声称提高了以几千兆赫兹工作的GaN HEMT的功率附加效率(PAE)的标准。他们的创纪录器件在2.45GHZ下工作时,PAE达到了近83%。这种高效率有助于降低无线基础设施的碳足迹。根据一个名为“能量感知无线电和网络技术”的项目的研究结果,功率放大器通常占无线电基站能量消耗的65%。

摘要： ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT 1(以下称“GaN器件”)的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)2技术。近年来,在服务器系统等领域,由于IoT设备的需求日益增长,功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一,而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。

摘要： 本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.

摘要： 本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.

摘要： 本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.

摘要： 本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO2层；去除所述SiO2层中与第一区域对应的部分；所述SiO2层剩余的区域中与第二栅漏区对应的部分朝向所述栅电极区的表面为具有第一倾斜角度的斜面；依次去除所述SiO2层和SiN层与源电极区对应的部分和漏电极区对应的部分；在所述器件的上表面与源场板区对应的部分生长第三厚度的金属层；所述金属层覆盖所述SiO2层与所述第二栅漏区对应部分的斜面。通过本发明制备的场板结构为楔形结构，能够显著提高管芯击穿电压和抑制电路崩塌的作用，从而显著提高器件的性能。

摘要： 本发明公开了一种HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法。所述基于GaN衬底的HEMT外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层。本发明基于N面GaN衬底的特性，提出全新外延结构的HEMT器件，与传统结构相比具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延前进行适当的界面处理，可完全阻断漏电通道的产生。

摘要： 本发明提供一种GaN MOS HEMT的栅氧化层形成方法及GaN MOS HEMT制造方法首先在GaN MOS HEMT的GaN外延层上方形成Si外延层，然后采用热氧化法对Si外延层进行氧化，使Si外延层全部氧化为SiO2层，该SiO2层作为栅氧化层。本发明的上述方法避免了等离子体对外延层的损伤，改善了SiO2层与GaN外延层的界面态，显著提高了器件的性能，提高栅极对沟道的控制能力。另外，通过严格控制热氧化的时间和温度，使得Si外延层全部被氧化的而GaN外延层中的GaN不会被氧化。同时，为了进一步防止GaN外延层被氧化，本发明的方法还可以在Si外延层与GaN外延层之间的界面处注入C离子，C离子有助于阻止GaN外延层被氧化，从而保证器件的性能。

摘要： 本发明公开了一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构，包括：由下至上依次设置的硅衬底、AlN成核层、背势垒电子阻挡层、应力调控层、GaN高阻层、GaN沟道层和势垒层；硅衬底包括：由下至上依次设置的第一子衬底、第二子衬底和第三子衬底；背势垒电子阻挡层为周期性外延的Al

摘要： 本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。

摘要： 本发明公开了一种大功率HEMT器件和HEMT器件拓扑连接结构，前者包括HEMT芯片和至少两个散热电极平面；各平面至少包括沿导线排布方向平行间隔设置的源极和漏极金属导线；相邻平面导线排布方向非平行；各平面内电极金属导线仅与相邻平面内所有同种电极金属导线连接，相邻平面同种电极金属导线通过绝缘层上的通孔金属导线连接；相邻平面内同种电极金属导线的导线表面宽度上层大于下层；各平面导线排布方向与金属导线的平行方向垂直，互相平行的电极金属导线的导线表面宽度表示在对应导线排布方向上的尺寸。本发明通过多层散热电极平面逐步增大电极金属导线的导线表面宽度，使其电流承载能力逐层加大，能增加芯片实际使用面积和散热能力。

摘要： 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。

摘要： 本申请公开了一种HEMT器件制造方法、HEMT器件及功率放大器，该方法包括：制备二氧化硅或硅衬底的高电子迁移率功率晶体管HEMT器件；通过载板对所述HEMT器件进行固定；将所述HEMT器件衬底局部的二氧化硅或者硅移除，所述HEMT器件衬底局部包括源极与漏级沟道正下方区域；将所述HEMT器件衬底局部填充金刚石。在HEMT器件中，该热积累主要集中在源极与漏极的沟道区域，所以将该源极与漏极沟道正下方区域衬底局部换成金刚石可以提高该HEMT器件的散热能力。

摘要： 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。

摘要： 本实用新型涉及包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件。一种包括HEMT结构的电子器件包括：漏极/源极电极；源极/漏极电极；第一栅极电极，所述第一栅极电极相比于所述源极/漏极电极更靠近所述漏极/源极电极；以及第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构电连接到所述漏极/源极电极并且包括第一部分，所述第一部分限定覆盖在所述第一栅极电极上面的第一开口。根据至少一个实施例，可以提供改进的包括HEMT或双向HEMT的电子器件。