齐纳二极管

摘要： 齐纳二极管常作为基准电压元件,为电路提供线性稳压电源,该固定电压与电源电压、负载和时间变化等无关,因而被广泛地应用于集成电路产品设计中.针对模拟集成电路早期失效案例进行分析,通过失效分析方法,定位该故障是由于齐纳二极管经历一定温度、时间的老炼试验后,表现出早期失效,击穿电压漂移所导致的;同时通过样品在不同条件下的试验情况,分析温度、电应力对齐纳二极管早期失效及产品可靠性的影响,并提出了选用齐纳二极管时的注意事项.

摘要： 非线性目标的入射功率-散射谐波功率曲线(后文简称为谐波散射特性)对增强非线性探测系统的鲁棒性和后续的目标分类识别具有重大意义.本文研究了非线性目标谐波散射特性的建模方法和对应的参数求解方法.文章通过建立等效电路,导出了非线性伏安特性曲线与散射参数的关系模型,并提出一种基于优化的递进求精解法来提高模型参数的求解效率;以齐纳二极管的实测基波数据作为建模求解的测试示例,结果表明建模参数的仿真谐波曲线与测量的谐波曲线在测量功率段均符合较好.故本文建模方法可为后续更多非线性目标(如PIN管、三极管等)谐波散射特性的获取提供有益指导.

摘要： 目标稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要求电源电压保持恒定,即使其电流会随着系统活动的变化而变化。图1中的齐纳二极管稳压器提供了一种非常简单的方法来将负载电压VL保持与齐纳二极管的反向击穿电压相同的值,只要负载电阻RL保持在高于某一下限。电压源VIN和电阻RS通过戴维宁等效电路模拟了输入电路特性,比如将一个高电压(如120 V交流电源)转换为未经调节和滤波的较低直流电压源。

摘要： 以继电器驱动电路为基础,分析在该电路中并联续流二极管、并联齐纳二极管、并联TVS管三种方式来抑制反向电压,将反向电压限制在安全范围内,保护前级驱动电路,减小尖峰电压所产生的干扰,同时提供电感储能释放通道,削弱接点放电火花.结合试验数据和仿真波形,给出该三种电压抑制方法的适用环境.

摘要： SP3422-04UTG系列0.2p F 22kV瞬态抑制二极管阵列将四通道超低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,适用于保护易遭受静电放电（ESD）破坏的电子设备,该产品具有小巧的外型尺寸,专为保护高速信号引脚而设计。这款性能出众的组件可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD冲击,且性能不会下降。

摘要： SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列采用以专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管,可保护接口中的每个输入/输出引脚。这款功能强大的器件具有高浪涌耐受性,拥有Littel fuse所有瞬态抑制二极管阵列中最高的每平方毫米浪涌密度,在Powered USB接口所有相关电压电平下具有极低的动态电阻。

摘要： SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列采用以专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管，可保护接口中的每个输入／输出引脚。这款功能强大的器件具有高浪涌耐受性，拥有Littelfuse所有瞬态抑制二极管阵列中最高的每平方毫米浪涌密度，在PoweredUSB接口所有相关电压电平下具有极低的动态电阻。

摘要： 针对传统安全栅测试评估手段的不完善,为满足国家标准中二极管安全栅的型式试验,设计了一种齐纳安全栅瞬态效应的测试系统.该系统以齐纳二极管为研究对象,从本质安全的角度,分析了运行在最不利条件下的齐纳二极管预先击穿时间.通过试验确定脉冲电流的宽度与幅值;以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为核心元件,并采用大电容储能网络,设计了脉动电流源.实践表明,该测试技术有效地验证了安全栅承受瞬态效应,为确保防爆安全提供依据.

摘要： 基于直下式LED背光彩电在市场上逐渐占据主导位置,论文以经典案例阐述了LED设计存在的安全失效隐患,同时提出有效的安全预防和改进措施.希望能有效地帮助电视行业和LED行业的设计人员提升产品品质.

摘要： 针对锂电池组因单体电池性能差异而造成的充电不均衡问题,设计了一种对电池单体并联齐纳二极管的锂电池组均衡充电电路.首先分析了均衡充电装置的研究现状,然后对锂电池充电特性和齐纳二极管UI特性进行了分析,在此基础上提出了新的均衡电路,并进行了详细分析和设计.电路通过齐纳二极管在临界状态附近的分流作用,实现了对不同电池单体的独立涓流均衡充电.最后,通过对磷酸铁锂电池的实验结果表明,该方案均衡效果明显.

摘要： 集成电路的发展对电路的精度和可编程性能提出了更高要求,而集成电路制造工艺的固有误差却不可避免,这会直接影响高精度和高动态电路的性能,所以经常需要对片上电阻、电容和晶体管进行制造后调整,从而优化电路性能.本文将针对激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等主流的集成电路修调技术进行分析讨论,对其精度、成本和效率进行比较,为设计和制造高性能电路提供参考.

摘要： 集成电路的发展对电路的精度和可编程性能提出了更高要求,而集成电路制造工艺的固有误差却不可避免,这会直接影响高精度和高动态电路的性能,所以经常需要对片上电阻、电容和晶体管进行制造后调整,从而优化电路性能.本文将针对激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等主流的集成电路修调技术进行分析讨论,对其精度、成本和效率进行比较,为设计和制造高性能电路提供参考.

摘要： 集成电路的发展对电路的精度和可编程性能提出了更高要求,而集成电路制造工艺的固有误差却不可避免,这会直接影响高精度和高动态电路的性能,所以经常需要对片上电阻、电容和晶体管进行制造后调整,从而优化电路性能.本文将针对激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等主流的集成电路修调技术进行分析讨论,对其精度、成本和效率进行比较,为设计和制造高性能电路提供参考.

摘要： 集成电路的发展对电路的精度和可编程性能提出了更高要求,而集成电路制造工艺的固有误差却不可避免,这会直接影响高精度和高动态电路的性能,所以经常需要对片上电阻、电容和晶体管进行制造后调整,从而优化电路性能.本文将针对激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等主流的集成电路修调技术进行分析讨论,对其精度、成本和效率进行比较,为设计和制造高性能电路提供参考.

摘要： 集成电路的发展对电路的精度和可编程性能提出了更高要求,而集成电路制造工艺的固有误差却不可避免,这会直接影响高精度和高动态电路的性能,所以经常需要对片上电阻、电容和晶体管进行制造后调整,从而优化电路性能.本文将针对激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等主流的集成电路修调技术进行分析讨论,对其精度、成本和效率进行比较,为设计和制造高性能电路提供参考.

摘要： 一种用于有机光电二极管的化合物、包括其的用于有机光电二极管的组成物、有机光电二极管及显示装置。所述用于有机光电装置的化合物由化学式1与化学式2表示。在化学式1与化学式2中，各取代基的定义与说明书公开的内容相同。

摘要： 本发明提供了一种齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管，其中，制备方法包括：在衬底上形成第一阱区、第二阱区和齐纳阱区后，在所述第一阱区和所述第二阱区的两个公共区域以及所述第二阱区和所述齐纳阱区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳阱区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。通过本发明的技术方案，确保了齐纳二极管的源区尺寸和位置布局的准确性，避免了套刻偏差造成的电学特性误差，进而影响用户的使用需求。

摘要： 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。

摘要： 提供一种芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片，即使对与外部电连接用的焊盘施加较大的应力，也能够防止形成在半导体层的pn结的破坏，或者抑制特性变动。芯片二极管(15)包括：外延层(21)，其形成了构成二极管元件(29)的pn结(28)；阳极电极(34)，其沿外延层(21)的表面(22)而配置，与作为pn结(28)的p侧极的二极管杂质区域(23)电连接，并且具有与外部电连接用的焊盘(37)；和阴极电极(41)，其与作为pn结(28)的n侧极的外延层(21)电连接，在芯片二极管(15)中，将焊盘(37)设置在离开了pn结(28)的正上方位置的位置。

摘要： 本申请实施例提供的齐纳二极管及齐纳二极管制作方法，齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区。掺杂区包括环形掺杂区及位于环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区，环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外周，第二环形掺杂区位于第一环形掺杂区的外周，第一环形掺杂区的掺杂深度大于中心掺杂区的掺杂深度以及第二环形掺杂区的掺杂深度。如此设置，在齐纳二极管两端施加反向击穿电压时，可以分两次击穿，首先由中心掺杂区所对应的位置先击穿，然后整个环形掺杂区所对应的位置击穿，由于中心掺杂区的直径较小产生的漏电流较小，可以改善产品的击穿特性。

摘要： 本发明提供的一种齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管，通过形成横向相接的不同掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂区，制成了具有横向pn结的齐纳二极管，避免了形成纵向pn结时，需要将掺杂深度较大的区域与其他掺杂区域区分开的掩膜及掺杂步骤，大大降低了齐纳二极管的掩膜成本。

摘要： 本发明提供了一种齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管，其中，制备方法包括：在衬底上形成第一肼区、第二肼区和齐纳肼区后，在所述第一肼区和所述第二肼区的两个公共区域以及所述第二肼区和所述齐纳肼区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳肼区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。通过本发明的技术方案，确保了齐纳二极管的源区尺寸和位置布局的准确性，避免了套刻偏差造成的电学特性误差，进而影响用户的使用需求。

摘要： 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。

摘要： 提供一种芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片，即使对与外部电连接用的焊盘施加较大的应力，也能够防止形成在半导体层的pn结的破坏，或者抑制特性变动。芯片二极管(15)包括：外延层(21)，其形成了构成二极管元件(29)的pn结(28)；阳极电极(34)，其沿外延层(21)的表面(22)而配置，与作为pn结(28)的p侧极的二极管杂质区域(23)电连接，并且具有与外部电连接用的焊盘(37)；和阴极电极(41)，其与作为pn结(28)的n侧极的外延层(21)电连接，在芯片二极管(15)中，将焊盘(37)设置在离开了pn结(28)的正上方位置的位置。

摘要： 本实用新型公开了齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪，包括测试仪箱体，所述测试仪箱体的底部四角固定安装有固定块，所述测试仪箱体的顶部固定安装有显示箱，所述显示箱的顶部固定安装有报警器，所述显示箱的背部固定安装有电源插槽，所述测试仪箱体的两侧开设有通风口。本实用新型通过在显示箱的一侧固定安装电压调节旋钮、显示屏和电流调节旋钮，能够在测试仪进行检测时，根据所需电流和电压大小进行控制，并且能通过显示屏上的数据判断被测试仪器的检测成果，通过在黑色测试笔和红色测试笔的外表面固定安装绝缘橡胶圈，在测试仪箱体的一侧固定安装警示条，能尽可能避免无关人员的误触，还能为操作人员的测试安全提供保障。