续流二极管

摘要： 阐述IGBT功耗的产生原因,功耗的定义和计算方法,考虑IGBT续流二极管的功耗以及调制控制方法,提出一种更加精准的IGBT功耗计算方法,根据IGBT数据手册估算IGBT的功耗。

摘要： 为满足电磁兼容性要求,常常采取屏蔽、隔离、滤波、接地等措施来抑制干扰。但尽管如此,在系泊和航行试验过程中,还是经常发现设备功能受电磁干扰的影响,需要进一步采取相应的抗干扰措施。本文介绍某船水密门遥控板受雾笛系统干扰的解决过程,从干扰造成的现象入手,结合设备间的关系,分析所有可能造成干扰的原因,并采取相应的抑制措施,逐一进行试验验证,找到合理的解决方案。

摘要： 本文主要介绍了变桨柜中K3继电器上续流二极管在变桨系统中所起的作用,并且对K3继电器续流二极管发生故障后在变桨系统中产生的影响做相应的叙述。

摘要： 结合对直流继电器故障的分析,对几种继电器反向峰值电压保护措施进行了对比,结合设备自身工作的特点找到了最优的保护措施,并通过搭建电路进行了实验验证,为后续设备升级提供了一个参考方向。

摘要： TCL电源组件L141H4在D55A620US、55X3、55X2、L5SE5800A等产品上配套使用。该电源组件PFC块型号采用FAN7930C,其周围的主要元件有QW1开关管、储能电感LP1及续流二极管D310。主电源块采用LD5S37,其周围的主要元件有QW2、变压器TS1等。背光恒流控制电路由OZ9976A、TS3组成初级推动级,再由Q601、Q602、TS2、C620组成LLC半桥功率转换电路,由TS2次级连接D615-D618、电容C617、C618构成灯电压形成电路。

摘要： 夏新LE22A型液晶电视采用三合一板,其DC-DC电路输出5Vsb、3.3Vsb、1.8V及1.2V电压,实绘电路如图1所示。一、电路原理分析1.5Vsb待机电压的形成通电后,开关电源输出12V电压,一路加到UD11(丝印号:IAGME)③脚,另一路通过电阻RD11加到⑤脚(使能端),UD11工作,在储能电感LD13的左端产生幅度约12Vp-p脉冲电压,经UD11内部续流二极管整流、EE1滤波,产生5Vsb待机电压。

摘要： 夏新LE22型LED液晶电视,其背光电路由控制芯片UB802(SN51DP)、开关管QB801、储能电感LB801、续流二极管DB801、滤波电容EB801等元件组成,如图1所示。通电后,12V电压通过电阻RB816加在UB802①脚,同时24V电压通过储能电感LB801加到QB801的漏极。

摘要： 针对某电动车型在整车下电瞬间出现真空泵控制器驱动芯片击穿短路导致的真空泵不停机问题,通过理论及HIL台架测试数据分析发现驱动芯片击穿与真空泵停止瞬间产生的反向电动势有关.同时结合实车故障复现模式,分析故障发生机理,在真空泵两端并联一个续流二极管对真空泵停止瞬间产生的反向电动势进行吸收,并顺利通过HIL测试、实车验证及台架加速耐久测试,最终问题得到解决.

摘要： 单相桥式全控整流电路中,整流电压会出现负值。由于电路的非线性,交流测电流波形也并非正弦。本文通过对单相桥式全控整流电路串联滤波电感来抑制冲击电流,阻感负载端并联续流二极管来消除整流电压的负值。以此提高整流平均电压,减小电流谐波,降低损耗。并用MATLAB/simulink搭建仿真模型加以验证。

摘要： 某电厂某梯级电站今年来多次发生调速器机柜开限缸续流二极管击穿,导致直流熔断器熔断,控制回路失电,自动控制失效,调速器失去控制的问题,极大地威胁到机组的安全,为了彻底解决该问题,进行了分析和改进,更换了新型号的续流二极管,解决了该问题.某梯级电站调速器控制柜开限缸原线圈配置的续流二极管型号为1N4007,该型号管反向击穿电压为1000V,正向整流为1A,该型管作为续流管常用于DC24V电路中,而用于DC220V电路时,因正向整流电流小,容易烧毁,按两倍工作电流选取,在DC220V电路中应选用击穿电压为1000V,正向整流为2A的续流管。此次改进选用1N5408管,其参数为反向击穿电压为1000V,正向整流为3A,经更换续流管后,未再发生续流管击穿,有效提高了执行元件的可靠性。

摘要： 本文在分析基本型无桥Boost PFC 工作原理的基础上提出一种改进型无桥Boost PFC 拓扑结构，该拓扑结构具有通态损耗低、电流采样简单、电磁干扰小的优点。为了降低开关损耗，进一步提高效率，提出在改进型无桥Boost PFC的基础上增加无源无损缓冲电路，该缓冲电路不仅能实现开关管的零电压关断和接近零电流的软开通，同时续流二极管实现零电压导通。在分析无桥Boost PFC 拓扑结构及所加无源无损缓冲电路的基础上，采用单周期控制芯片IR1150 设计了1 kW的实验样机，实验结果表明该缓冲电路能有效降低开关过程中的du/dt 和di/dt，降低开关损耗，功率为1 kW 时功率因数大于0.99，效率达到0.97。

摘要： 分析了以带中性点的续流二极管和相移控制两项技术为基础，并采取低闪变控制方式的新型整流电源的工作原理及特性，计算机模糊控制仿真研究表明，新型整流电源显著减少了谐波大小，降低了无功功率及其波动，使电网平均功率因数效高，同时也大大减少了电压闪变。

摘要： 本发明提供一种恒流二极管的制作方法和恒流二极管，包括：在基底的表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，对所述基底进行离子注入，形成离子注入层；在所述离子注入层的上方形成第二掩膜层；去除所述第一掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽中形成金属层。本发明提供的恒流二极管的其制作方法和恒流二极管，首先在第一掩膜层的阻挡下对基底进行离子注入形成离子注入层，然后刻蚀沟槽，通过第二掩膜层将需要刻蚀沟槽的区域保护起来，从而避免了现有技术要在深沟槽内涂抹光刻胶这一步骤，提升了产品的良率。

摘要： 本发明提供一种恒流二极管的制作方法和恒流二极管，包括：在基底的表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，对所述基底进行离子注入，形成离子注入层；在所述离子注入层的上方形成第二掩膜层；去除所述第一掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽中形成金属层。本发明提供的恒流二极管的其制作方法和恒流二极管，首先在第一掩膜层的阻挡下对基底进行离子注入形成离子注入层，然后刻蚀沟槽，通过第二掩膜层将需要刻蚀沟槽的区域保护起来，从而避免了现有技术要在深沟槽内涂抹光刻胶这一步骤，提升了产品的良率。

摘要： 本发明提供了一种恒流二极管的制造方法和一种恒流二极管，其中，恒流二极管的制造方法，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。本发明的技术方案使得恒流二极管与肖特基二极管可以采用相同的工艺平台进行开发，降低了半导体器件的生产成本，并且有效扩展了半导体器件的生产线。

摘要： 本发明公开了一种恒流二极管与稳压二极管并联分压的直流辅助电源，包括由M个恒流模块和N个稳压模块依次串联组成，其首端和尾端分别接直流电源输入的正端HV+和直流电源输入的负端HV-，其中，M＝{1，2，...，i，...，m}，N＝{1，2，...，j，...，n}，m≥n≥1，另外，M和N数量确定的原则是，保证任一所述恒流模块运行在其恒流的工作电压范围，保证任一所述稳压模块运行在其稳压的工作电压范围。本发明设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不但能够克服现有的直流辅助电源高压适应性的不足，而且能有效地实现高低压直流电源的直接转换。

摘要： 本发明公开了一种恒流二极管与稳压二极管并联分压的直流辅助电源，包括由M个恒流模块和N个稳压模块依次串联组成，其首端和尾端分别接直流电源输入正端HV+和直流电源输入负端HV-，其中，M＝{1，2，…，i，…，m}，N＝{1，2，…，j，…，n}，m≥n≥1，另外，M和N数量确定的原则是，保证任一所述恒流模块运行在其恒流的工作电压范围，保证任一所述稳压模块运行在其稳压的工作电压范围。本发明设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不但能够克服现有的直流辅助电源高压适应性的不足，而且能有效地实现高低压直流电源的直接转换。

摘要： 本发明公开了一种扩流型恒流二极管与稳压二极管并联分压的直流辅助电源，包括由M个恒流模块和N个稳压模块依次串联组成，其首端和尾端分别接直流电源输入的正端HV+和直流电源输入的负端HV-，其中，M＝{1，2，…，i，…，m}，N＝{1，2，…，j，…，n}，m≥n≥1，另外，M和N数量确定的原则是，保证任一所述恒流模块运行在其恒流的工作电压范围，保证任一所述稳压模块运行在其稳压的工作电压范围。本发明设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不但能够克服现有的直流辅助电源高压适应性的不足，而且能有效地实现高低压直流电源的直接转换。

摘要： 本发明提供的一种带续流二极管保护功能的选极型封装大功率晶体管，包括底座；所述底座中部加工有管座，管座上安装有引线组件、晶体管管芯、二极管管芯，引线组件通过绝缘套固定安装在管座的一端，引线组件的下端伸出底座底部，引线组件和晶体管管芯、二极管管芯之间通过铝丝连接，所述上依次安装有陶瓷片和银铜焊片，晶体管管芯和二极管管芯焊接在银铜焊片上。本发明该产品内部晶体管管芯并联续流二极管管芯，为线路设计节约了安装空间，实现产品的集成化，提高了产品可靠性，在大功率及高可靠应用领域具有很强推广价值，具有很高的经济效益和社会效益。

摘要： 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，集成的肖特基势垒FWD可以实现较低的二极管导通压降和减少反向恢复时间和损耗。本发明可以较好地降低碳化硅功率半导体器件的应用成本和减少器件应用时的外围器件数，具有较大的应用价值。

摘要： 本实用新型提供的一种带续流二极管保护功能的选极型封装大功率晶体管，包括底座；所述底座中部加工有管座，管座上安装有引线组件、晶体管管芯、二极管管芯，引线组件通过绝缘套固定安装在管座的一端，引线组件的下端伸出底座底部，引线组件和晶体管管芯、二极管管芯之间通过铝丝连接，所述上依次安装有陶瓷片和银铜焊片，晶体管管芯和二极管管芯焊接在银铜焊片上。本实用新型该产品内部晶体管管芯并联续流二极管管芯，为线路设计节约了安装空间，实现产品的集成化，提高了产品可靠性，在大功率及高可靠应用领域具有很强推广价值，具有很高的经济效益和社会效益。

摘要： 本实用新型公开了一种极软恢复特性的高压续流二极管，包括高压续流二极管本体和高压续流二极管诊断控制装置，所述阳极板设置在阴极板的上端，所述保护环与钝化层的内侧固定连接，所述钝化层与阳极板连接，所述LEM电流传感器通过串联与高压续流二极管电性连接，所述高压续流二极管通过并联与MOS晶体管电性连接，所述电容器的两端通过并联连接至MOS晶体管的栅极和漏极，所述电阻器的两端通过并联连接至MOS晶体管的栅极和源极。本实用新型的高压续流二极管和LEM电流传感器串联连接能用于功率变换器两相及两相以上续流二极管，同时出现故障时的故障检测、故障种类辨别和故障相定位等。