分立器件

摘要： 4月15日,北京燕东微电子股份有限公司(简称“燕东微”)科创板首发申请获得受理,拟募资40亿元。从股权结构来看,国家集成电路基金现持有燕东微11.09%股份。燕东微成立于1987年,是一家集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业,经过三十余年的积累,公司已发展为国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商。主营业务包括产品与方案和制造与服务两类业务。主要市场领域包括消费电子、汽车电子、新能源、电力电子、通讯、智能终端和特种应用等。

摘要： 安世半导体(Nexperia)是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家,持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。安世半导体连续在2020和2021年参加中国国际进口博览会,借此机会我们特别专访了安世半导体全球销售资深副总裁张鹏岗,请他介绍安世如何运用逻辑电路、分立器件和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)方面的最新技术推动全世界电子设计的发展。

摘要： 陕西半导体及集成电路产业近年来快速发展,全省半导体产业规模在国内排名由2011年的第8位上升至2021年的第4位,仅次于江苏、上海、广东。目前,全省该产业内有相关企业、科研院所等单位270余家,形成了半导体设备和材料研制与生产、集成电路与新型分立器件设计、加工制造与封装测试以及系统应用的较为完整产业链。今年3月,三星电子完成了在西安建设的半导体二期扩建工程,并正式投入生产。

摘要： 随着军品电路板集成度的增加,在调试阶段的排故难度系数增大。本文主要介绍了军品电路板调试阶段下故障检测的意义及发展趋势、故障的特点及分类,重点介绍了常用的故障检测手段,为生产现场电路板的故障解决提供参考。随着军品电子技术的发展,从单层板到多层板,从以分立器件为主的功能单一的集成电路,到现在以BGA、QFP等为主的大规模封装电路。

摘要： 由于传统气密封装方法在封装的过程中会给电子器件带来不利的影响,本文基于银焊膏电流烧结快速互连技术,提出了一种新型的气密封装方法,可用于航天功率分立器件的密封。本文研究了通电过程中接头温度、微观形貌以及剪切强度的变化。在银焊膏电流烧结的过程中,随着有机物的去除,烧结银层升温速率急剧下降,并且最初被有机物分离的银颗粒逐渐相互接触。随着通电时间延长,烧结银接头越来越致密,伴随着接头强度的不断提高。最终获得的烧结银密封接头可以满足封装器件对气密性的要求。

摘要： 佛山市蓝箭电子股份有限公司(以下简称“蓝箭电子”)于9月7日创业板首发过会。两年前,公司曾想在科创板挂牌,但在注册阶段撤回申请。资料显示,蓝箭电子从事半导体封装测试业务,为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品。公司主要产品为三极管、二极管、场效应管等分立器件产品及AC-DC、DC-DC、锂电保护IC、LED驱动IC等集成电路产品。

摘要： 在半导体硅片材料领域,国产企业与国际大厂还存在一些差距。但是在分立器件领域,国产替代已经成为市场主导。中晶科技被行业协会誉为"分立器件用硅研磨片行业领先者",这背后离不开其掌舵人——徐一俊。作为一家上市公司的实际控制人,这是徐一俊人生中第一次接受财经管理类媒体的采访,也是第二次在媒体面前亮相。他的媒体处女秀在公司挂牌新三板后,新厂房项目启动之际。这一次,亦恰逢公司成功上市之机。

摘要： 如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统,以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求,Microchip Technology近日宣布扩大其碳化硅产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。

摘要： 英飞凌科技股份公司推出车用650V CoolSiC^(™)混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP^(™)5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案,除支持双向充电之外,还有助于实现很高的系统集成度。这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用,如车载充电器(OBC)、功率因数校正(PFC)、DC-DC和DC-AC变流器等。

摘要： 综合试验支撑平台需对系统中的关键分立器件进行测试筛选,以保证系统测试的准确性.分立器件测试过程中涉及多项微弱电流、微弱电压信号的施加及测量,平台测试系统的噪声、外部电磁干扰等都会对此类信号的测量精度造成影响,致使测试结果与实际值偏离.本文就微弱电流源产生、微弱电流测量、微弱电压测量及系统级干扰进行了分析,并针对性提出来解决方案.

摘要： 反激变换器是最常见的拓扑之一,具有效率高,变压范围广的特点,在电源适配器、LED驱动等场合中非常常用.但同时高频的开关动作会造成严重的电磁干扰(EMI),其对开关电源效率及安全使用的影响已成为人们关注的热点.本文针对目前现有模型中出现的仿真精度差,模型复杂,建模周期长等缺陷进行了深入研究,提出了通过对分立器件建立高频模型的传导EMI建模方法.利用Saber仿真软件中的Model Architect对MOSFET与功率二极管进行高频建模,主要关注其电容特性,同时通过谐振法获得无源器件及变压器模型并使用Q3D Extractor软件对PCB寄生参数进行了提取.进而按上述方法对一实际方案进行系统的整体建模,并验证了模型的准确性.并利用模型,分析了PCB关键部位布线对EMI的影响.结果显示,系统级主要参数误差不超过5％.传导EMI曲线峰值处误差不超过±5dB.

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 本公开的实施例涉及用于分立电子器件和功率电子器件的连接条带。本公开涉及一种方法，其中由随机数生成器生成的随机值由通过第一专用总线耦合到该生成器的有限状态机存储在集成电路的非易失性熔丝型存储器的存储器区域中，该存储器区域仅可由有限状态机访问。

摘要： 一种分立器件的封装方法及分立器件，用于解决现有分立器件的占用空间大、封装效率低的问题。封装方法包括：提供载体(10)，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层(11)；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜(12)；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘(13)；在至少一个焊盘上焊接芯片(14)形成分立器件模板；采用复合材料(15)对分立器件模板进行塑封处理；在至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔(16)，并将盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘：对金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路或非闭合回路，封装出分立器件。

摘要： 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种集成器件及其制造方法、分立器件、CDMOS，用以解决由于采用在外延层上制作漂移区，而制作外延层的工艺成本很高，所以导致LDMOS的应用范围受到了限制的问题。本发明实施例的nLDMOS和pLDMOS集成器件包括衬底还包括nLDMOS和pLDMOS；其中，所述nLDMOS和pLDMOS位于所述衬底中。由于nLDMOS和pLDMOS位于衬底中，不需要外延层，从而降低了制造成本，扩大了其应用范围。

摘要： 一种分立器件的封装方法及分立器件，用于解决现有分立器件的占用空间大、封装效率低的问题。封装方法包括：提供载体(10)，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层(11)；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜(12)；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘(13)；在至少一个焊盘上焊接芯片(14)形成分立器件模板；采用复合材料(15)对分立器件模板进行塑封处理；在至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔(16)，并将盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘：对金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路或非闭合回路，封装出分立器件。

摘要： 本发明实施例公开了一种分立器件的封装方法及分立器件，用于解决现有分立器件的占用空间大，封装效率低的问题。本发明实施例方法包括：提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。

摘要： 本发明提供一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件。本发明利用二极管整流效应和单纯具有磁电阻效应的器件共同作用，来实现整流磁电阻效应。本发明还提供一种上述整流磁电阻器件的制备方法。本发明还提供一种基于上述整流磁电阻器件建立数学理论模型的方法。该方法利用各器件的电学特性及其工作原理建立的理论数学模型来仿真器件的电输运特性。本发明通过将整流器件和磁电阻器件并联，将整流效应和磁电阻效应有机的结合在一起，从而实现了整流电压随外磁场的变化而变化，即实现了整流磁电阻效应。

摘要： 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种集成器件及其制造方法、分立器件、CDMOS，用以解决由于采用在外延层上制作漂移区，而制作外延层的工艺成本很高，所以导致LDMOS的应用范围受到了限制的问题。本发明实施例的nLDMOS和pLDMOS集成器件包括衬底还包括nLDMOS和pLDMOS；其中，所述nLDMOS和pLDMOS位于所述衬底中。由于nLDMOS和pLDMOS位于衬底中，不需要外延层，从而降低了制造成本，扩大了其应用范围。

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种立体分立器件及控制模块，其中，立体分立器件包括芯片和金属的焊线框架，焊线框架包括竖直相邻的框架顶部和框架底部，框架顶部包括支撑面和依次连接的多个侧面，焊线框架上开设有供散热介质通过的散热孔，其至少贯穿支撑面，芯片固定在侧面。立体的焊线框架的每个侧面上设置有芯片，提高了芯片的数量，使得分立器件可以做到超大功率；通过将焊线框架设置为金属框架，芯片能够将热量快速传导到焊线框架上进行散热，且焊线框架内设置的散热孔，散热孔内的循环的散热介质能够主动带走焊线框架上的热量，实现强制散热，为超大功率的分立器件提供保障，保证分立器件即使在功率很大的情况下也能稳定地工作。

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种分立器件、功率模块和散热系统，包括：焊线框架，包括相邻设置的顶部和底部，所述顶部包括支撑面和依次连接的多个侧面，所述多个侧面位于所述支撑面和所述底部之间；芯片设置在各所述侧面上。焊线框架设有多个侧面，且在每个侧面上设置有芯片，提高了芯片的放置个数，增大了芯片集成密度，且焊线框架的顶部设置为金属结构，芯片能够将热量快速传导到该顶部的表面进行散热，同时焊线框架的顶部设为一体化金属结构并设置有支撑面，使焊线框架具有较稳定的支撑性能且不易受压变形，该分立器件兼顾了体积小、芯片集成密度大、散热性高和支撑性能的强特点。

摘要： 本实用新型公开一种分立器件及分立器件散热装置，包括散热装置和分立器件，所述散热装置包括散热壳体和导热机构，所述分立器件设置在散热壳体内，所述散热壳体内的底部设置有固定块；所述分立器件侧面上设有散热鳍片，所述分立器的侧面固定连接有针脚，所述针脚的一端贯穿散热壳体，并与散热壳体贯穿处固定连接；所述散热壳体正对散热鳍片的侧面上设有散热通孔，所述固定块下方设有气体导流通道，所述导热机构设置在散热壳体外的侧面上，所述气体导流通道连通散热壳体内部与散热壳体外部的导热机构。本实用新型通过导热机构将分立器件底部的热量及时传导至散热壳体外部，提高了整个半导体分立器件的散热性能。