事业体制

摘要： 自1978年《人民日报》等提出事业单位进行“事业体制、企业化管理”改革以来,我国的事业单位改革一直围绕着政府与事业单位的关系进行。魏福明在《我国事业单位的改革逻辑与路径研究》一文中指出:随着改革的深入,人们对事业单位改革的认识也不再停留在事业单位“改”还是“不改”、政府与事业单位“分”还是“不分”的阶段,“如何改”“怎么分”逐渐成为关注的重点。可以说,能否抓住政事关系的实质,正确处理好政府与事业单位的关系,影响着事业单位改革的成效。

摘要： 多年以来,公证在推动社会经济发展、构建现代化社会治理体系建设、保障民生等方面发挥了积极作用,是社会主义法治体系的重要组成部分。然而,近年来,随着社会经济的转型发展,公证行业体制机制改革面临的新情况、新问题等共同影响,事业体制公证处在内部管理、业务发展等方面面临着新的困惑与挑战。人才流失、业务结构调整、市场竞争压力、社会负面报道不断……种种问题纷至沓来,如何破解这一困局成为事业体制公证机构所亟待解决的主要问题。

摘要： 自1979年以来,国有文艺院团进行了数轮改革,2002年之前体现为事业体制内的机制变革,2003年后从机制变革转向体制创新,启动了以转企改制为核心以建立现代企业制度,增强市场竞争能力为目标的新一轮改革。据《2013年中国演出市场年度报告》发布:“至2013年,国有院团以企业为主体﹑事业为补充,面向市场的新型演艺体制格局已经形成”。

摘要： 在社会不断发展的当今,事业单位也在进行着适应时代的改革。现今社会,事业单位的固定资产是组成国有资产的重要部分之一,事业单位固定资产管理的力度对国有资产的价值有着直接影响,是事业单位开展日常工作的重要前提。近些年来,随着我国对事业体制的不断改革,政府对固定资产的管理工作也愈发重视起来。本文意在针对我国现状,从实际角度出发研究加强固定资产管理的重要性,并结合一些现存问题进行深入分析,政府实施的会计政策对固定资产管理的意义,以此提出几点具有参考意义的建议。

摘要： 随我国社会经济的发展变革,具备社会管理和公共服务职能的事业单位的体制也在不断升级,为适应市场变动,部分事业单位逐渐向市场化变革,转向企业优化运营。对于这部分事业单位而言,其财务管理方式趋向于企业,和一般性事业单位不同,事业单位在企业化运营中,其财务管理还存在不少问题。本文首先阐述了事业单位企业化运营下的会计制度改革,明确事业单位企业化运营下的财务管理重点。再结合实践,分析事业单位企业化运营下财务管理中存在的问题。最后结合问题提出适宜的优化建议,一起为企业化运营下的事业单位管理提供借鉴。

摘要： 在今后的很长一段时期内,公证机构体制改革都将会是一个重要的研究课题。在文中就当前事业体制公证机构面临的困境进行了分析,并就深化事业体制公证机构改革的措施进行了探讨。

摘要： 在今后的很长一段时期内,公证机构体制改革都将会是一个重要的研究课题.在文中就当前事业体制公证机构面临的困境进行了分析,并就深化事业体制公证机构改革的措施进行了探讨.

摘要： 2018年,是加快推进公证体制改革机制创新的重要年份。全国公证行业坚持以人民为中心的发展思想为指导,深入推进公证领域''放管服''改革,充分发挥职能作用,克服了外部政策调控、内部改革尚不到位等诸多因素带来的困难,全年办证量虽略有下降,但仍好于预期;业务收费、公证员数量创历史新高.

摘要： 新媒体强烈冲击、广告法规范管理、广告客户分流转移……地级市广播电视台的经营创收面临诸多挑战和难题。目前,部分地方台已陷入难以为继的生存困境。由于长期受事业体制机制的影响与束缚,地市级广播电视台的转型升级难以一蹴而就,必须从转变观念、创新机制与身份转换等方面来推动。

摘要： 2000年，司法部批准实施的《关于深化公证工作改革的方案》，要求将原行政体制的公证处尽快改为事业体制。改制后的公证处应成为执行国家公证职能、自主开展业务、独立承担责任、按市场规律和自律机制运行的公益性、非营利的事业法人。2016年，司法部会同中央编办、财政部印发《关于推进公证机构改革发展有关问题的通知》，就推进公证机构改革发展有关问题作出部署.

摘要： 党的十六届三中全会提出“要大力发展国有资本、集体资本和非公有制等参股的混合所有制经济，实现投资主体多元化，使股份制成为公有制的主要形式”的改革方向和目标。本文介绍了引入外部资本，实现事业体制外的企业创新、联合地勘单位，实现内部资金股份化以及一厂一策，形式多样，积极稳妥地推进产权制度改革等本局深化产权制度改革做法与体会。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。