企业体制

摘要： 在世界范围内家族式企业是最普遍的一种企业形式,在我国经济体制中也扮演着重要的角色.近年来我国经济高速发展,也涌现了大批出色的家族企业.家族式企业在创业初期凭借血缘关系的强大凝聚力和家族共同利益的驱使下可以在短时间内取得耀眼的成绩.但是在企业迅速扩张的过程中,家族企业的不足之处也逐渐暴露出来.本文通过分析家族企业的现状,指出其优点以及存在的问题,进而提出相应的改进措施.

摘要： 创建于1890年的汉阳铁厂,在投产两年后由官办转为官督商办,究其原因,既符合企业体制自身的发展规律,亦是晚清时期内外环境变化及各方势力博弈的结果.而进一步探究发现,官督商办体制适应了晚清社会从传统向现代过渡的进程,这种过渡的杂糅决定了汉阳铁厂难以从官办直接转变为完全商办.

摘要： 关于人本管理思想在企业管理中的应用,论文首先提出了人本管理思想在企业管理中应用的重要性,其次提出了人本思想在企业管理的应用中存在管理观念有待提升以及缺乏完善的企业体制两方面问题,最后针对这些问题提出了相应的解决措施,旨在促进人本管理思想在企业管理中发挥积极的作用,促进企业的稳定发展.

摘要： 随着市场经济的发展,房地产市场竞争愈发激烈,中小地产企业为争得与扩大生存空间,面临着巨大挑战。文章在此背景下,围绕中小房地产企业的管理思维展开探讨。

摘要： 国企党建工作是国有企业独特的政治优势,对国有企业党内工作体系标准化的探索,既是适应全面从严治党、提高国有企业党的建设科学化水平的必然要求,也是发挥政治优势、促进国有企业科学发展的现实要求。为推动我国国有企业可持续发展,提升社会资源利用效率,必须规范党建工作,在实践中发挥党务部门的组织优势,在把握整体格局与行业环境的基础上,结合实际情况,革新党组织发展建设路径,持续推进基层党组织工作,服务于国企管理体制改革,构建体现社会主义价值观的企业集体文化。

摘要： 我国企业对外直接投资的规模越来越大,取得了举世目睹的成绩,但是所面临的风险也越来越大,对外直接投资失败的案例也很多.因此,分析我国企业对外直接投资失败的原因对提高我国企业对外直接投资的成功率非常重要.本文首先分析了我国对外直接投资的现状,并在此基础上,进一步探讨了我国企业对外直接投资失败的原因,希望对我国企业成功"走出去"和"走下去"起到借鉴的作用.

摘要： 优秀传统思想文化成为企业最基本的文化基因,是企业在创业、发展、低谷、辉煌过程中逐渐形成的有别于其他企业的独特标识。习近平总书记提出的新时代文化建设的基本方略,为我们抓好企业文化建设,培育和践行企业核心价值观提供了重要遵循。持之以恒培育和践行核心价值观企业价值观是企业文化和管理的灵魂,是企业向更高层次发展的内在要求。它不是游离于企业体制之外的,而是企业体制的重要组成部分。如果说经营设施、生产能力、资本等这些＂硬实力＂是比较容易复制和替代的话.

摘要： 我国企业对外直接投资的规模越来越大,取得了举世目睹的成绩,但是所面临的风险也越来越大,对外直接投资失败的案例也很多。因此,分析我国企业对外直接投资失败的原因对提高我国企业对外直接投资的成功率非常重要。本文首先分析了我国对外直接投资的现状,并在此基础上,进一步探讨了我国企业对外直接投资失败的原因,希望对我国企业成功“走出去”和“走下去”起到借鉴的作用。

摘要： 时至今日,世界经济格局发生巨大变化,日本经济在全球经济的整体地位逐渐削弱,日本各大企业集团的国际化影响和品牌知名度也受到新兴经济体的巨大冲击。但是,日本企业集团颇具特色的成长脉络、严谨的结构组成及其教科书式的体制特点,对世界各发达国家、新兴工业化国家特别是发展中国家仍具有宝贵的借鉴和学习意义。

摘要： 本文从制度、体制与机制的基本概念出发，以华为公司实例为基础进一步分析这三者之间的联系与区别，并对三者的关系加以分析和总结，并制度、体制与机制的相关理论作了进一步的探索性研究提出相关发展建议

摘要： 当前,我国企业产权体系具有两重性,一方面,中国特色社会主义产权体系在本质上实现了现代产权制度,另一方面,现有产权体系中还存在着部分古典产权制度痕迹.这导致经济高速增长中一些宏观缺陷,制约了我国经济发展.因此,需要加强现代产权制度建设,消除古典产权制度痕迹,进一步完善中国特色社会主义产权体系,由此,能够克服古典产权制度痕迹导致的宏观经济缺陷,跨越"中等收入陷阱",促进国民经济健康可持续发展.

摘要： 当前,我国企业产权体系具有两重性,一方面,中国特色社会主义产权体系在本质上实现了现代产权制度,另一方面,现有产权体系中还存在着部分古典产权制度痕迹.这导致经济高速增长中一些宏观缺陷,制约了我国经济发展.因此,需要加强现代产权制度建设,消除古典产权制度痕迹,进一步完善中国特色社会主义产权体系,由此,能够克服古典产权制度痕迹导致的宏观经济缺陷,跨越"中等收入陷阱",促进国民经济健康可持续发展.

摘要： 当前,我国企业产权体系具有两重性,一方面,中国特色社会主义产权体系在本质上实现了现代产权制度,另一方面,现有产权体系中还存在着部分古典产权制度痕迹.这导致经济高速增长中一些宏观缺陷,制约了我国经济发展.因此,需要加强现代产权制度建设,消除古典产权制度痕迹,进一步完善中国特色社会主义产权体系,由此,能够克服古典产权制度痕迹导致的宏观经济缺陷,跨越"中等收入陷阱",促进国民经济健康可持续发展.

摘要： 在经济全球化的大背景下，随着产品复杂性上升和市场竞争多样化的加剧，我国企业面临着rn内部缺乏创新能力和外部环境要求创新的双重困境。因此，企业正确合理地利用和处理企业间的竞争合作关系,是企业健康快速发展的决定性因素.本文运用因子分析的方法,建立企业竞合关系评价体系,构建企业竞合关系评价模型,将企业竞合关系量化,使企业能相对准确地选择最佳合作者,并在合作关系中及时调整战略,达到合作企业双方共赢的战略目标.

摘要： 在经济全球化的大背景下，随着产品复杂性上升和市场竞争多样化的加剧，我国企业面临着rn内部缺乏创新能力和外部环境要求创新的双重困境。因此，企业正确合理地利用和处理企业间的竞争合作关系,是企业健康快速发展的决定性因素.本文运用因子分析的方法,建立企业竞合关系评价体系,构建企业竞合关系评价模型,将企业竞合关系量化,使企业能相对准确地选择最佳合作者,并在合作关系中及时调整战略,达到合作企业双方共赢的战略目标.

摘要： 在经济全球化的大背景下，随着产品复杂性上升和市场竞争多样化的加剧，我国企业面临着rn内部缺乏创新能力和外部环境要求创新的双重困境。因此，企业正确合理地利用和处理企业间的竞争合作关系,是企业健康快速发展的决定性因素.本文运用因子分析的方法,建立企业竞合关系评价体系,构建企业竞合关系评价模型,将企业竞合关系量化,使企业能相对准确地选择最佳合作者,并在合作关系中及时调整战略,达到合作企业双方共赢的战略目标.

摘要： 在经济全球化的大背景下，随着产品复杂性上升和市场竞争多样化的加剧，我国企业面临着rn内部缺乏创新能力和外部环境要求创新的双重困境。因此，企业正确合理地利用和处理企业间的竞争合作关系,是企业健康快速发展的决定性因素.本文运用因子分析的方法,建立企业竞合关系评价体系,构建企业竞合关系评价模型,将企业竞合关系量化,使企业能相对准确地选择最佳合作者,并在合作关系中及时调整战略,达到合作企业双方共赢的战略目标.

摘要： 产学研合作是促进我国企业技术创新能力成长的关键性策略.从知识理论的视角来看,产学研合作的过程就是合作各方知识创造的过程.知识转移是产学研知识管理的基础性行为,分为企业、团队和个体三个层面.企业视角下产学研知识转移机理的解析不仅构建了完整的产学研知识转移体系,也为产学研知识管理研究的深化奠定了基础,又为产学研知识理论转换为具体的企业职能管理行为创造了有利条件.

摘要： 产学研合作是促进我国企业技术创新能力成长的关键性策略.从知识理论的视角来看,产学研合作的过程就是合作各方知识创造的过程.知识转移是产学研知识管理的基础性行为,分为企业、团队和个体三个层面.企业视角下产学研知识转移机理的解析不仅构建了完整的产学研知识转移体系,也为产学研知识管理研究的深化奠定了基础,又为产学研知识理论转换为具体的企业职能管理行为创造了有利条件.

摘要： 产学研合作是促进我国企业技术创新能力成长的关键性策略.从知识理论的视角来看,产学研合作的过程就是合作各方知识创造的过程.知识转移是产学研知识管理的基础性行为,分为企业、团队和个体三个层面.企业视角下产学研知识转移机理的解析不仅构建了完整的产学研知识转移体系,也为产学研知识管理研究的深化奠定了基础,又为产学研知识理论转换为具体的企业职能管理行为创造了有利条件.

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 本发明公开了一种实用的半导体制造企业主生产计划方法，包含以下步骤：A、分层计算：分层计算指的是分多次计算计划，每次只计算一部分的计划。如第一次计算到60%，第二次计算到80%。每次计算的百分比可用参数配置。B、隔次轮换时间的计算方向；C、按照用户定义的约束确定是否可排计划；D、先排整批的计划，再排不满批的计划；E、将所有没有排进去的量按WS（Wafer Start晶圆投入）总量平均的原则全部排入。本发明的有益效果是：1、考虑的因素较少，简化了系统的运行，从而提高了实施成功率。2、需维护的数据较少，提高了计划调整的灵敏度，3、更好的实现了平均的投入及产出，既保证了生产的平稳运行，又提高了对客户交期承诺的准确性。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。