解理断裂

摘要： 铝具有强度高、塑性好、抗腐蚀性能优异等特点,广泛应用于汽车工业中,但是传统的钎焊并不能实现纯铝的有效连接,因此考虑电阻钎焊的方法。对比高温钎焊和电阻钎焊纯铝接头的微观组织形貌和力学性能,采用两步电阻钎焊方法,在第一步施加1 s+3 kA的电流,在第二步施加6 s+6 kA的电流,以获得连接性能良好的钎焊连接层。结果表明,高温钎焊接头的连接层中晶粒呈现粗大的树枝状晶,电阻钎焊接头的连接层晶粒则呈现圆形的等轴状晶;且电阻钎焊接头的断面是韧性断裂和解理断裂交杂的混合型断裂模式;同时由于电场的施加,增多了连接层中异质形核结点,抑制了枝晶的生长,最终得到晶粒细小的钎焊接头,抗拉强度达到65.79 MPa。

摘要： 某井壁取心仪器推靠器结构中推靠头与螺钉发生断裂。通过对断裂件断口进行宏观与微观分析,确定推靠头的失效模式为解理断裂、螺钉的失效模式为疲劳断裂。两者的化学成分符合标准对于17-4PH钢的技术要求,推靠头的硬度值符合标准要求,螺钉的硬度值低于标准要求下限。金相组织分析结果显示,除正常的马氏体组织外,两者均含有δ-铁素体的存在。综合理化试验结果与推靠器结构特点,判定出螺钉为首断件。

摘要： 使用扫描电镜、金相显微镜、维氏硬度计和直读光谱仪,对某车型开发验证试验中断裂的拖车钩进行了失效分析。拖车钩断口形貌为解理断裂,断面分布次生裂纹,呈脆性断裂特征;金相组织为细网状、针状和块状分布的铁素体及片状珠光体,晶粒粗大且部分区域铁素体沿晶界向珠光体内部生长形成魏氏组织,是典型的锻造过热组织;硬度220 HV10不满足设计强度要求;化学成分符合设计材料标准要求。试验结果表明:锻造过热组织强度和韧性不足,导致拖车钩在试验过程中受力发生过载脆性断裂。对拖车钩进行调质处理后进行功能验证试验,结果合格。

摘要： 对一种新型镍基单晶高温合金在不同应变幅(0.7%~1.2%)下进行760°C高温低周疲劳试验,探讨了应变幅对合金低周疲劳行为的影响,分析了其疲劳塑性变形特点和疲劳断裂机制。结果表明:随着应变幅的增加,合金的低周疲劳寿命缩短,循环软化程度显著降低;当应变幅为0.7%,0.8%时,位错在与应力轴垂直的基体通道中的平面滑移及位错滑移带的形成是疲劳变形的主要方式,疲劳裂纹起源于合金内部缩孔处,断口形貌的主要特征是疲劳解理台阶和撕裂棱,断裂机制为解理断裂;当应变幅为1.0%,1.2%时,位错剪切γ′相粒子及层错的出现是合金变形的主要特征,裂纹起源于合金表面应力集中的滑移带或显微疏松位置,裂纹在{111}滑移面上沿〈110〉方向扩展,断口形貌的主要特征是锯齿台阶和河流花样,断裂机制为解理断裂。

摘要： 材料内部的解理、滑移面剥离等细观损伤是引起宏观失效的根源,从细观尺度研究损伤的发生和发展有助于深入认识材料的变形和失效过程.本文基于晶体塑性理论,从滑移系的受力和变形出发研究材料的细观损伤,建立了考虑滑移面分解正应力的细观损伤模型,为晶体材料解理断裂的分析提供了新方法.首先,在晶体弹塑性变形构型的基础上引入损伤变形梯度张量的概念,从变形运动学着手建立了考虑损伤能量耗散的本构方程,并推导了塑性流动方程与损伤演化方程;然后,建立了相应的数值计算方法,给出了应力与状态变量的更新算法,推导了Jacobian矩阵的表达式;接着,以[100]取向的单晶铜材料为例,通过有限元计算与试验结果的对比,并采用粒子群优化算法标定了11个材料细观参数;最后,将所提细观损伤模型应用于RVE单轴拉伸过程的模拟,得到了考虑损伤影响的应力应变曲线,并分析了材料的塑性流动与损伤演化过程.结果表明,本文所提模型能够计算材料在受载过程中的损伤累积效应,合理反映晶体材料的细观损伤机理.

摘要： 某TC4钛合金压紧杆静拉伸试验正常,但在装配试验过程中断裂.本文对断裂压紧杆进行了综合分析,利用扫描电镜观察分析了压紧杆的断裂特征,利用金相显微镜分析了压紧杆断口附近的金相组织,利用能谱仪测试了压紧杆的氢、氧含量.通过断口微观检查可知,断口源区呈明显的解理脆性断裂特征.通过压紧杆断口表面能谱分析可知,氢元素超标,断口附近金相组织可见魏氏体组织,局部还存在网篮组织.试验和分析结果表明,该TC4钛合金压紧杆断裂性质为脆性断裂.压紧杆在锻造过程中变形不充分,形成了魏氏体组织和网篮组织.这种金相组织状态使得氧和氢更容易沿着α和β晶界扩散,降低材料塑性,使得钛合金压紧杆脆性增大,最终导致钛合金压紧杆脆性断裂.

摘要： 落锤撕裂试验(DWTT)表征了材料全面断裂行为,作为一类评价管道裂缝扩展阻力的标准方法已被广泛应用。由于是评估抵抗脆性断裂的测试方法,因此,正常断口的脆性区或解理断裂必须从试样的缺口端开始。如果缺口端是韧性断口,之后转变为解理断裂,则称为异常断口。图1为试样的正常断口和异常断口。断口形貌取决于试样的测试温度、厚度和缺口形状。

摘要： 以60Si2MnAT、60Si2CrVAT、51CrV4、52CrMoV4四种高速车常用弹簧钢材料为研究对象,首先研究了不同热处理工艺下弹簧钢的微观组织及力学性能,以明确最佳热处理工艺;然后研究了从室温至-100°C范围内弹簧钢的力学性能演变规律及断裂特征,以优选出低温力学性能最佳的弹簧钢材料.结果表明,室温下60Si2CrVAT的拉伸性能最优,51CrV4的冲击性能最优.随着温度的降低,对材料的拉伸性能影响不大,而冲击性能逐渐下降.51CrV4材料在-80°C～室温时冲击功值在10J以上,低温性能优于其他三种弹簧钢材料.建议在严寒地区及昼夜温差大的地区的弹簧钢材料优选51CrV4.

摘要： 采用NiCrMo-3焊丝实现纯钨(W)和0Cr13Al钢的TIG熔钎焊接,利用OM、SEM、EDS、显微硬度计和电子万能试验机等手段研究接头的微观组织、成分分布、力学性能及断裂特征.结果表明:焊缝金属与钨母材形成的钎焊界面润湿性良好,钨母材表面溶解后的W原子扩散进入焊缝金属中,并在界面断续形成厚度不超过1μm的富W、Ni金属间化合物层;焊缝金属与钢母材形成的熔焊界面主要因Ni元素的扩散进入,在钢母材中沿熔合线形成宽5～10μm的马氏体层.焊缝金属大致可分为W原子固溶强化区、完全混合区和不完全混合区等三个显微硬度相差较大的区域.接头抗拉强度为167 MPa,断裂面主要位于距钨母材/焊缝金属结合面50～300μm的钨母材中,为典型的解理断裂形貌.

摘要： 综合预裂纹尖端形状和断口的显微观察及有限元计算和模拟,提出HSLA钢在-110°C时解理断裂的物理模型.这个模型包含三个断裂准则即:ε≥ε,使裂纹源起裂;σ/σ≥T,防止起裂的裂纹源钝化;σ≥σ,使裂纹源解理扩展.附加一个补充条件:一个短裂纹在预裂纹尖端产生并反复扩展、钝化.当试件受载,预裂纹只是钝化时,累计应变足以使裂纹源起裂的区域(ε≥ε)和三向应力度及正应力足以防止裂纹源钝化并使其扩展的区域(σ/σ≥T,σ≥σ)是分离的,因而起裂的裂纹源不能扩展,而被钝化.当载荷达到某一个值时,一个短裂纹在钝化的预裂纹尖端产生并反复扩展、钝化,使钝化的顶裂纹尖端构形重新尖锐化.此时应力和应变的相对分布发生改变,在应变场基本不变的情况下,应力场向裂尖移动使得原本分离的两个分别满足裂纹起裂和扩展的区域接近,在载荷达到临界值时二者重叠,此时解理裂纹可以在重叠位置起裂并扩展.这个临界载荷决定了断裂载荷的最小值,这个起裂距离就是解理断裂的最小距离.

摘要： 某油缸在服役半年后发生断裂;通过化学成分分析、金相检验和断口分析等方法,对油缸的断裂失效原因进行了分析.结果表明:油缸发生解理断裂,魏氏组织以及粗大晶粒的存在使得解理断裂临界应力降低,同时油缸油孔处的早期损伤使得应力在此处集中,在两者共同作用下油缸发生断裂.

摘要： 研究了正火及回火热处理对风电球铁(QT400-18)微观组织及力学性能的影响,对风电球铁铸态及热处理后的拉伸断口形貌进行了分析。结果表明：正火及回火热处理使风电球铁基体组织中含有95％以上珠光体,力学性能可达到QT750-5以上的牌号要求.风电球铁铸态的拉伸断口具有韧性断裂的特征,而其热处理后的拉伸断口具有脆性解理断裂的特征.

摘要： 对X70管线钢焊接热影响区的冲击试验结果进行了分析。结果表明，X70管线钢焊接热影响区冲击试样的冲击功与断口剪切面积基本成线性比例关系。冲击功越高．剪切面积越大。焊接热影响区冲击试样的断口由韧性区、脆性区和韧脆混合区组成。脆性区为解理断裂，韧脆混合区为准解理断裂。

摘要： Beremin解理断裂局部法理论的发展为进行脆断研究提供了一种新的方法.本文采用该理论预测了国产核压力容器用钢A508-Ⅲ钢的断裂韧性,从理论上证明了对于大多数压力容器所使用的C-Mn钢,62％的解理断裂概率相对应的载荷是最有可能引起结构解理断裂的载荷,此时对应的断裂韧性值也最有可能接近材料真实的断裂韧性值,研究也表明国产A508-Ⅲ钢三点弯曲试样62％的解理断裂概率相对应的断裂韧性值与试验值较为接近.

摘要： 选取单晶硅(111)面作为冲蚀靶面，对球形颗粒、角形颗粒垂直冲蚀靶面时产生的表面断裂形态与静态球形压痕进行比较，根据硬颗粒冲蚀时在样品表层材料中发生绝热应变的假设，探讨固体硬颗粒冲蚀表面断裂的晶体学特征和表层材料赫茨断裂与解理断裂之间的竞生关系。

摘要： 利用光学显微镜、扫描电镜、背散射电子衍射(Electronbackscattered diffraction,EBSD)以及透射电镜对商业用马氏体钢经淬火和低温回火后的马氏体组织特征进行了定量分析,并且研究了其对韧性的影响.结果表明:试验钢的微观结构由packet,block和lath组成.试验钢的韧脆转变温度(The ductile to brittle transitiontemperature,DBTT)随组织细化而降低.EBSD分析裂纹传播路径发现板条束能更大的阻挡裂纹的传播.因此,马氏体板条束可作为对韧性起作用的组织单元.

摘要： 利用光学显微镜、扫描电镜、背散射电子衍射(Electronbackscattered diffraction,EBSD)以及透射电镜对商业用马氏体钢经淬火和低温回火后的马氏体组织特征进行了定量分析,并且研究了其对韧性的影响.结果表明:试验钢的微观结构由packet,block和lath组成.试验钢的韧脆转变温度(The ductile to brittle transitiontemperature,DBTT)随组织细化而降低.EBSD分析裂纹传播路径发现板条束能更大的阻挡裂纹的传播.因此,马氏体板条束可作为对韧性起作用的组织单元.

摘要： 利用光学显微镜、扫描电镜、背散射电子衍射(Electronbackscattered diffraction,EBSD)以及透射电镜对商业用马氏体钢经淬火和低温回火后的马氏体组织特征进行了定量分析,并且研究了其对韧性的影响.结果表明:试验钢的微观结构由packet,block和lath组成.试验钢的韧脆转变温度(The ductile to brittle transitiontemperature,DBTT)随组织细化而降低.EBSD分析裂纹传播路径发现板条束能更大的阻挡裂纹的传播.因此,马氏体板条束可作为对韧性起作用的组织单元.

摘要： 利用光学显微镜、扫描电镜、背散射电子衍射(Electronbackscattered diffraction,EBSD)以及透射电镜对商业用马氏体钢经淬火和低温回火后的马氏体组织特征进行了定量分析,并且研究了其对韧性的影响.结果表明:试验钢的微观结构由packet,block和lath组成.试验钢的韧脆转变温度(The ductile to brittle transitiontemperature,DBTT)随组织细化而降低.EBSD分析裂纹传播路径发现板条束能更大的阻挡裂纹的传播.因此,马氏体板条束可作为对韧性起作用的组织单元.

摘要： 本发明涉及解理装置、解理设备和解理方法。解理装置包括：壳体，形成有能构建超高真空环境的腔体，所述腔体内设有传样通道，所述壳体适于浸没在冷却流体中；解理组件，设置在所述腔体内并能在所述传样通道的下方运动以靠近或远离所述传样通道；其中，所述腔体还适于容纳测试装置。本发明能实现从解理到测试的全程低温环境。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等，且保护液覆盖腔面并能够使腔面上形成保护膜，并移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。

摘要： 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。

摘要： 本发明涉及解理装置、解理设备和解理方法。解理装置包括：壳体，形成有能构建超高真空环境的腔体，所述腔体内设有传样通道，所述壳体适于浸没在冷却流体中；解理组件，设置在所述腔体内并能在所述传样通道的下方运动以靠近或远离所述传样通道；其中，所述腔体还适于容纳测试装置。本发明能实现从解理到测试的全程低温环境。

摘要： 本发明提供了一种解理装置及解理设备，该装置包括沿同一方向顺次设置的撞击组件、样品台以及收集装置，样品台用于安装带有解理棒的样品；其中，撞击组件能够撞击置于样品台上的样品的解理棒并将解理棒击落至收集装置内，以完成对样品的解理；撞击组件、样品台以及收集装置沿竖直方向由上至下顺次安装在解理装置的支架上；撞击组件包括撞击杆以及限位结构，撞击杆沿竖直方向设置，撞击杆上具有供限位结构卡接的缺口。基于本发明的技术方案，适用于真空以及低温环境，能够定点收集解理棒以及解理过程中的颗粒物，避免损坏真空泵，能够保证每次的撞击力度相同，还能方便将撞击组件调节至需要的撞击力度。

摘要： 本发明涉及微纳加工技术领域，公开了一种解理装置及解理方法，包括承载机构和按压机构，承载机构包括限位件、载台和压力检测器，用于承载待按压的衬底，限位件对应于按压台的位置具有安装腔，载台和压力检测器位于安装腔中，安装腔的腔壁限制载台在垂直于工作面的方向运动。按压机构包括按压台，用于获取附有二维材料的胶带并将胶带按压至衬底上，压力检测器用于检测按压台对载台的压力，可精确显示附着在其上的压力，从而反应出解理过程中按压台将胶带按压至衬底的力度，量化了解理过程的参数，对按压力实现量化可控，减少了人为因素的影响，提高材料解理加工的可重复性。采用上述解理装置的解理方法也具有上述优点。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等，且保护液覆盖腔面并能够使腔面上形成保护膜，并移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。

摘要： 本发明提供的一种用于芯片解理的裂片装置及芯片解理设备，属于芯片解理技术领域，用于芯片解理的裂片装置包括：裂片刀；裂片受台；两块所述支撑块的上表面形成适于放置待解理芯片的承载面；两个支撑块之间形成与所述裂片刀的尖端相对设置的切割缝；两块所述支撑块分别设置在支撑台上；所述待解理芯片的切割线靠近所述承载面、且与所述切割缝对应放置；对准镜头，设置在两个支撑台之间；所述对准镜头的发光端朝向所述切割缝设置；本发明的用于芯片解理的裂片装置，向下移动裂片刀，使得裂片刀与待解理芯片的切割线的背面抵接，并给裂片刀提供按压力，使得芯片沿切割线的方向裂片，顺利完成芯片的解理。