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1/f噪声

1/f噪声的相关文献在1985年到2023年内共计30815篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术 等领域,其中期刊论文182篇、会议论文5篇、专利文献30628篇;相关期刊99种,包括磁性材料及器件、电子学报、红外技术等; 相关会议5种,包括第十六届全国混合集成电路学术会议、中国电子学会第十二届全国青年学术年会、第四届信号与信息处理联合学术会议等;1/f噪声的相关文献由50000位作者贡献,包括王勇、陈小平、不公告发明人等。

1/f噪声—发文量

期刊论文>

论文:182 占比:0.59%

会议论文>

论文:5 占比:0.02%

专利文献>

论文:30628 占比:99.39%

总计:30815篇

1/f噪声—发文趋势图

1/f噪声

-研究学者

  • 王勇
  • 陈小平
  • 不公告发明人
  • 王伟
  • 林勇进
  • 李伟
  • 郑紫微
  • 张波
  • 张磊
  • 张涛
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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作者

    • 李建伟
    • 摘要: 用磁控溅射法在不同温度下退火分别制备有无MgO插层的NiFe薄膜,对比了两种薄膜退火前后的AMR、灵敏度和微观结构。制备态下有无MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声相差不大,退火后无MgO插层薄膜的1/f噪声因扩散而明显上升,退火后有MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声则大幅下降,信噪比提高。电镜分析表明MgO插层在退火过程中会晶化,MgO/NiFe界面更加平整,界面应力下降,缺陷浓度降低,从而使1/f噪声大幅下降。
    • 郑翔; 杨波
    • 摘要: 设计了一个基于激光器调制的微光栅加速度计信号检测系统。对微光机电系统的噪声来源进行了分析与建模,采用激光器高频调制的方法抑制1/f噪声和背景光噪声。实验结果表明,激光器调制降低了1/f噪声,改善了信噪比。相比较未调制系统,调制系统输出在0.01 Hz处的噪声水平降低了约10 dB,符合预期。功率谱密度图显示系统本底噪声达到-100 dB,降低约10 dB。
    • 王长鑫; 张虹; 高会壮; 陈波
    • 摘要: 随着国产LDO器件在装备中的大量使用,为保障元器件应用可靠性,需针对LDO输出噪声指标测试方法进行研究。结合实际验证工作,基于TCAD仿真,分析LDO器件噪声的主要来源模块,包括基准电路、误差放大器和反馈电阻网络。采用低噪声镍氢电池组作为偏置源进行供电,并在测试电路中加入滤波电容和耦合电容,可有效降低测试系统本底噪声对噪声测试结果的影响。搭建输出应用验证测试平台,验证可有效测试LDO的输出噪声,提升LDO参数测试技术及性能可靠性保障能力。
    • 黄洋洋; 陈昌明
    • 摘要: 在现代通信系统中,具有优异相位噪声的鉴频鉴相器(phase frequency detector,PFD)对锁相环(phase locked loop,PLL)来说至关重要。基于0.18μm SiGe HBT工艺设计一款超低相噪PFD。为消除鉴相死区对PLL相位噪声的影响,加入复位延时单元。PFD的逻辑电路均采用发射级耦合逻辑(emitter coupled logic,ECL)结构,从而获得-156 dBc/Hz@10 kHz超低相噪特性。在5 V电源电压下,PFD的工作频率可以达到1 GHz,且在复位脉冲宽度为145 ps时鉴相范围拓宽到[-1.56π,1.56π]。
    • 杨桂霞; 庞元龙; 王晓东; 徐家云; 蒋洞微
    • 摘要: 锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入.本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10-1 Gy·s-1和1.50×10-2 Gy·s-1低剂量率下的γ辐照效应.结果显示,在300 Gy(Si)~1500 Gy(Si)总吸收剂量范围内,表征缺陷浓度的噪声功率谱密度较之辐照前变小,辐照前后噪声功率谱密度差值随着吸收剂量的增大而缓慢增大,噪声功率谱密度、载流子迁移率和载流子浓度在不同的吸收剂量率之间没有明显差异.上述结果表明γ辐照下锑基异质结晶体管未表现出明显低剂量率损伤增强效应,虽然存在微弱的总剂量效应,但是总体而言γ辐射使得锑基异质结晶体管性能变得更为优良,其载流子迁移率较之辐照前增大了1.35%~6.48%,载流子浓度较之辐照前增大了1.43%~6.88%.
    • 程基宽; 胡林娜; 何亮; 郭永刚; 宋志成; 屈小勇
    • 摘要: 太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关.该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f噪声是由带尾态缺陷导致的载流子迁移率涨落所致;通过噪声模型,分析了缺陷在光致衰减(LID)过程中所起的作用;同时与常规电学参量的对比,验证了噪声在表征LID过程中的有效性与灵敏性.
    • 朱美玥; 陈晓娟; 李宁
    • 摘要: 1/f噪声的产生与IGBT器件质量缺陷紧密相关,在检测IGBT单管噪声过程中,热噪声、散粒噪声在低频段表现明显的白噪声特性,通过在强白噪声背景下检测出1/f噪声,即可表征IGBT器件的性能.因此提出了一种基于提升小波变换的小波熵软阈值(Lifting Wavelet Transform-Wavelet Entropy Soft Threshold,LWT-WEST)的1/f噪声检测方法,创新性的将提升小波变换(LWT)与小波熵软阈值(WEST)去噪进行结合,利用提升方案得到的二代小波变换可以更为灵活的构造小波基,达到算法优势互补,实现1/f信号与背景噪声的分离.通过在不同信噪比下的大量实验可知,相较于较优的小波熵软阈值去噪算法检测的信号,基于LWT-WEST去噪算法检测其信噪比可提高3%~4%,而均方误差相应的可下降1%左右,改善了信号检测效果.
    • 周炀; 周逢道; 王绪磊
    • 摘要: 低频噪声的存在对长周期大地电磁接收系统的性能有着较大影响.为提高信噪比和分辨率,研制一种基于斩波技术的低噪声长周期大地电磁采集系统.采集系统由前置模拟信号调理电路、模数转换电路、液晶显示电路、数据存储电路以及控制电路组成.测试结果表明,在输入信号峰峰值为1 V的情况下,系统各通道间测量差异在微伏级,具有良好的通道一致性;在采样率为12.5 Hz,采集时长为10000 s情况下,采集电路短路噪声峰峰值在6μV左右,直流漂移优于1μV,无明显直流偏移.
    • 郝蕊静; 郭红霞; 潘霄宇; 吕玲; 雷志锋; 李波; 钟向丽; 欧阳晓平; 董世剑
    • 摘要: 针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×1012 cm–3·eV–1增大到了1.66×1014 cm–3·eV–1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.
    • 刘振溪; 陈嘉民; 邹旭东
    • 摘要: 微机电(micro electro mechanical systems,MEMS)磁阻传感器由于小体积、低功耗和高灵敏度在许多领域得到了广泛应用,然而其在测量低频弱磁场时受到1/f的影响,严重限制了其低频弱磁场的检测分辨率。为了减小1/f噪声的影响,MEMS磁通汇聚器被用于放大弱磁场,并将低频弱磁场调制到高频区域以抑制1/f噪声。使用拓扑优化对给定尺寸的磁通汇聚器进行优化,以提高其磁场增益,最后使用优化后的塔形磁通汇聚器比较了变间隙调制、扭转调制、垂直运动调制和压电悬臂梁调制的调制效率和增益效率积。结果表明,垂直运动调制具有较高的增益效率积和较高的磁场检测分辨率,是现有调制方式中的最优调制方式。
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