界面态

摘要： 界面态具有巨大的实际应用价值,因此寻找界面态是一个既有科学意义也有应用前景的课题.在本文中,我们通过把二维正方晶格声子晶体的结构单元进行倾斜,构造出具有线性狄拉克色散的斜方晶格体系.狄拉克色散引起体能带Zak相位的π跃变,使得位于狄拉克锥投影能带两边的带隙具有不同符号的表面阻抗,从而导致由正方晶体体系与由其“倾斜”的斜方晶格体系构成的界面处存在确定性的界面态.

摘要： 一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺,而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关,因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为重要。利用n型和p型碳化硅MOS电容研究了不同一氧化氮钝化时间对栅氧界面附近陷阱和栅介质可靠性的影响。通过平行电导峰测试、电容-电压回滞测试、栅偏应力测试和栅漏电测试,分别对界面陷阱、近界面陷阱、氧化层陷阱和栅介质可靠性进行了表征。结果显示,增加一氧化氮退火时间能够减少n型MOS电容的界面电子陷阱密度,提高界面质量。同时,增加一氧化氮退火时间可以减少影响阈值电压正向漂移的近界面电子陷阱,但会引入多余的近界面空穴陷阱,从而在改善器件阈值电压正向稳定性的同时会恶化阈值电压的负向稳定性。类似地,增加一氧化氮退火时间会减小氧化层中显负电性的有效固定电荷密度,但会增加氧化层中显正电性的有效固定电荷密度。栅漏电特性测试结果表明,一氧化氮退火时间对器件开态和关态工作条件下栅氧可靠性会产生不同的影响。研究结果为改善碳化硅MOSFET器件性能提供了有益的退火工艺参考。

摘要： 利用传输矩阵法,计算研究了一维反转对称光子结构通过不同的组合方式产生界面态的可调控特性,并通过电子束蒸镀技术制备样品进行了实验验证.由两种材料构成的反转对称层状光子结构,根据元胞的反转对称中心不同分别对应PCⅠ和PCⅡ两种结构.研究结果表明,对于由PCⅠ和PCⅡ构成的组合结构,在满足两个结构的表面阻抗虚部之和等于零的特征频率处存在一个界面态,该界面态频率与结构元胞数无关;若在此基础上再增加一个PCⅠ,构成PCⅠ+PCⅡ+PCⅠ组合结构,则在同一个带隙中会产生两个界面态;改变组合结构中每部分或者其中一部分结构的元胞数可以对两个界面态频率实现调控,实验研究结果充分表明调控的可行性,这为设计满足不同应用需求的窄带滤波器、多通道滤波器等提供了更灵活的思路.

摘要： 利用70 keV和140 keV质子辐照增强型AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),得到了最大饱和电流线密度、阈值电压及栅泄漏电流线密度等关键参数的退化规律,并与常规HEMTs器件的辐照退化行为进行了比较,并通过SRIM计算结果和C-V测试结果进一步分析了 MIS-HEMTs的退化机制.结果表明,质子辐照在栅介质层和栅介质/AlGaN界面引入的辐照缺陷会导致界面态充/放电效应,使阈值电压正向漂移;辐照缺陷增加了电子穿越势垒的概率,导致栅极泄漏电流线密度增大;2维电子气(2DEG)沟道层产生的辐照缺陷俘获电子,导致2DEG密度降低,使饱和漏电流线密度降低.与常规肖特基栅器件相比,栅介质的存在使器件对质子辐照更为敏感.结合仿真计算结果可知,器件中低能质子的非电离能损区接近2DEG沟道层,是导致低能质子辐照对器件损伤更为严重的主要原因.通过变频电容分析发现,质子辐照后器件界面电荷密度增加,并引入了大量深能级缺陷.

摘要： 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响.结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感.不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小.发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小.

摘要： 在纳米CMOS器件中,负栅压温度不稳定性、热载流子注入效应和栅氧化层经时击穿等应力使得Si/SiO2界面产生界面态,引起器件参数的退化.随着CMOS器件不断缩小,这种退化将严重制约器件性能.提出了一种改进的计算纳米CMOS器件中应力产生界面态的方法,能够对应力产生的界面态进行定量描述.该方法在电荷泵基础上测量纳米小尺寸器件初始状态和应力状态下的衬底电流,提取电荷泵电流(I cp),计算出应力产生的界面态密度.测量过程中,脉冲频率固定不变,降低了频率变化所带来的误差.

摘要： 设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明,石墨烯/氮化硅/硅(金属-绝缘层-半导体)电容器对器件的I-V及C-V特性有较大影响.在808 nm近红外光的照射下,器件反向电流和正向电流大小接近,归因于氮化硅/硅界面堆积的光生空穴向石墨烯/硅肖特基结的扩散,器件光响应度为0.26 A/W.基于热发射模型从I-V暗电流曲线提取的肖特基势垒高度及理想因子分别为0.859 eV和2.3.利用肖特基二极管耗尽层电容公式从C-2-V曲线提取的势垒高度随着频率的增加而增加并趋于稳定在0.82 eV.由于界面态的影响,石墨烯/硅肖特基结耗尽层宽度随频率增加而增加,而硅施主原子的掺杂浓度及器件电容则随频率增加而减小.

摘要： The effects of the interface traps on the quantum efficiency and the crosstalk of a back-illumi-nated p-on-n mesa InSb photovoltaic infrared detector were studied based on Silvaco 2D numerical sim-ulation.The distributions of the recombination rate, the hole current density and the electric field change with the position and the density of the interface traps, and their relationships were analyzed. The results show that the interface traps has a profound effect on the inherent physical mechanisms of the steady-state performance of the InSb detector.The traps at the N-InSb/passivation interface both on the back and between the pixel mesas improve the crosstalk performance at the cost of the decrease in the quantum efficiency.Because the regions they affect are different,the influence extents of the traps at different positions on the two steady-state performance are different.%基于Silvaco二维数值仿真研究了界面陷阱对背照式p-on-n台面型InSb光伏红外探测器串音和量子效率的影响,通过分析探测器中复合率分布、空穴电流密度分布、电场分布等与界面陷阱的空间分布及浓度的相关性,揭示了界面陷阱影响探测器的稳态性能的内在物理机制.研究结果表明,N-型InSb有源区与钝化层界面处的陷阱和像元台面间的界面陷阱都会在提高串音性能的同时降低量子效率,但由于两者作用区域不同,所以对两种性能的影响程度不同.

摘要： 本文用吉时利4200-SCS和590CV分析仪测出MOS结构的高低频C-V特性曲线,计算出MOS结构Si/SiO2的界面态密度与电压的关系.根据MOS结构上所加电压与表面势的关系,以及在禁带中表面势与能量之间的关系,求出电压与能量的关系.最后得到界面态密度在禁带中按能量的分布.

摘要： 本文对沟道热载子损伤和总剂量辐射损伤的相互作用关系进行了研究,并通过提出两种损伤方式产生界面态在能级分布上的差异模型,对两种损伤的相互作用机理进行了解释.

摘要： 本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要分析了它们实现分离电荷的原理,以及各种方法的优点和局限性.

摘要： 采用平面波展开加超元胞的方法计算了正方格子六角形散射子二维光子晶体的带隙结构。结果表明其带隙和带隙宽高比远大于同种结构的非磁性光子晶体。在此基础上，构成了混合型异质结，并计算了它的界面态，发现了性质很好的传导模，而且这种传导模不需要晶格畸变，这也是非磁性异质结所不具备的。通过对比我们发现，增大界面处的畸变有利于异质结传导模的出现。

摘要： 分别制备了四种不同的器件A:ITO/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/LiF:Al(1nm),C:ITO/Alq3/LiF:Al(1.5nm),D:ITO/Alq3/LiF:Al(2nm);详细研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响.研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率.

摘要： 界面态，界面态的影响，界面态的表征与测量，界面态的单位:cm-2eV-15,遇到的实际情况，光辅助法测量原理，SiOx层所致的材料性能。

摘要： 用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都会在电池背接触区域形成一个与pn结方向相同的电场，从而提高空穴的收集效率并反射电子，改善器件性能。ZnTe：Cu薄膜的Cu浓度在5％～7.5％之间均可获得15.4％以上的电池效率。应用Zn组分为0.6的Cd1-χZnχTe薄膜能最大限度地降低界面态，明显提高电池性能。应用复合背接触层，理想的CdTe薄膜厚度在2～3μm。

摘要： 本文对PHEMT的电离辐照效应进行了研究,通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显.分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源,发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因,但辐照不会在异质结界面处引入大量的界面态,从而在微观上解释了实验结果.

摘要： 用平面波展开法导出了二维磁性光子晶体中电磁场本征方程,结合超原胞方法计算了磁性光子晶体异质结的能带.结果发现,以正方格点上放置正方形散射体的光子晶体为原型,构造镜面对称型以及混合型的磁性光子晶体异质结,不需要沿着界面做相对滑移,便可产生界面传导模.这不同于非磁性光子晶体异质结.另外,磁性光子晶体异质结具有更宽的绝对带隙.

摘要： 在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

摘要： 本发明涉及两相流体截面参数测量技术领域，具体涉及一种管束通道冷态两相界面参数测量装置，所采用的技术方案是：一种管束通道冷态两相界面参数测量装置，包括依次间隔设置的第一电导激励层、电导接收层和第二电导激励层；所述第一电导激励层、第二电导激励层和电导接收层均设有若干间隔设置的电导丝；所述电导接收层的电导丝与第一电导激励层、第二电导激励层的电导丝交错设置；所述电导接收层的电导丝用于接收第一电导激励层、第二电导激励层所发出的激励信号。本发明能够测量冷态两相界的空泡份额、气泡速度和气泡直径，从而为管束通道内两相流动特性研究提供支撑。

摘要： 本发明公开了一种基于界面错配位错构型的锯齿态界面构建方法，属于金属材料领域，首先，针对构成异质界面的两晶体，用户指定元素类型和晶体取向，构建出两个单胞；然后，利用单胞盒子的初始长度计算错配度进行扩胞；对两扩胞模型的所有原子坐标的平均值施加位移，将边界外的原子位移至模型内。接着，对两个模型分别施加应变，并添加位移使得两模型的起始坐标保持一致；之后沿x轴方向将所有原子坐标与原子类型进行拼接，得到异质平界面模型S3；通过重位点阵分析得到界面处的错配位错网，最后，对用户指定的切割区域进行切割，将切割后的原子重新拼接在一起，从而形成锯齿状界面。本发明通过控制晶面指数，精确地构建锯齿状界面。

摘要： 本发明公开了一种准确计算有机分子给/受体界面电荷转移态的方法。本发明在Q‑chem软件中设置范围分离参数为0.01，输入分子的原子种类、坐标、电子数n和自旋多重度，基组ωb97xd，输出电子总能量E(ω)。输入电子数n‑1，软件输出EA(ω)，通过公式(1)计算得IP(ω)。输入电子数n+1，输出E‑(ω)，通过公式(2)计算EA(ω)。若最小化函数J(ω)小于0.0001，得最小范围分离参数ωmin，EHOMO(ωmin)，ELUMO(ωmin)。通过公式(3)计算库伦相互作用。通过公式(4)计算有机分子给/受体电荷转移态能量。本方法计算的电荷转移态能量较实验值误差小于0.1eV。

摘要： 本发明提供一种超连续白光发生器，所述超连续白光发生器包括沿光路依次设置的望远镜系统和超薄晶体阵列，可产生550～1100nm稳定的超连续白光；本发明还提供了将所述超连续白光发生器与基频光发生装置相结合的界面电子态结构测定系统，所述测定系统可检测340～440nm和550～1100nm波长范围，覆盖了紫外、可见光和近红外波段功能的电子态和频光谱，应用在表征领域，能够使超连续白光和基频光在样品表面处发生和频过程，得到样品表面的电子态共振信息，具有较高的研究应用价值。

摘要： 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。

摘要： 本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为N

摘要： 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法，所述超低界面态界面结构包括：(Al，In)GaN基板；以及形成于所述(Al，In)GaN基板材料上的Si

摘要： 本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法，提供碳化硅晶片、制备于所述碳化硅晶片正面上的氧化膜以及制备于所述氧化膜上的正面元胞结构；在碳化硅晶片上氧化膜，包括如下步骤：步骤1、采用热氧化工艺在碳化硅晶片上制备得到氧化底膜，并对所述碳化硅晶片以及氧化底膜进行所需的氧化后退火工艺；步骤2、在上述氧化底膜上制备所需的硅膜层，所述硅膜层覆盖在氧化底膜上；步骤3、对硅膜层进行热氧化，并热氧化退火后，制备得到覆盖于碳化硅晶片上的氧化膜。本发明能实现低密度界面态的碳化硅半导体器件制备，与现有工艺兼容，安全可靠。

摘要： 本发明公开了一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，包括以下步骤：S1：利用两种不同介质层构建一维PC单元；S2：将若干一维PC单元依次贴合得到一维拓扑界面态的复合周期结构。本发明通过将晶格常数不同的一维PC单元组合构建出一维拓扑界面态的复合周期结构，得到的光子晶体具有操纵自旋相关的拓扑界面态，可以通过透射光谱直接显示出来，同时实现了自旋相关拓扑界面状态的可调性。

摘要： 本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，肖特基金属层在GaN外延层上的投影区域覆盖无源区并延伸至有源区，并且肖特基金属层和欧姆金属层在GaN外延层上的投影区域互不重叠，当采用C‑V测试法测量钝化层与GaN外延层之间的界面态密度时，分析仪的两端分别设于肖特基金属层和欧姆金属层上。通过测量出的C‑V曲线拟合可得到钝化层与GaN外延层之间的界面态密度，有源区上方的肖特基金属层在GaN外延层上的投影形状为圆形，该界面态密度测试结构的寄生效应小，测量准确度高。