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Electron Devices Meeting, 1995., International

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召开地：Washington, DC
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1.Device drive current degradation observed with retrograde channelprofiles

机译：逆向通道观察到设备驱动电流下降型材
- 作者：Venkatesan S.;Lutze J.W.;Lage C.;Taylor W.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
2.Performance and reliability concerns of ultra-thin SOI andultra-thin gate oxide MOSFETs

机译：超薄SOI的性能和可靠性问题超薄栅极氧化物MOSFET
- 作者：Toriumi A.;Koga J.;Satake H.;Ohata A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
3.Unified model of boron diffusion in thin gate oxides: effects of F,H₂, N, oxide thickness and injected Si interstitials

机译：薄栅氧化物中硼扩散的统一模型：F，H _{2 ，N，氧化物厚度和注入的Si间隙}
- 作者：Fair R.B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
4.Physical etching/deposition simulation with collision-free boundarymovement

机译：无碰撞边界的物理蚀刻/沉积模拟运动
- 作者：Hsiau Z.;Kan E.C.;McVittie J.P.;Dutton R.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
5.Interconnect capacitances, crosstalk, and signal delay invertically integrated circuits

机译：互连电容，串扰和信号延迟垂直集成电路
- 作者：Kuhn S.A.;Kleiner M.B.;Ramm P.;Weber W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
6.Role of temperature in process-induced charging damage insub-micron CMOS transistors

机译：温度在电池过程中引起的充电损伤中的作用亚微米CMOS晶体管
- 作者：Brozek T.;Chan Y.D.;Viswanathan C.R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
7.Completely planarized W plugs using MnO₂ CMP

机译：使用MnO _{2 CMP的完全平面化W塞}
- 作者：Kishii S.;Suzuki R.;Ohishi A.;Arimoto Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
8.The implications of self-consistent current density designguidelines comprehending electromigration and Joule heating forinterconnect technology evolution

机译：自洽电流密度设计的意义包含电迁移和焦耳加热的指导原则互连技术演进
- 作者：Hunter W.R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
9.Reference voltages and their stress-induced changes in thin filmtransistors as determined by charge pumping

机译：薄膜中的参考电压及其应力引起的变化由电荷泵决定的晶体管
- 作者：Balasinski A.;Worley J.;Zamanian M.;Liou F.T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
10.Bipolar installed CMOS technology without any process step increasefor high speed cache SRAM

机译：双极安装的CMOS技术，无需增加任何处理步骤用于高速缓存SRAM
- 作者：Ishimaru K.;Takahashi M.;Nishigohori M.;Okayama Y.;Unno Y.;Matsuoka F.;Kakumu M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
11.Monolithic planar RF inductor and waveguide structures on siliconwith performance comparable to those in GaAs MMIC

机译：硅上的单片平面RF电感器和波导结构性能可与GaAs MMIC媲美
- 作者：Bon-Kee Kim;Beom-Kyu Ko;Kwyro Lee;Ji-Won Jeong;Kun-Sang Lee;Seong-Chan Kim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
12.Monolithic 26 GHz and 40 GHz VCOs with SiGe heterojunction bipolartransistor

机译：具有SiGe异质结双极的单片26 GHz和40 GHz VCO晶体管
- 作者：Gruhle A.;Schuppen A.;Konig U.;Erben U.;Schumacher H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
13.High power AlGaAs/GaAs HBTs and their application to mobilecommunications systems

机译：高功率AlGaAs / GaAs HBT及其在手机中的应用通讯系统
- 作者：Yoshimasu T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
14.High-Q inductors in standard silicon interconnect technology andits application to an integrated RF power amplifier

机译：采用标准硅互连技术的高Q电感器和在集成射频功率放大器中的应用
- 作者：Burghartz J.N.;Soyuer M.;Jenkins K.A.;Hulvey M.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
15.The impact of nitrogen profile engineering on ultrathin nitridedoxide films for dual-gate CMOS ULSI

机译：氮剖面工程对超薄氮化的影响双栅CMOS ULSI的氧化膜
- 作者：Hasegawa E.;Kawata M.;Ando K.;Makabe M.;Kitakata M.;Ishitani A.;Manchanda L.;Green M.L.;Krisch K.S.;Feldman L.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
16.Direct tunneling N₂O gate oxynitrides for low-voltageoperation of dual gate CMOSFETs

机译：直接隧穿N _{2 O栅氧氮化物以实现低压双栅极CMOSFET的操作}
- 作者：Matsuoka T.;Kakimoto S.;Nakano T.;Kotaki H.;Hayashida S.;Sugimoto K.;Adachi K.;Morishita S.;Uda K.;Sato Y.;Yamanaka M.;Ogura T.;Takagi J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
17.Using n-channel TFTs without LDD structures for high stabilities of1.2-V high-density SRAMs

机译：使用不具有LDD结构的n沟道TFT可获得较高的稳定性1.2V高密度SRAM
- 作者：Liu C.T.;Diodato P.W.;Lee K.H.;Gong H.I.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
18.Modeling arsenic activation and diffusion during furnace and rapidthermal annealing

机译：模拟炉内快速活化的砷活化和扩散热退火
- 作者：Vandenbossche E.;Jaouen H.;Baccus B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
19.Volatile and non-volatile memories in silicon with nano-crystalstorage

机译：纳米晶体硅中的易失性和非易失性存储器存储
- 作者：Tiwari S.;Rana F.;Chan K.;Hanafi H.;Wei Chan;Buchanan D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
20.Trench isolation for 0.45 μm active pitch and below

机译：沟槽隔离，有效间距为0.45μm及以下
- 作者：Perera A.H.;Jung-Hui Lin;Yao-Ching Ku;Azrak M.;Taylor B.;Hayden J.;Thompson M.;Blackwell M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
21.Reliability investigation of InGaP/GaAs heterojunction bipolartransistors

机译：InGaP / GaAs异质结双极的可靠性研究晶体管
- 作者：Bahl S.R.;Camnitz L.H.;Houng D.;Mierzwinski M.;Turner J.;Lefforge G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
22.Proceedings of International Electron Devices Meeting

机译：国际电子设备会议论文集
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
23.AUTHOR INDEX

机译：作者索引
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
24.First observation of stimulated emission from current injectedInGaN/AlGaN double-heterostructure diode

机译：首次观察到注入电流产生的受激发射InGaN / AlGaN双异质结构二极管
- 作者：Egawa T.;Murata Y.;Jimbo T.;Umeno M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
25.LDD charge pumping-direct measurement of interface states in theoverlap region

机译：LDD电荷泵浦-直接测量接口中的状态重叠区域
- 作者：Prabhakar V.;Brozek T.;Chan Y.D.;Viswanathan C.R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
26.Optimization of quarter micron MOSFETs for low voltage/low powerapplications

机译：四分之一微米MOSFET的低电压/低功耗优化应用领域
- 作者：Zongjian Chen;Burr J.;Shott J.;Plummer J.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
27.The effect of source/drain processing on the reverse short channeleffect of deep sub-micron bulk and SOI NMOSFETs

机译：源极/漏极处理对反向短通道的影响深亚微米体和SOI NMOSFET的影响
- 作者：Crowder S.W.;Rousseau P.M.;Snyder J.P.;Scott J.A.;Griffin P.B.;Plummer J.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
28.Fully planarized four-level interconnection with stacked vias usingCMP of selective CVD-Al and insulator and its application to quartermicron gate array LSIs

机译：完全平面化的四层互连，带有堆叠过孔，使用选择性CVD-Al和绝缘体的CMP及其在四分之一中的应用微米门阵列LSI
- 作者：Amazawa T.;Yamamoto E.;Sakuma K.;Ito Y.;Kamoshida K.;Ikeda K.;Saito K.;Ishii H.;Kato S.;Yagi S.;Hiraoka K.;Ueki T.;Takeda T.;Arita Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
29.Simulation and modeling of the effect of substrate conductivity oncoupling inductance

机译：衬底电导率对衬底的影响的仿真和建模耦合电感
- 作者：Massoud Y.;White J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
30.Very-high f_T and f_max silicon bipolartransistors using ultra-high-performance super self-aligned processtechnology for low-energy and ultra-high-speed LSI's

机译：非常高的f _{T 和f _{max 双极硅超高性能超自对准工艺的晶体管低能耗和超高速LSI的技术}}
- 作者：Ugajin M.;Kodate J.;Kobayashi Y.;Konaka S.;Sakai T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
31.Monte Carlo simulation of electron transport in strainedSi/Si_1-xGe_x n-MOSFETs

机译：应变中电子输运的蒙特卡罗模拟Si / Si _{1-x Ge _{x n-MOSFET}}
- 作者：Rashed M.;Shih W.-K.;Jallepalli S.;Kwan T.J.T.;Maziar C.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
32.Giga-bit scale DRAM cell with new simpleRu/(Ba,Sr)TiO₃/Ru stacked capacitors using X-ray lithography

机译：具有新功能的千兆位DRAM单元X射线光刻Ru /（Ba，Sr）TiO _{3 / Ru叠层电容器}
- 作者：Nishioka Y.;Shiozawa K.;Oishi T.;Kanamoto K.;Tokuda Y.;Sumitani H.;Aya S.;Yabe H.;Itoga K.;Hifumi T.;Marumoto K.;Kuroiwa T.;Kawahara T.;Nishikawa K.;Oomori T.;Fujino T.;Yamamoto S.;Uzawa S.;Kimata M.;Nunoshita M.;Abe H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
33.Reducing operating voltage from 3, 2, to 1 volt andbelow-challenges and guidelines for possible solutions CMOS

机译：将工作电压从3、2降至1伏以下挑战和可能解决方案的准则CMOS
- 作者：Ran-Hong Yan;Monroe D.;Weis J.;Mujtaba A.;Westerwick E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
34.Silicon film thickness and material dependence of “reverseshort channel effect” for SOI NMOSFETs

机译：硅膜厚度与材料的“反向依赖”SOI NMOSFET的“短沟道效应”
- 作者：Rajgopal R.;Schiebel R.;Iyer S.S.K.;Joyner K.;Houston T.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
35.Low-noise 650 nm-band AlGaInP visible lasers with highly-dopedsaturable absorbing (HDSA) layer

机译：具有高掺杂的低噪声650 nm波段AlGaInP可见激光器饱和吸收（HDSA）层
- 作者：Kidoguchi;Adachi I.;Kamiyama S.;Fukuhisa T.;Mannoh P.;Takamori A.;Uenoyama T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
36.Electron transport properties in InAs self-assembled quantum dotHEMTs

机译：InAs自组装量子点中的电子传输性质HEMT
- 作者：Horiguchi N.;Futatsugi T.;Nakata Y.;Yokoyama N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
37.An assessment of the state-of-the-art 0.5 μm bulk CMOStechnology for RF applications

机译：最新的0.5μm体CMOS评估射频应用技术
- 作者：Voinigescu S.P.;Tarasewicz S.W.;MacElwee T.;Ilowski J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
38.Hydrogen passivation effects on performance of visible thin-filmlight-emitting diodes (TFLEDs)

机译：氢钝化对可见薄膜性能的影响发光二极管（TFLED）
- 作者：Jong-Wook Lee;Sung-Hoi Hur;Koeng Su Lim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
39.Substantial advantages of fully-depleted CMOS/SIMOX devices aslow-power high-performance VLSI components compared with its bulk-CMOScounterpart

机译：完全耗尽的CMOS / SIMOX器件的显着优势是与大容量CMOS相比的低功耗高性能VLSI组件对应物
- 作者：Kado Y.;Inokawa H.;Okazaki Y.;Tsuchiya T.;Kawai Y.;Sato M.;Sakakibara Y.;Nakayama S.;Yamada H.;Kitamura M.;Nakashima S.;Nishimura K.;Date S.;Ino M.;Takeya K.;Sakai T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
40.In-situ Ga₂O₃ process for GaAsinversion/accumulation device and surface passivation applications

机译：GaAs的原位Ga _{2 O _{3 工艺反转/累积装置和表面钝化应用}}
- 作者：Passlack M.;Minghwei Hong;Mannaerts J.P.;Chu S.N.G.;Opila R.L.;Moriya N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
41.Threshold voltage adjustment in SOI MOSFETs by employing tantalumfor gate material

机译：采用钽调节SOI MOSFET的阈值电压用于浇口材料
- 作者：Shimada H.;Hirano Y.;Ushiki T.;Ohmi T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
42.High voltage BiCDMOS technology on bonded 2 μm SOI integratingvertical npn pnp, 60 V-LDMOS and MPU, capable of 200° Coperation

机译：结合2μmSOI集成的高压BiCDMOS技术垂直npn pnp，60 V-LDMOS和MPU，能够承受200°C的温度操作
- 作者：Funaki H.;Yamaguchi Y.;Kawaguchi Y.;Terazaki Y.;Mochizuki H.;Nakagawa A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
43.Simulation approach for achieving configuration independentpoly-silicon gate etching

机译：用于实现独立于配置的仿真方法多晶硅栅极蚀刻
- 作者：Harafuji K.;Ohkuni M.;Kubota H.;Nakagawa H.;Misaka A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
44.Ta₂O₅ capacitors' dielectric material forgiga-bit DRAMs

机译：Ta _{2 O _{5 电容器的介电材料千兆位DRAM}}
- 作者：Ohji Y.;Matsui Y.;Itoga T.;Hirayama M.;Sugawara Y.;Torii K.;Miki H.;Nakata M.;Asano I.;Iijima S.;Kawamoto Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
45.High performance InAlAs/InGaAs/InP HEMT/MSM-based OEICphotoreceivers

机译：高性能基于InAlAs / InGaAs / InP HEMT / MSM的OEIC感光器
- 作者：Adesida L.;Fay P.;Wohlmuth W.;Caneau C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
46.Embedded micromechanical devices for the monolithic integration ofMEMS with CMOS

机译：嵌入式微机械设备用于单片集成具有CMOS的MEMS
- 作者：Smith J.H.;Montague S.;Sniegowski J.J.;Murray J.R.;McWhorter P.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
47.Enhanced SiGe heterojunction bipolar transistors with 160GHz-f_max

机译：具有160个增强型SiGe异质结双极晶体管GHz-f _max
- 作者：Schuppen A.;Erben U.;Gruhle A.;Kibbel H.;Schumacher H.;Konig U.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
48.Reverse short channel effect and channel length dependence of boronpenetration in PMOSFETs

机译：硼的反向短通道效应和通道长度依赖性在PMOSFET中的渗透
- 作者：Subramanian C.;Hayden J.;Taylor W.;Orlowski M.;McNelly T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
49.Performance and reliability optimization of ultrashort channel CMOSdevice for giga-bit DRAM applications

机译：超短通道CMOS的性能和可靠性优化千兆位DRAM应用的设备
- 作者：Hyunsang Hwang;Kang-Sik Youn;Jae-Gyung Ahn;Dooyoung Yang;Jae-Hee Ha;Yun-Jun Huh;Jin-Won Park;Jae-Jeong Kim;Woo-Sik Kim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
50.Nitrogen-doped nickel monosilicide technique for deep submicronCMOS salicide

机译：深亚微米的氮掺杂单硅化镍技术CMOS自对准硅化物
- 作者：Ohguro T.;Nakamura S.;Morifuji E.;Ono M.;Yoshitomi T.;Saito M.;Momose H.S.;Iwai H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
51.CMOS process design for minimization of IC power consumption usingTCAD

机译：CMOS工艺设计可最大程度地降低IC功耗计算机辅助设计
- 作者：von Schwerin A.;Schumann D.;Berthold J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
52.An effective cross-talk isolation structure for power ICapplications

机译：一种有效的功率IC串扰隔离结构应用领域
- 作者：Chan W.W.T.;Sin J.K.O.;Wong S.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
53.0.228 μm2 trench cell technologies with bottle-shapedcapacitor for 1 Gbit DRAMs

机译：瓶形0.228μm 2 沟槽电池技术1 Gbit DRAM的电容器
- 作者：Ozaki T.;Noauchi M.;Habu M.;Aoki H.;Ishibashi Y.;Shino T.;Hamamoto T.;Takashima D.;Niiyama H.;Nakasugi T.;Shibata T.;Kato Y.;Nishimura E.;Hattori K.;Magoshi T.;Sato S.;Yamaguchi H.;Sugihara K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
54.Novel, high-performance polysilicon heterostructure TFTs usingP-I-N source/drains

机译：新型高性能多晶硅异质结构TFT使用P-I-N源/序列
- 作者：Manna I.;Liu K.-C.;Banerjee S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
55.Numerical simulation of the temperature dependence of band-edgephotoluminescence and electroluminescence in strained-Si_1-xGe_x/Si heterostructures

机译：带边温度依赖性的数值模拟Si _{1-x Ge中的光致发光和电致发光_{x / Si异质结构}}
- 作者：St. Amour A.;Sturm J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
56.High-efficiency X-band GaInP/GaAs HBT MMIC power amplifier forstable long pulse and CW operation

机译：高效X波段GaInP / GaAs HBT MMIC功率放大器，用于稳定的长脉冲和连续运行
- 作者：Riepe K.;Leier H.;Seiler U.;Marten A.;Sledzik H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
57.Hybrid digital/microwave HBTs for >30 Gb/s opticalcommunications circuits

机译：大于30 Gb / s的光学数字/微波混合HBT通讯电路
- 作者：Zampardi P.J.;Pierson R.L.;Runge K.;Yu R.;Beccue S.M.;Yu J.;Fitzsimmons S.;Wang K.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
58.Fabrication of low-temperature bottom-gate poly-Si TFTs onlarge-area substrate by linear-beam excimer laser crystallization andion doping method

机译：在其上制造低温底栅多晶硅TFT大面积基板通过线性束准分子激光结晶并离子掺杂法
- 作者：Hayashi H.;Kunii M.;Suzuki N.;Kanaya Y.;Kuki M.;Minegishi M.;Urazono T.;Fujino M.;Noguchi T.;Yamazaki M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
59.1.5 V-operation GaAs spike-gate power FET with 65 power-addedefficiency

机译：1.5 V工作GaAs尖峰栅极功率FET，附加功率为65％效率
- 作者：Tanaka T.;Furukawa H.;Takenaka H.;Ueda T.;Noma A.;Fukui T.;Tateoka K.;Ueda D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
60.Effects of oxide exposure, photoresist and dopant activation on theplasma damage immunity of ultrathin oxides and oxynitrides

机译：氧化物暴露，光致抗蚀剂和掺杂剂活化对薄膜的影响超薄氧化物和氮氧化物的等离子体损伤抗性
- 作者：Lai K.;Kumar K.;Chou A.;Lee J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
61.Silicon single hole quantum dot transistors for complementarydigital circuits

机译：硅单孔量子点晶体管，用于互补数字电路
- 作者：Leobandung E.;Lingjie Guo;Chou S.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
62.Novel current-voltage characteristics of an InP-basedresonant-tunneling high electron mobility transistor and their circuitapplications

机译：基于InP的新型电流-电压特性谐振隧道高电子迁移率晶体管及其电路应用领域
- 作者：Chen K.J.;Maezawa K.;Yamamoto M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
63.Highly-reliable gate oxide formation for giga-scale LSIs by usingclosed wet cleaning system and wet oxidation with ultra-dry unloading

机译：通过使用LSI大规模形成大规模可靠的栅极氧化物封闭式湿式清洗系统和超干式卸料进行湿式氧化
- 作者：Yugami J.;Itoga T.;Ohkura M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
64.High performance 0.25 μm SRAM technology with tungsten interpolyplug

机译：高性能0.25μmSRAM技术与钨互衬插头
- 作者：McNelly T.F.;Hayden J.D.;Perera A.H.;Pfiester J.R.;Subramanian C.K.;Blackwell M.;James B.;Ajuria S.;Fell W.;Ku Y.C.;Lii T.;Lin J.-H.;Nkansah F.;Philbin C.;Sun C.J.;Thompson M.;Woo M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
65.Hot-carrier-induced gate capacitance variation and its impact onDRAM circuit functionality

机译：热载流子引起的栅极电容变化及其对栅极的影响DRAM电路功能
- 作者：Yoonjong Huh;Hyeokjae Lee;Jae-Gyung Ahn;Dooyoung Yang;Yungkwon Sung
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
66.Low contact resistance metallization for gigabit scale DRAMs usingfully-dry cleaning by Ar/H₂ ECR plasma

机译：使用以下技术的千兆位DRAM的低接触电阻金属化Ar / H _{2 ECR等离子体进行完全干洗}
- 作者：Taguwa T.;Urabe K.;Sekine M.;Yamada Y.;Kikkawa T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
67.0.1-μm p+-GaAs gate HJFETs with f_T=121 GHzfabricated using all dry-etching and selective MOMBE growth

机译：f _{T = 121 GHz的0.1μmp + -GaAs栅HJFET使用所有干蚀刻和选择性的MOMBE生长进行制造}
- 作者：Wada S.;Furuhata N.;Tokushima M.;Fukaishi M.;Hida H.;Maeda T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》
68.The design of two low voltage, axially-modulated, cusp-injectedgyrotron amplifier experiments

机译：两个低电压，轴向调制，尖峰注入的设计回旋加速器实验
- 作者：Lawson W.;Rodgers J.;Liu A.;Grigoropolous A.;Destler W.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1995., International》