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Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual
Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual
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1.
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated CircuitSymposium. 21st Annual. Technical Digest 1999 (Cat. No.99CH36369)
机译:
GaAs IC论坛。 IEEE砷化镓集成电路座谈会。第21届年度。技术摘要1999(目录号99CH36369)
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
2.
A highly integrated MMIC chipset for a 40 GHz MVDS transceiversubscriber terminal
机译:
用于40 GHz MVDS收发器的高度集成的MMIC芯片组用户终端
作者:
Dourlens C.
;
Couturier A.M.
;
Sevin R.
;
Quentin P.
;
Pons D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
3.
A 180-GHz MMIC sub-harmonic mixer based on InGaAs/InAlAs/InP HEMTdiodes
机译:
基于InGaAs / InAlAs / InP HEMT的180 GHz MMIC次谐波混频器二极管
作者:
Yon-Lin Kok
;
Huei Wang
;
Lai R.
;
Barsky M.
;
Sholley M.
;
Allen B.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
4.
Fully-integrated 5/2 GHz GaAs MESFET transmitter MMIC forhigh-capacity wireless local area network applications
机译:
完全集成的5/2 GHz GaAs MESFET发射器MMIC大容量无线局域网应用
作者:
Weiner J.S.
;
Huan-Shang Tsai
;
Youn-Kai Chen
;
Busking E.
;
Tieman T.
;
Kruys J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
5.
Millimeter-wave low noise metamorphic HEMT amplifiers and deviceson GaAs substrates
机译:
毫米波低噪声变质HEMT放大器和设备在砷化镓衬底上
作者:
Marsh P.
;
Kang S.
;
Wohlert R.
;
McIntosh P.M.
;
Hoke W.E.
;
McTaggart R.A.
;
Lardizabal S.M.
;
Leoni R.E. III
;
Whelan C.S.
;
Lemonias P.J.
;
Kazior T.E.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
6.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
7.
E-PHEMT for single supply, no drain switch, and high efficiencycellular telephone power amplifiers
机译:
E-PHEMT用于单电源,无漏极开关和高效率蜂窝电话功率放大器
作者:
Tkachenko Y.
;
Klimashov A.
;
Wei C.
;
Zhao Y.
;
Bartle D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
8.
Inclusion of topside metal heat spreading in the determination ofHBT temperatures by electrical and geometrical methods GaAs devices
机译:
确定顶部金属的热量扩散。通过电学和几何学方法测量的HBT温度GaAs器件
作者:
Yeats B.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
9.
InP/GaAsSb/InP DHBTs with high f
T
and f
MAX
for wireless communication applications
机译:
f
T sub>和f
MAX sub>高的InP / GaAsSb / InP DHBT用于无线通信应用
作者:
Bolognesi C.R.
;
Matine N.
;
Dvorak M.W.
;
Xu X.G.
;
Watkins S.P.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
10.
Analysis of PAE 50 highly linear characteristics of new structuretransistor “self-aligned gate PHEMT” for W-CDMA application
机译:
新结构的PAE 50%高线性特性分析W-CDMA应用的晶体管“自对准门PHEMT”
作者:
Sasaki T.
;
Takada Y.
;
Tanabe Y.
;
Nitta T.
;
Kakiuchi Y.
;
Yoshimura M.
;
Fujieda R.
;
Suzuki T.
;
Kayano H.
;
Hirose M.
;
Kitaura Y.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
11.
Status of metamorphic In
x
Al
1-x
As/In
x
Ga
1-x
As HEMTs
机译:
In
x sub> Al
1-x sub> As / In
x的状态 sub> Ga
1-x sub>作为HEMT
作者:
Cappy A.
;
Cordier Y.
;
Bollaert S.
;
Zaknoune M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
12.
A 10 Gb/s optical transmitter module with a built-in modulatordriver IC and a receiver module with a built-in preamplifier IC
机译:
具有内置调制器的10 Gb / s光发射机模块驱动器IC和带有内置前置放大器IC的接收器模块
作者:
Yoshida N.
;
Ishizaka M.
;
Watanabe I.
;
Morie M.
;
Fujii M.
;
Wada S.
;
Numata K.
;
Fukuchi K.
;
Fukushima K.
;
Shimizu J.
;
Yamaguchi M.
;
Maeda T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
13.
A >25 PAE 0.2-6 GHz lumped power amplifier in a 18 GHz MESFETtechnology
机译:
18 GHz MESFET中的> 25%PAE 0.2-6 GHz集总功率放大器技术
作者:
Krishnamurthy K.
;
Rodwell M.J.W.
;
Long S.I.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
14.
A CW 4 watt Ka-band power amplifier utilizing MMIC multi-chiptechnology
机译:
利用MMIC多芯片的CW 4瓦Ka波段功率放大器技术
作者:
Matsunaga K.
;
Miura I.
;
Iwata N.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
15.
A GaAs +3V low noise integrated downconverter for C-bandapplications using MESFETs
机译:
用于C波段的GaAs + 3V低噪声集成下变频器应用使用MESFET
作者:
Trantanella C.
;
Blount P.
;
Shifrin M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
16.
A 77 GHz GaAs pHEMT transceiver MMIC for automotive sensorapplications
机译:
用于汽车传感器的77 GHz GaAs pHEMT收发器MMIC应用领域
作者:
Tessmann A.
;
Verweyen L.
;
Neumann N.
;
Massler H.
;
Haydl W.H.
;
Hulsmann A.
;
Schlechtweg M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
17.
A miniaturized MMIC analog phase shifter using twoquarter-wave-length transmission lines
机译:
使用两个微型MMIC模拟移相器四分之一波长传输线
作者:
Hayashi H.
;
Muraguchi M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
18.
A high sensitivity 10 Gb/s DCFL limiting amplifier with 0.2 μmGaAs MESFETs
机译:
具有0.2μm的高灵敏度10 Gb / s DCFL限幅放大器砷化镓MESFET
作者:
Yamada H.
;
Murayama H.
;
Shiiba K.
;
Ichioka T.
;
Kimura T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
19.
Tunable linearity characteristics of a DC-3 GHz InP HBT activefeedback amplifier
机译:
DC-3 GHz InP HBT有源的可调线性特性反馈放大器
作者:
Kobayashi K.W.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Grossman P.C.
;
Yang L.
;
Kaneshiro E.
;
Block T.R.
;
Oki A.K.
;
Streit D.C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
20.
High-speed, low-power digital and analog circuits implemented inIBM SiGe BiCMOS technology
机译:
高速,低功耗数字和模拟电路实现于IBM SiGe BiCMOS技术
作者:
Fritz K.E.
;
Randall B.A.
;
Fokken G.J.
;
Walters W.L.
;
Lorsung M.J.
;
Nielsen A.D.
;
Prairie J.F.
;
Post D.J.
;
Greenberg D.R.
;
Gilbert B.K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
21.
High linearity K-band InP HBT power amplifier MMIC with 62.8 PAEat 21 GHz
机译:
具有62.8%PAE的高线性K波段InP HBT功率放大器MMIC在21 GHz
作者:
Yang L.W.
;
Kobayashi K.W.
;
Steit D.C.
;
Oki A.K.
;
Yen H.C.
;
Grossman P.C.
;
Block T.R.
;
Tran L.T.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Callejo L.G.
;
Macek J.
;
Maas S.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
22.
High-gain transimpedance amplifier in InP-based HBT technology forthe receiver in 40 Gb/s optical-fiber TDM links
机译:
基于InP的HBT技术的高增益互阻放大器40 Gb / s光纤TDM链路中的接收器
作者:
Mullrich J.
;
Mullner E.
;
Jensen J.F.
;
Stanchina B.
;
Kardos M.
;
Thurner H.
;
Rein H.-M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
23.
40 Gbit/s optical communications: InP DHBT technology, circuits andsystem experiments
机译:
40 Gbit / s光通信:InP DHBT技术,电路和系统实验
作者:
Godin J.
;
Andre P.
;
Benchimol J.L.
;
Berdaguer P.
;
Blayac S.
;
Burie J.R.
;
Desrousseaux P.
;
Duchenois A.M.
;
Kauffmann N.
;
Konczykowska A.
;
Riet M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
24.
High power and gain at 35 GHz utilizing an InAlGaAs-In
0.32
Ga
0.68
As metamorphic HEMT
机译:
利用InAlGaAs-In
0.32在35 GHz时实现高功率和高增益 sub> Ga
0.68 sub>作为变质HEMT
作者:
Whelan C.S.
;
Hoke W.E.
;
McTaggart R.A.
;
Lyman P.S.
;
Marsh P.F.
;
Lichwala S.J.
;
Kazior T.E.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
25.
Multi-throw plastic MMIC switches up to 6 GHz with integratedpositive control logic
机译:
集成了高达6 GHz的多掷塑料MMIC开关正控制逻辑
作者:
Smuk J.
;
Mahfoudi M.
;
Belliveau D.
;
Shifrin M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
26.
Bias point dependence of the hot electron degradation ofAlGaAs/GaAs power HFETs
机译:
偏置点对热电子降解的依赖性AlGaAs / GaAs功率HFET
作者:
Menozzi R.
;
Dieci D.
;
Messori M.
;
Sozzi G.
;
Lanzieri C.
;
Canali C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
27.
Ramp-up of first SiGe circuits for mobile communications:positioning of SiGe vs. GaAs and silicon
机译:
首款用于移动通信的SiGe电路的升级:SiGe与GaAs和硅的位置
作者:
Klepser B.-U.
;
Klein W.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
28.
An on-ledge Schottky potentiometer for the diagnosis of HBT emitterpassivation
机译:
壁挂式肖特基电位计,用于诊断HBT发射器钝化
作者:
Pingxi Ma
;
Zampardi P.
;
Liyang Zhang
;
Chang M.F.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
29.
Status and roadmap of GaAs technology in Georgia, former SovietUnion
机译:
前苏联格鲁吉亚砷化镓技术的现状和发展路线图联盟
作者:
Khuchua N.P.
;
Gerasimov A.B.
;
Chikovani R.I.
;
Chakhnakia Z.D.
;
Khvedelidze L.V.
;
Melkadze R.G.
;
Bibilashvili A.P.
;
Mkheidze T.D.
;
Goderdzishvili G.I.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
30.
Millimeter-wave monolithic GaAs IC interconnect and packagingtechnology trends in Japan
机译:
毫米波单片GaAs IC互连和封装日本的技术趋势
作者:
Ohata K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
31.
Novel low-cost process for 0.1-μm T-shaped gate of InGaP/InGaAs pseudomorphic hemt
机译:
InGaP / InGaAs伪晶胞的0.1μmT形栅极的新型低成本工艺
作者:
Sugiura M.
;
Morizuka K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
32.
Low temperature (LT) grown GaAs buffer layers for III-Vsemiconductor processes
机译:
用于III-V的低温(LT)生长的GaAs缓冲层半导体工艺
作者:
Weatherford T.R.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
33.
Wide-bandgap-semiconductor wide-bandwidth wide-temperature-rangepower amplifiers
机译:
宽带隙半导体宽带宽温度范围功率放大器
作者:
Hwang J.C.M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
34.
94/47 GHz regenerative frequency divider MMIC with low conversionloss
机译:
具有低转换率的94/47 GHz再生分频器MMIC失利
作者:
Kudszus S.
;
Haydl W.H.
;
Neumann M.
;
Hulsmann A.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
35.
57 efficiency, wide dynamic range linearized heterojunctionFET-based power amplifier for wide-band CDMA handsets
机译:
效率达57%,动态范围宽的线性化异质结基于FET的功率放大器,用于宽带CDMA手机
作者:
Hau G.
;
Nishimura T.B.
;
Iwata N.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
36.
Injection-locked oscillator as frequency multiplier formillimeter-wave applications
机译:
注入锁定振荡器作为倍频器毫米波应用
作者:
The Linh Nguyen
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual》
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