Novel low-cost process for 0.1-μm T-shaped gate of InGaP/InGaAs pseudomorphic hemt

摘要

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著录项

• 来源
  《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1999. 21st Annual 》||p.159-162|共4页
• 会议地点
• 作者

  Sugiura M.; Morizuka K.;

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