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【24h】

Novel low-cost process for 0.1-/spl mu/m T-shaped gate of InGaP/InGaAs pseudomorphic hemt

机译：用于InGaP / InGaAs伪晶胞的0.1- / splμm/ m T形门的新型低成本工艺

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来源
《》|1999年|P.159-162|共4页
会议地点
作者
Sugiura; M.; Morizuka; K.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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