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机译:采用两步嵌入式栅极技术的高性能0.1- / splμ/ m栅极增强模式InAlAs / InGaAs HEMT
机译:选择表面欧姆金属以制造具有湿化学凹陷栅极的0.1 / splμm/ m的InAlAs / InGaAs异质结FET
机译:勘误为“具有300 GHz f / sub T /和2 S / mm非本征跨导的0.03- / spl mu / m栅极长度增强模式InAlAs / InGaAs / InP MODFET”
机译:具有300 GHz f / sub T /和2 S / mm非本征跨导的0.03 / spl mu / m栅长增强模式InAlAs / InGaAs / InP MODFET
机译:采用两步嵌入式栅极技术的高性能0.1 / spl微米/米栅极增强模式InAlAs / InGaAs HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:纳米载体/ Ingaas DG-HEMT中增强栅极控制的量子建模,用于毫米波应用
机译:通过选择性侧壁凹陷消除Inalas / InGaas异质结中的台面 - 侧壁漏电