摘要:本文提出一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型,考虑了高频下的涡流损耗.针对高频下的寄生效应,在晶体管小信号等效电路中引入了阶梯电阻电感结构.利用0.15um GaN HEMT工艺晶体管在冷场条件下的测试数据,进行了寄生电阻和电感参数的提取和仿真.与传统的小信号等效电路模型相比,该改进的晶体管小信号等效电路模型能够很好地反映相关特征函数的非线性效应.
摘要:本文提出一种改进的HEMT晶体管小信号等效电路模型,在等效电路本征部分增加了电感元件来表征器件本征部分的电感特性.利用0.15um GaN HEMT工艺晶体管测试数据进行参数提取和模型仿真,在测试范围内(100MHz到40GHz),该改进的晶体管小信号等效电路模型的S参数仿真结果与测试结果有更高的吻合度.