GaN功率器件在下一代移动通信系统的应用

摘要

超宽带、高频段LTE业务需求的已经成为未来移动通信基站发展趋势,而传统LDMOS在带宽、效率、工作电压、功率密度等方面的限制,已经无法满足下一代4G移动通信要求.本报告将介绍GaN微波功率管在下一代移动通信基站中的应用。GaN作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、宽禁带、高电子漂移速度等显著的材料性能优势,在微波功率放大应用方面比传统GaAs、Si器件有着更高功率密度、更高带宽及工作电压.