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高频寄生效应下的GaN HEMT小信号等效电路模型

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本文提出一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型,考虑了高频下的涡流损耗.针对高频下的寄生效应,在晶体管小信号等效电路中引入了阶梯电阻电感结构.利用0.15um GaN HEMT工艺晶体管在冷场条件下的测试数据,进行了寄生电阻和电感参数的提取和仿真.与传统的小信号等效电路模型相比,该改进的晶体管小信号等效电路模型能够很好地反映相关特征函数的非线性效应.

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来源
《2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会》|2014年|16-18|共3页
会议地点南京
作者
LI Jianhong; 李剑宏; HUANG Fengyi; 黄风义; TANG Xusheng; 唐旭升; FEI Ya; 费亚; JIANG Nan; 姜楠;
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作者单位

中国电子学会微波分会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管; 等效电路模型; 高频寄生效应; 阶梯电阻电感;

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