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刘丹; 陈晓娟; 刘新宇; 吴德馨;
中国科学院微电子研究所;
GaN; HEMT; 小信号; 优化; 模拟;
机译:基于极化的电荷密度漏极电流和纳米AlInGaN / AlN / GaN HEMT器件的小信号模型
机译:对毫米波AlGaN / GaN HEMT的直流和小信号特性的器件结构的系统研究
机译:GaN HEMT器件的一种改进的小信号参数提取算法
机译:建立GaN HEMT器件的大信号噪声模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于优化的SiC-GaN HEMT的可扩展小信号和噪声模型提取方法
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:ALGAN / GAN HEMT小信号模型及其参数提取方法
机译:Algan / GAN HEMT小信号模型的提取方法及其参数
机译:HEMT高频小信号等效电路模型的半物理建模
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