GaN HEMTs小信号等效电路建模与参数直接提取

摘要

半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究.数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)应用于微波和毫米波等领域,成为半导体产业研究的热点.本文在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)小信号等效电路模型的基础上将所建立模型的参数数量提高到20个,提出了一种精确地直接提取模型参数的算法,并通过MATLAB编程计算出模型参数值.最后再将此模型的仿真S参数结果与实验结果相比较,验证了此模型的准确性与方法的可靠性.