HEMTs; MODFETs; Scattering parameters; Gallium nitride; Parameter extraction; Capacitance; Integrated circuit modeling;
机译:晶体管建模:各种HEMT技术中可靠的小信号等效电路提取
机译:谐振隧穿二极管至110 GHz的精确小信号等效电路建模
机译:GaN HEMT小信号等效电路模型的有效参数提取方法
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的强大小信号等效电路模型,高达110 GHz
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:毫米波Algan / GaN Hemts等效电路模型