一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型

摘要

本文主要是针对HEMT的小信号等效电路模型，提出了高频工作下晶体管的高级寄生效应-本征电感效应，从而实现对晶体管的高精度仿真。针对GaN HEMT工艺，晶体管内部电流流动将产生电感效应，且随着频率升高，电感效应逐渐增强。从而，即使调整寄生电感元件的参数，或者引进新的高级寄生电感元件，传统晶体管小信号等效电路模型因为忽略了本征部分的电感效应，很难实现对晶体管特别是高频下晶体管的高精度仿真.rn 本文通过在晶体管等效电路模型的本征部分增加电感元件—本征电感Lgs，以实现晶体管小信号模型的仿真结果与测试结果的高精度拟合。