退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104573173B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-20
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN201410665717.8
发明设计人 黄风义;唐旭升;张有明;彭振宁;张雪刚;
申请日2014-11-19
分类号
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 214000 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
入库时间 2022-08-23 10:08:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-20
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20141119
实质审查的生效
2015-04-29
公开
机译: 具有通道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型
机译: HEMT高频小信号等效电路模型的半物理建模
机译:带状线封装的场效应晶体管小信号等效电路模型的直接提取方法
机译:Si / SiGe异质结双极晶体管的p拓扑小信号等效电路模型的直接提取技术
机译:利用人工神经网络的GaN高电子迁移率晶体管小信号行为建模技术:一种准确,快速且可靠的方法
机译:宽带隙晶体管中的输出电容损耗:一种小信号建模方法
机译:使用等效电路模型在高功率,高频微波放大器中使用等效电路模型对氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性研究
机译:一种使垂直有机晶体管能够工作于40 MHz的脉冲偏置小信号测量技术
机译:利用人工神经网络提取用于HBT统计建模的小信号等效电路模型参数
机译:一种测量晶体管参数的时域方法,用于完整的小信号表征,最高可达1 gc