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一种晶体管小信号等效电路模型

摘要

本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型,包括各个电极处的电极寄生部分,所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构;该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻,高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后,再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应,因此,可以更高精度地模拟晶体管的性能,用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。

著录项

  • 公开/公告号CN104573173B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201410665717.8

  • 申请日2014-11-19

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 214000 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-20

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20141119

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

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