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International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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1.
Switching and Short-Circuit Performance of 27 nm Gate Oxide, 650 V SiC Planar-Gate MOSFETs with 10 to 15 V Gate Drive Voltage
机译:
具有10至15 V栅极驱动电压的27 nm栅极氧化物,650 V SiC平面栅极MOSFET的开关和短路性能
作者:
Aditi Agarwal
;
Ajit Kanale
;
Kijeong Han
;
B. Jayant Baliga
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MOSFET;
planar-gate;
inversion-channel;
gate oxide;
specific on-resistance (Ron,sp);
switching loss;
shortcircuit withstand time (tsc);
2.
A 600V p-GaN Gate HEMT with Intrinsic Freewheeling Schottky-Diode in a GaN Power IC with Bootstrapped Driver and Sensors
机译:
具有自举驱动器和传感器的GaN功率IC中具有固有续流肖特基二极管的600V p-GaN栅极HEMT
作者:
Stefan Moench
;
Richard Reiner
;
Patrick Waltereit
;
Stefan Müller
;
Rüdiger Quay
;
Oliver Ambacher
;
Ingmar Kallfass
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
gallium nitride;
power integrated circuits;
HEMTs;
Schottky diodes;
driver circuits;
current measurement;
sensors;
3.
Active Dual Level Gate Driver for Dead Time and Switching Losses Reduction in Drive Systems
机译:
有源双电平栅极驱动器,可降低驱动系统的死区时间和开关损耗
作者:
E. Mandelli
;
A. Mariconti
;
S. Ruzza
;
A. Baschirotto
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
gate driver;
SOI;
active drive;
switching losses;
4.
A Radiation-hard Gate Driver Circuit for High Voltage Application
机译:
高压应用的辐射硬栅极驱动器电路
作者:
Rongxing Lai
;
Jian Fang
;
Xiaoming Guan
;
Yibo Lei
;
Hongyue Ma
;
Bo Zhang
;
Xiaorong Luo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
radiation hard;
gate driver;
total ionizing dose;
single event upset;
high voltage;
5.
Power Cycling Capability Comparison of Si and SiC MOSFETs under Different Conduction Modes
机译:
Si和SiC MOSFET在不同导电模式下的功率循环能力比较
作者:
Jie Chen
;
Erping Deng
;
Zixuan Zhao
;
Yuxuan Wu
;
Yongzhang Huang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
power cycling capability;
Si MOSFETs;
SiC MOSFETs;
conduction modes;
failure mechanism;
6.
Measurement Error Caused by the Square Root t Method Applied to IGBT Devices during Power Cycling Test
机译:
平方根法在IGBT器件的电源重启测试中引起的测量误差
作者:
Erping Deng
;
Josef Lutz
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
measurement error;
square root t method;
IGBT device;
power cycling test;
7.
Design and Anaysis of The Average Current-Detection Method for Wide Input Voltage Range Constant-Current Lighting LED Driver
机译:
宽输入电压范围恒流照明LED驱动器平均电流检测方法的设计与分析
作者:
Rongxing Lai
;
Jian Fang
;
Qiuliang Jiang
;
Yarui Wei
;
Tenglei Wang
;
Yin Liu
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
lighting LED driver;
constant current;
average current-detection;
hysteresis turn-off;
wide input voltage range;
8.
A dVS/dt Noise Immunity Improvement Structure Based on Slope Sensing Technology for 200V High Voltage Gate Drive Circuit
机译:
基于斜率传感技术的200V高压栅极驱动电路dVS / dt噪声抗扰度改善结构
作者:
Siyuan Yu
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Yangyang Lu
;
Yunqi Wang
;
Long Zhang
;
Sen Zhang
;
Yan Gu
;
Nailong He
;
Yunwu Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
high voltage;
noise immunity;
level shifter;
9.
A Mission-Profile-Based Tool for the Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices in Hybrid Electric Vehicles
机译:
基于任务剖面的混合动力电动汽车功率半导体器件可靠性评估工具
作者:
Ionuţ Vernica
;
Huai Wang
;
Frede Blaabjerg
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Reliability tool;
mission profile;
lifetime evaluation;
power semiconductor devices;
hybrid electric vehicle (HEV);
10.
Silicon-based Ultimate Miniature Magnetic Inductors Technology for High-efficiency DC-DC Conversion
机译:
基于硅的终极微型电感器技术,可实现高效的DC-DC转换
作者:
Lulu Peng
;
Zishan Ali
;
Lawrence Selvaraj
;
Chor Shu Cheng
;
Yong Chau Ng
;
Nur Aziz Yosokumoro
;
Lothar Lehmann
;
Patrick Rohlfs
;
Marcel Wieland
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
CMOS compatible;
solenoid inductor;
Point of Load;
Integrated Voltage Regulator;
DC-DC conversion;
11.
Tools for Broadband Electromagnetic Modeling of Power Semiconductor Packages and External Circuit Layouts
机译:
功率半导体封装和外部电路布局的宽带电磁建模工具
作者:
Ivana Kovacevic-Badstuebner
;
Ulrike Grossner
;
Dan Popescu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
12.
Prototype of Edge Computing IPM with Hardware Artificial Neural Network Soft Sensor and Controller for Parallel Connected IGBT Current Distribution
机译:
具有硬件人工神经网络软传感器和控制器的边缘计算IPM原型,用于并联IGBT电流分配
作者:
Xiao Zeng
;
Zehong Li
;
Jiali Wan
;
Jinping Zhang
;
Wei Gao
;
Min Ren
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
IPM;
edge computing;
Arificial neural network;
current unbalance;
13.
Evolution of reverse recovery in trench MOSFETs
机译:
沟槽MOSFET反向恢复的演变
作者:
A. Ferrara
;
R. Siemieniec
;
U. Medic
;
M. Hutzler
;
O. Blank
;
T. Henson
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
reverse recovery;
body diode;
output capacitance;
trench MOSFET;
split-gate;
RESURF;
lifetime killing;
14.
Multi-trench-gate Cell Concept for Low Voltage Superjunction Power MOSFETs
机译:
低压超结功率MOSFET的多沟槽栅单元概念
作者:
K. Eikyu
;
A. Sakai
;
T. Yamashita
;
A. Shimomura
;
H. Yanagigawa
;
K. Mori
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
superjunction;
power MOSFET;
trench gate;
TCAD;
15.
Packaging Development for a 1200V SiC BiDFET Switch Using Highly Thermally Conductive Organic Epoxy Laminate
机译:
使用高导热有机环氧层压板的1200V SiC BiDFET开关的包装开发
作者:
Utkarsh Mehrotra
;
Tzu-Hsuan Cheng
;
Ajit Kanale
;
Aditi Agarwal
;
Kijeong Han
;
B. Jayant Baliga
;
Subhashish Bhattacharya
;
Douglas C. Hopkins
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon Carbide;
Bi-directional switch;
BiDFET;
MOSFET;
Low Voltage Drop;
4H-SiC;
organic substrate;
power packaging;
Epoxy-resin substrate;
ERCD;
16.
Electric Field Engineering to Extend Capability of NLDMOS from 70V to 90V Without Added Cost
机译:
电场工程将NLDMOS的能力从70V扩展到90V,而无需增加成本
作者:
Jaroslav Pjencak
;
Johan Janssens
;
Moshe Agam
;
Ladislav Seliga
;
Weize Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
NLDMOS;
Resurf;
DTI isolation;
vertical field plate;
diagonal electric field;
low cost;
17.
A GaN-based Current Sense Amplifier for GaN HEMTs with Integrated Current Shunts
机译:
具有集成式电流分流器的GaN HEMT的基于GaN的电流检测放大器
作者:
Michael Basler
;
Stefan Moench
;
Richard Reiner
;
Patrick Waltereit
;
Rüdiger Quay
;
Ingmar Kallfass
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《》
|
2020年
关键词:
gallium nitride;
HEMTs;
current measurement;
sensors;
logic circuits;
amplifer;
power integrated cirucits;
18.
Modular Multilevel SOI-CMOS Active Gate Driver Architecture for SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的模块化多级SOI-CMOS有源栅极驱动器架构
作者:
Nicolas Rouger
;
Yazan Barazi
;
Marc Cousineau
;
Fréderic Richardeau
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
active gate driver;
multi-level;
SiC gate drivers;
SOI CMOS;
19.
4.5kV SiC Charge-Balanced MOSFETs with Ultra-Low On-Resistance
机译:
具有超低导通电阻的4.5kV SiC电荷平衡MOSFET
作者:
Reza Ghandi
;
Alexander Bolotnikov
;
Stacey Kennerly
;
Collin Hitchcock
;
Poon-man Tang
;
T. Paul Chow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon Carbide;
Superjunction;
Charge-Balanced;
MOSFET;
20.
A Low Loss and On-State Voltage Superjunction IGBT with Depletion Trench
机译:
具有损耗沟道的低损耗和通态电压超结IGBT
作者:
Xiaorong Luo
;
Sen Zhang
;
Jie Wei
;
Yang Yang
;
Wei Su
;
Diao Fan
;
Congcong Li
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Superjunction (SJ);
turn-off energy loss (E off);
IGBT;
Breakdown voltage (BV);
on-state voltage drop (Von);
21.
Investigating the Highly Tolerant LDMOS Cell Array Design against the Negative Carrier Injection and the ESD Events
机译:
研究针对负载流子注入和ESD事件的高度容忍LDMOS单元阵列设计
作者:
Kanako Komatsu
;
Daisuke Shinohara
;
Mariko Shimizu
;
Yoshiaki Ishii
;
Toshihiro Sakamoto
;
Koji Yonemura
;
Fumitomo Matsuoka
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
LDMOS;
cell array design;
negative carrier injection;
ESD events;
22.
A New Generation of Power Diode: Charge Coupled Field Effect Rectifier Diode (CC-FERD)
机译:
新一代功率二极管:电荷耦合场效应整流二极管(CC-FERD)
作者:
Shin Phay Lee
;
V. C. Ngwan
;
Frederic Gautier
;
Frederic Lanois
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Power diode;
FERD;
CC-MOSFET;
CC-FERD;
forward voltage;
reverse recovery charge;
thermal runaway;
power dissipation;
23.
Digital Multi-Value Logic Gates for Monolithic GaN Power ICs
机译:
用于单片GaN电源IC的数字多值逻辑门
作者:
Mengqi Wang
;
Ng Wai Tung
;
Jerry Tzou
;
Wen-Hsien Huang
;
Chang-Hong Shen
;
Jia-Ming Shieh
;
Wen-Kuan Yeh
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
multi-value logic;
gallium nitride;
GaN;
monolithic IC;
logic gates;
E-mode HEMT;
24.
Si-Substrate Removal for AlGaN/GaN Devices on PCB Carriers
机译:
用于PCB载体上的AlGaN / GaN器件的Si衬底去除
作者:
Richard Reiner
;
Thomas Gerrer
;
Beatrix Weiss
;
Patrick Waltereit
;
Stefan Moench
;
Dirk Meder
;
Matthias Sinnwell
;
Michael Dammann
;
Rüdiger Quay
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Si-removal;
free-standing GaN;
PCB-embedding;
substrate engineering;
back-gating;
crosstalk suppression;
capacitive coupling;
thin film release;
substrate biasing effect;
25.
Low-Temperature Accelerated Gate Reliability of Schottky-type p-GaN Gate HEMTs
机译:
肖特基型p-GaN栅极HEMT的低温加速栅极可靠性
作者:
Jiabei He
;
Jin Wei
;
Zheyang Zheng
;
Song Yang
;
Yang Li
;
Baoling Huang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Gate reliability;
p-GaN HEMT;
low temperature;
temperature-dependent gate breakdown;
26.
Negative Dynamic RON in Vertical GaN PiN Diode: The Impact of Conductivity Modulation
机译:
垂直GaN PiN二极管中的负动态RON:电导率调制的影响
作者:
Shaowen Han
;
Shu Yang
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Conductivity modulation;
GaN;
hole injection;
power rectifiers;
negative dynamic RON;
27.
The p-ring Trench Schottky IGBT: A solution towards latch-up immunity and an enhanced safe-operating area
机译:
p环Trench肖特基IGBT:一种抗闩锁的解决方案,并具有更大的安全工作面积
作者:
Marina Antoniou
;
Florin Udrea
;
Neophytos Lophitis
;
Chiara Corvasce
;
Luca De-Michielis
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Junction Barrier Schottky diodes;
JBS;
SiC;
surge current;
SiC diodes;
MPS;
28.
CSTBT™ based Split-Gate RC-IGBT with Low Loss and EMI Noise
机译:
具有低损耗和EMI噪声的基于CSTBT™的分栅RC-IGBT
作者:
Koichi Nishi
;
Atsushi Narazaki
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
RC-IGBT;
CSTBT;
Split-gate;
Miller capacitance;
Switching loss;
EMI noise;
29.
High Voltage Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diode with High Energy Fluorine Ion Implantation Based on Space Charge Induced Field Modulation (SCIFM) Effect
机译:
基于空间电荷感应场调制(SCIFM)效应的高能氟离子注入高压垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
作者:
Ruiyuan Yin
;
Yue Li
;
Cheng P. Wen
;
Yunyi Fu
;
Yilong Hao
;
Maojun Wang
;
Bo Shen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN vertical Schottky barrier diode;
high energy fluorine ion implantation;
edge termination;
quasi-junction-barrier-Schottky diode;
space charge induced field modulation;
high breakdwon voltage;
30.
Highly Reliable GaN-MOSFETs with High Channel Mobility Gate by Selective-Area Crystallization
机译:
通过选择性区域结晶实现具有高通道迁移率栅极的高度可靠的GaN-MOSFET
作者:
Y. Kajiwara
;
A. Shindome
;
A. Mukai
;
H. Ono
;
D. Kato
;
M. Kuraguchi
;
S. Nunoue
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN;
MOSFET;
recess-etching;
gate-dielectric;
AlN;
gate-stack;
31.
A Self-Protected 800V JFET with 6kV HBM robustness in 0.25 um BCD
机译:
在0.25 um BCD中具有6kV HBM鲁棒性的自保护800V JFET
作者:
Arash Elhami Khorasani
;
Mark Griswold
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
ESD;
HBM;
800V;
JFET;
HVIC;
BCD;
Gate Driver;
Start-Up;
SCR;
32.
Suppression of Hot-Hole Injection in High-Voltage Triple RESURF LDMOS With Sandwich N-P-N Layer: Toward High-Performance and High-Reliability
机译:
具有夹层N-P-N层的高压三重RESURF LDMOS热孔注入的抑制:追求高性能和高可靠性
作者:
Ming Qiao
;
Zhangyi’an Yuan
;
Yi Li
;
Xin Zhou
;
Feng Jin
;
Jiye Yang
;
Ying Cai
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Burnout;
hot-hole injection;
LDMOS;
triple RESURF;
sandwich N-P-N layer;
33.
A 0. 25μm700V BCD Technology with Ultra-low Specific On-resistance SJ-LDMOS
机译:
一种0.25μm700VBCD技术,具有超低比导通电阻SJ-LDMOS
作者:
Nailong He
;
Sen Zhang
;
Xuhan Zhu
;
Xuchao Li
;
Hao Wang
;
Wentong Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
super junction;
LDMOS;
BCD;
charge balance;
specific on resistance Ron,sp;
breakdown voltage VB;
34.
The Floating NBL Architecture: Enabler of a Quasi-SOI process
机译:
浮动NBL架构:准SOI流程的促成因素
作者:
Johan Janssens
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
floating;
buried layer;
self-organisation;
isolation;
35.
Investigation of the Breakdown Voltage Degradation under Hot-Carrier Injection in STI-based PchLDMOS Transistors
机译:
STI基PchLDMOS晶体管在热载流注入下的击穿电压退化研究。
作者:
Hirotaka Kasai
;
Daisuke Shinohara
;
Mariko Shimizu
;
Yoshiaki Ishii
;
Kanako Komatsu
;
Toshihiro Sakamoto
;
Koji Yonemura
;
Fumitomo Matsuoka
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
PchLDMOS;
Hot-carrier;
Reliability;
BVdss degradation;
36.
Experimental Investigation on the Electrical Properties of SOI-LIGBT Under Total-Ionizing-Dose Radiation
机译:
总电离辐射下SOI-LIGBT电学特性的实验研究
作者:
Guangan Yang
;
Wangran Wu
;
Pengyu Tang
;
Jing Yang
;
Siyang Liu
;
Long Zhang
;
Weifeng Sun
;
Xingyao Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
total-ionizing-dose;
SOI-LIGBT;
radiation;
bipolar transport;
37.
Partial SOI as a HV platform technology for Power Integrated Circuits
机译:
部分SOI作为用于电源集成电路的HV平台技术
作者:
Alexander Hölke
;
Marina Antoniou
;
Florin Udrea
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Partial SOI;
Power Integrated Circuits;
38.
Floating Body Ring Termination for Trench Field Plate Power MOSFETs
机译:
沟道场板功率MOSFET的浮体环形端接
作者:
Tanuj Saxena
;
Vishnu Khemka
;
Bernhard Grote
;
Ganming Qin
;
Moaniss Zitouni
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
termination;
field plate;
RESURF;
trench MOSFET;
shielded gate;
39.
Channel Length Scaling Limit for LDMOS Field-Effect Transistors: Semi-classical and Quantum Analysis
机译:
LDMOS场效应晶体管的通道长度缩放极限:半经典分析和量子分析
作者:
Ali Saadat
;
Pratik B. Vyas
;
Maarten L. Van de Put
;
Massimo V. Fischetti
;
Hal Edwards
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
channel-length scaling;
LDMOS;
on-resistance;
optimization;
quantum transport;
scaling limit;
40.
Power Cycling Performance and Lifetime Estimation of 1700V SiC MPS Diode Modules with Multiple Chips Connected in Parallel
机译:
多个并联连接的1700V SiC MPS二极管模块的功率循环性能和寿命估算
作者:
Felix Hoffmann
;
Nando Kaminski
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
silicon carbide;
sic;
reliability;
power cycling;
power module;
mps diode;
lifetime modeling;
41.
E-mode p-n Junction/AlGaN/GaN HEMTs with Enhanced Gate Reliability
机译:
具有增强的栅极可靠性的E模式p-n结/ AlGaN / GaN HEMT
作者:
Chengcai Wang
;
Mengyuan Hua
;
Song Yang
;
Li Zhang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN;
E-mode;
p-GaN;
high electron mobility Transistor (HEMT);
time dependent gate breakdown (TDGB);
42.
Analysis and Design Considerations of Low-voltage Trench MOSFET for Inductive Load Switching Applications
机译:
用于电感负载开关应用的低压沟槽MOSFET的分析和设计考虑
作者:
Radim Spetik
;
Shuji Fujiwara
;
Ihsiu Ho
;
Jifa Hao
;
Aakash Arora
;
Matej Blaho
;
Ladislav Seliga
;
Roman Malousek
;
Filip Kudrna
;
Santosh Menon
;
B. Greenwood
;
M. Thomason
;
B. Williams
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Trench MOSFET;
inductive switching clamped / unclamped;
thermal runaway;
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