GaN vertical Schottky barrier diode; high energy fluorine ion implantation; edge termination; quasi-junction-barrier-Schottky diode; space charge induced field modulation; high breakdwon voltage;
机译:采用氟离子注入处理的高压垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
机译:采用氟离子注入处理的高压垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
机译:升高温度下垂直GaN-On-GaN肖特基二极管高压传导机制的变化
机译:X射线辐照对垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管偏置的施加电压的影响
机译:肖特基障碍二极管中的少数载体注入(存储延迟,电导率调制)。
机译:GaN-on-GaN肖特基二极管的低压高能量α粒子探测器具有创纪录的高电荷收集效率
机译:错误:“表面处理对甘肖孔屏障二极管屏障高度的金属 - 工作函数依赖性的影响”AIP adv。 8,115011(2018)
机译:半导体测量技术:用于测量硅中注入深度分布的肖特基势垒二极管的差分电容 - 电压分布