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Erratum: “Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode” AIP Adv. 8, 115011 (2018)

机译：错误：“表面处理对甘肖孔屏障二极管屏障高度的金属 - 工作函数依赖性的影响”AIP adv。 8,115011（2018）

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Kazuki Isobe; Masamichi Akazawa;
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年度 2021
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