组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

缪中林; 陆卫; 陈平平; 李志锋; 刘平; 袁先漳; 蔡炜颖; 徐文兰; 沈学础; 陈昌明; 朱德彰; 胡军; 李明乾

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用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .

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来源
《半导体学报》 |2001年第6期|721-725|共5页
作者
缪中林; 陆卫; 陈平平; 李志锋; 刘平; 袁先漳; 蔡炜颖; 徐文兰; 沈学础; 陈昌明; 朱德彰; 胡军; 李明乾;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;

中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
非对称耦合双量子阱; 组合离子注入; 光调制反射光谱; 界面混合效应;

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